TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
GSFR0308

GSFR0308

MOSFET, N-CH, SINGLE, 7A, 30V, S

Good-Ark Semiconductor

5,973 -
GSFR0308

Технический лист

- SOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 7A (Ta) 4.5V, 10V 26mOhm @ 4A, 10V 2V @ 250µA 6.4 nC @ 10 V ±20V 460 pF @ 15 V - 2W (Ta) -50°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-6L
G3035

G3035

P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75

Goford Semiconductor

5,959 -
G3035

Технический лист

TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4.6A (Tc) 4.5V, 10V 55mOhm @ 4A, 10V 2V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±20V 607 pF @ 15 V - 1.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
HS54095-01-E

HS54095-01-E

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

5,500 -
HS54095-01-E

Технический лист

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
SSF3051G7

SSF3051G7

MOSFET, P-CH, SINGLE, -4A, -30V,

Good-Ark Semiconductor

5,198 -
SSF3051G7

Технический лист

- SOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4.4A 4.5V, 10V 48mOhm @ 4.4A, 10V 3V @ 250µA 7.1 nC @ 5 V ±25V 520 pF @ 15 V - 1.7W -55°C ~ 150°C - - Surface Mount SOT-23-6L
FSS248-TL-E

FSS248-TL-E

MOSFET N-CH

onsemi

5,000 -

-

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FQPF5P10

FQPF5P10

MOSFET P-CH 100V 2.9A TO220F

Fairchild Semiconductor

4,443 -
FQPF5P10

Технический лист

QFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 2.9A (Tc) 10V 1.05Ohm @ 1.45A, 10V 4V @ 250µA 8.2 nC @ 10 V ±30V 250 pF @ 25 V - 23W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
FQP630

FQP630

MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3

Fairchild Semiconductor

4,361 -
FQP630

Технический лист

QFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 9A (Tc) 10V 400mOhm @ 4.5A, 10V 4V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±25V 550 pF @ 25 V - 78W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
2SK681A-AZ

2SK681A-AZ

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

4,181 -
2SK681A-AZ

Технический лист

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FQPF5N20L

FQPF5N20L

MOSFET N-CH 200V 3.5A TO220F

Fairchild Semiconductor

3,834 -
FQPF5N20L

Технический лист

QFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 3.5A (Tc) 5V, 10V 1.2Ohm @ 1.75A, 10V 2V @ 250µA 6.2 nC @ 5 V ±20V 325 pF @ 25 V - 32W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
RJK03M6DNS-WS#J5

RJK03M6DNS-WS#J5

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

3,610 -
RJK03M6DNS-WS#J5

Технический лист

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
03N06

03N06

N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12

Goford Semiconductor

3,332 -
03N06

Технический лист

TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 3A (Tc) 4.5V, 10V 80mOhm @ 2A, 10V 1.2V @ 250µA 14.6 nC @ 10 V ±20V 458 pF @ 30 V - 1.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
FDN340P-EV

FDN340P-EV

MOSFET P-CH 20V 2A SOT-23

EVVO

3,000 -
FDN340P-EV

Технический лист

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2A (Ta) 1.8V, 4.5V 70mOhm @ 2A, 4.5V 1.5V @ 250µA 8 nC @ 4.5 V ±8V 600 pF @ 10 V - 1.1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
FDN339AN

FDN339AN

MOSFET N-CH 20V 3A SOT23

UMW

2,995 -
FDN339AN

Технический лист

* - Cut Tape (CT) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
SI2333CDS

SI2333CDS

MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23

UMW

2,994 -
SI2333CDS

Технический лист

* TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 7.1A (Tc) 1.8V, 4.5V 35mOhm @ 5.1A, 4.5V 1V @ 250µA - ±8V - - 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
FDV304P

FDV304P

MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23

UMW

2,987 -
FDV304P

Технический лист

* - Cut Tape (CT) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FQPF17N08

FQPF17N08

MOSFET N-CH 80V 11.2A TO220F

Fairchild Semiconductor

2,970 -
FQPF17N08

Технический лист

QFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 11.2A (Tc) 10V 115mOhm @ 5.6A, 10V 4V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±25V 450 pF @ 25 V - 30W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
NTD4855N-35G

NTD4855N-35G

MOSFET N-CH 25V 14A/98A IPAK

onsemi

2,925 -
NTD4855N-35G

Технический лист

- TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 14A (Ta), 98A (Tc) 4.5V, 10V 4.3mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 32.7 nC @ 4.5 V ±20V 2950 pF @ 12 V - 1.35W (Ta), 66.7W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
IRFR121

IRFR121

N-CHANNEL POWER MOSFET

Harris Corporation

2,880 -
IRFR121

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 8.4A - - - - - - - - - - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
SFS9Z34

SFS9Z34

P-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

2,772 -
SFS9Z34

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 12A (Tc) 10V 140mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±30V 1155 pF @ 25 V - 36W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
FDN359BN

FDN359BN

MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23

UMW

2,753 -
FDN359BN

Технический лист

* - Cut Tape (CT) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
Total 36284 Record«Prev1... 400401402403404405406407...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь