TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
FDN358P

FDN358P

MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23

UMW

2,528 -
FDN358P

Технический лист

* - Cut Tape (CT) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
MTP4N40E

MTP4N40E

N-CHANNEL POWER MOSFET

onsemi

2,516 -
MTP4N40E

Технический лист

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
UPA2762UGR-E1-AT

UPA2762UGR-E1-AT

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

2,500 -
UPA2762UGR-E1-AT

Технический лист

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
RFD14N06LSM9A

RFD14N06LSM9A

N-CHANNEL POWER MOSFET

Harris Corporation

2,500 -
RFD14N06LSM9A

Технический лист

- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
SI2307A

SI2307A

30V 3A 1.25W 80MR@10V,3A 3V@250A

UMW

2,192 -
SI2307A

Технический лист

UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 3A (Ta) 4.5V, 10V 50mOhm @ 3A, 10V 3V @ 250µA 15 nC @ 15 V ±20V 565 pF @ 15 V - 1.25W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
AO3404A

AO3404A

30V 5.8A 28MR@10V,5.8A 1.4W 3V@2

UMW

2,139 -
AO3404A

Технический лист

UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 5.8A (Ta) 4.5V, 10V 25mOhm @ 5.8A, 10V 3V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±20V 820 pF @ 15 V - 1.4W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
FSS248-TL-E-SY

FSS248-TL-E-SY

MOSFET N-CH

Sanyo

2,000 -

-

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
RJK03M6DPA-WS#J5A

RJK03M6DPA-WS#J5A

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

1,740 -
RJK03M6DPA-WS#J5A

Технический лист

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FQPF2N50

FQPF2N50

MOSFET N-CH 500V 1.3A TO220F

Fairchild Semiconductor

1,628 -
FQPF2N50

Технический лист

QFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 1.3A (Tc) 10V 5.3Ohm @ 650mA, 10V 5V @ 250µA 8 nC @ 10 V ±30V 230 pF @ 25 V - 20W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
SFT1452-H

SFT1452-H

MOSFET N-CH 250V 3A IPAK/TP

onsemi

9,076 -
SFT1452-H

Технический лист

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 3A (Ta) 10V 2.4Ohm @ 1.5A, 10V 4.5V @ 1mA 4.2 nC @ 10 V ±30V 210 pF @ 20 V - 1W (Ta), 26W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK/TP
FDMA530PZ

FDMA530PZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

Fairchild Semiconductor

1,382 -
FDMA530PZ

Технический лист

PowerTrench® 6-WDFN Exposed Pad Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 6.8A (Ta) 4.5V, 10V 35mOhm @ 6.8A, 10V 3V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±25V 1070 pF @ 15 V - 2.4W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
IRFD112

IRFD112

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Harris Corporation

1,371 -
IRFD112

Технический лист

- 4-DIP (0.300", 7.62mm) Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 800mA (Tc) 10V 800mOhm @ 800mA, 10V 4V @ 250µA 7 nC @ 10 V ±20V 135 pF @ 25 V - 1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 4-DIP, Hexdip
G2312

G2312

N20V,RD(MAX)<18M@10V,RD(MAX)<20M

Goford Semiconductor

1,127 -
G2312

Технический лист

TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5A (Tc) 2.5V, 4.5V 17mOhm @ 3A, 4.5V 1V @ 250µA 10.5 nC @ 4.5 V ±12V 830 pF @ 10 V - 1.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
FQD2N50TF

FQD2N50TF

MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK

Fairchild Semiconductor

1,015 -
FQD2N50TF

Технический лист

QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 1.6A (Tc) 10V 5.3Ohm @ 800mA, 10V 5V @ 250µA 8 nC @ 10 V ±30V 230 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
G65P06D5

G65P06D5

MOSFET P-CH 60V 65A DFN5*6-8L

Goford Semiconductor

5,000 -
G65P06D5

Технический лист

TrenchFET® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) - 65A (Tc) 10V 18mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA - ±20V - - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN (4.9x5.75)
CPH3457-TL-W

CPH3457-TL-W

MOSFET N-CH 30V 3A 3CPH

onsemi

8,948 -
CPH3457-TL-W

Технический лист

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 3A (Ta) 1.8V, 4.5V 95mOhm @ 1.5A, 4.5V 1.3V @ 1mA 3.5 nC @ 4.5 V ±12V 265 pF @ 10 V - 1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 3-CPH
SPP03N60C3XKSA1

SPP03N60C3XKSA1

LOW POWER_LEGACY

Infineon Technologies

7,514 -
SPP03N60C3XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.2A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 2A, 10V 3.9V @ 135µA 17 nC @ 10 V ±20V 400 pF @ 25 V - 38W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
BSP129L6327HTSA1

BSP129L6327HTSA1

MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4

Infineon Technologies

8,728 -
BSP129L6327HTSA1

Технический лист

SIPMOS® TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel, Depletion Mode MOSFET (Metal Oxide) 240 V 350mA (Ta) 0V, 10V 6Ohm @ 350mA, 10V 1V @ 108µA 5.7 nC @ 5 V ±20V 108 pF @ 25 V - 1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT223-4-21
NTLUS3A39PZTAG

NTLUS3A39PZTAG

MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN

onsemi

3,096 -
NTLUS3A39PZTAG

Технический лист

µCool™ 6-PowerUFDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 3.4A (Ta) 1.5V, 4.5V 39mOhm @ 4A, 4.5V 1V @ 250µA 10.4 nC @ 4.5 V ±8V 920 pF @ 15 V - 600mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-UDFN (1.6x1.6)
NTLUS4930NTBG

NTLUS4930NTBG

MOSFET N-CH 30V 3.8A 6UDFN

onsemi

3,296 -
NTLUS4930NTBG

Технический лист

- 6-UDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 3.8A (Ta) 4.5V, 10V 28.5mOhm @ 6.1A, 10V 2.2V @ 250µA 8.7 nC @ 10 V ±20V 476 pF @ 15 V - 650mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-UDFN (2x2)
Total 36284 Record«Prev1... 401402403404405406407408...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь