TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
NDF04N60ZG

NDF04N60ZG

MOSFET N-CH 600V 4.8A TO220FP

onsemi

4,050 -
NDF04N60ZG

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 4.8A (Tc) 10V 2Ohm @ 2A, 10V 4.5V @ 50µA 29 nC @ 10 V ±30V 640 pF @ 25 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
NTD4904N-35G

NTD4904N-35G

MOSFET N-CH 30V 13A/79A IPAK

onsemi

2,992 -
NTD4904N-35G

Технический лист

- TO-251-3 Stub Leads, IPAK Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13A (Ta), 79A (Tc) 4.5V, 10V 3.7mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±20V 3052 pF @ 15 V - 1.4W (Ta), 52W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
NTD4970N-35G

NTD4970N-35G

MOSFET N-CH 30V 8.5A/36A IPAK

onsemi

8,810 -
NTD4970N-35G

Технический лист

- TO-251-3 Stub Leads, IPAK Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8.5A (Ta), 36A (Tc) 4.5V, 10V 11mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 8.2 nC @ 4.5 V ±20V 774 pF @ 15 V - 1.38W (Ta), 24.6W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
HUFA75309T3ST

HUFA75309T3ST

MOSFET N-CH 55V 3A SOT223-4

Fairchild Semiconductor

34,459 -
HUFA75309T3ST

Технический лист

UltraFET™ TO-261-4, TO-261AA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 3A (Ta) 10V 70mOhm @ 3A, 10V 4V @ 250µA 23 nC @ 20 V ±20V 352 pF @ 25 V - 1.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223-4
ISL9N306AS3ST

ISL9N306AS3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

33,931 -
ISL9N306AS3ST

Технический лист

UltraFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 75A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 75A, 10V 3V @ 250µA 90 nC @ 10 V ±20V 3400 pF @ 15 V - 125W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AB
FDG330P

FDG330P

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

onsemi

30,040 -
FDG330P

Технический лист

PowerTrench® 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 2A (Ta) - 110mOhm @ 2A, 4.5V 1.5V @ 250µA 7 nC @ 4.5 V ±8V 477 pF @ 6 V - 480mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
IRFW644BTM

IRFW644BTM

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

19,077 -
IRFW644BTM

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 14A (Tc) 10V 280mOhm @ 7A, 10V 4V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±30V 1600 pF @ 25 V - 3.13W (Ta), 139W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
G3404B

G3404B

N30V,RD(MAX)<22M@10V,RD(MAX)<35M

Goford Semiconductor

14,935 -
G3404B

Технический лист

TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 5.6A (Tc) 4.5V, 10V 22mOhm @ 4.2A, 10V 2V @ 250µA 2.5 nC @ 10 V ±20V 568 pF @ 15 V - 1.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
SSM3K56CT,L3F

SSM3K56CT,L3F

MOSFET N-CH 20V 800MA CST3

Toshiba Semiconductor and Storage

14,906 -
SSM3K56CT,L3F

Технический лист

U-MOSVII-H SC-101, SOT-883 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 800mA (Ta) 1.5V, 4.5V 235mOhm @ 800mA, 4.5V 1V @ 1mA 1 nC @ 4.5 V ±8V 55 pF @ 10 V - 500mW (Ta) 150°C (TA) - - Surface Mount CST3
FSS172-TL-E

FSS172-TL-E

PCH 4V DRIVE SERIES

onsemi

13,000 -

-

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
G29

G29

P15V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<4

Goford Semiconductor

12,694 -
G29

Технический лист

TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 15 V 4.1A (Tc) 2.5V, 4.5V 30mOhm @ 3A, 4.5V 900mV @ 250µA 7.8 nC @ 10 V ±12V 740 pF @ 10 V - 1.05W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
IRFD9110

IRFD9110

0.7A 100V 1.200 OHM P-CHANNEL

Harris Corporation

11,617 -
IRFD9110

Технический лист

- 4-DIP (0.300", 7.62mm) Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 700mA (Ta) 10V 1.2Ohm @ 420mA, 10V 4V @ 250µA 8.7 nC @ 10 V ±20V 200 pF @ 25 V - 1.3W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
SSP2N60A

SSP2N60A

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

9,000 -
SSP2N60A

Технический лист

- TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 2A (Tc) 10V 5Ohm @ 1A, 10V 4V @ 250µA 21 nC @ 10 V ±30V 410 pF @ 25 V - 54W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
G2305

G2305

P20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<7

Goford Semiconductor

8,918 -
G2305

Технический лист

TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4A (Tc) 2.5V, 4.5V 35mOhm @ 4.1A, 4.5V 1V @ 250µA 12 nC @ 4.5 V ±12V 1050 pF @ 10 V - 1.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
G2304

G2304

MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23

Goford Semiconductor

8,870 -
G2304

Технический лист

TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 3.6A (Tc) 4.5V, 10V 39mOhm @ 1.8A, 10V 2.2V @ 250µA 5 nC @ 10 V ±20V 294 pF @ 15 V - 1.2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
G06P01E

G06P01E

P12V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<4

Goford Semiconductor

8,792 -
G06P01E

Технический лист

TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 4A (Tc) 1.8V, 4.5V 28mOhm @ 3A, 4.5V 1V @ 250µA 14 nC @ 4.5 V ±10V 1087 pF @ 6 V - 1.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
3401

3401

MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT-23

Goford Semiconductor

8,625 -
3401

Технический лист

TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4.2A (Tc) 4.5V, 10V 55mOhm @ 4A, 10V 1.3V @ 250µA 8.5 nC @ 4.5 V ±12V 670 pF @ 15 V - 1.2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
ISL9N306AD3ST

ISL9N306AD3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

8,371 -
ISL9N306AD3ST

Технический лист

UltraFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 50A, 10V 3V @ 250µA 90 nC @ 10 V ±20V 3400 pF @ 15 V - 125W (Ta) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
SFW9510TM

SFW9510TM

P-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

6,259 -
SFW9510TM

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 3.6A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 1.8A, 10V 4V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±30V 335 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 32W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
SSF6092G1

SSF6092G1

MOSFET, N-CH, SINGLE, 2.7A, 60V,

Good-Ark Semiconductor

6,000 -
SSF6092G1

Технический лист

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 2.7A 10V 92mOhm @ 2.7A, 10V 2.5V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 641 pF @ 25 V - 1.25W -55°C ~ 150°C - - Surface Mount SOT-23
Total 36284 Record«Prev1... 399400401402403404405406...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь