TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
IRF2204PBF

IRF2204PBF

MOSFET N-CH 40V 210A TO220AB

Infineon Technologies

1,507 -
IRF2204PBF

Технический лист

HEXFET® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 210A (Tc) 10V 3.6mOhm @ 130A, 10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±20V 5890 pF @ 25 V - 330W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
STL3NM60N

STL3NM60N

MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT

STMicroelectronics

7,904 -
STL3NM60N

Технический лист

MDmesh™ II 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 650mA (Ta), 2.2A (Tc) 10V 1.8Ohm @ 1A, 10V 4V @ 250µA 9.5 nC @ 10 V ±25V 188 pF @ 50 V - 2W (Ta), 22W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
PSMN6R5-80BS,118

PSMN6R5-80BS,118

MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK

Nexperia USA Inc.

3,845 -
PSMN6R5-80BS,118

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 100A (Tc) 10V 6.9mOhm @ 15A, 10V 4V @ 1mA 71 nC @ 10 V ±20V 4461 pF @ 40 V - 210W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IPP60R190C6XKSA1

IPP60R190C6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3

Infineon Technologies

3,682 -
IPP60R190C6XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20.2A (Tc) 10V 190mOhm @ 9.5A, 10V 3.5V @ 630µA 63 nC @ 10 V ±20V 1400 pF @ 100 V - 151W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
IPP60R190E6XKSA1

IPP60R190E6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3

Infineon Technologies

1,953 -
IPP60R190E6XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20.2A (Tc) 10V 190mOhm @ 9.5A, 10V 3.5V @ 630µA 63 nC @ 10 V ±20V 1400 pF @ 100 V - 151W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
CSD18510KTT

CSD18510KTT

MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK

Texas Instruments

225 -
CSD18510KTT

Технический лист

NexFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 274A (Tc) 4.5V, 10V 1.7mOhm @ 100A, 10V 2.3V @ 250µA 153 nC @ 10 V ±20V 11400 pF @ 20 V - 250W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (DDPAK-3)
FDP070AN06A0

FDP070AN06A0

MOSFET N-CH 60V 15A/80A TO220-3

onsemi

183 -
FDP070AN06A0

Технический лист

PowerTrench® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 15A (Ta), 80A (Tc) 10V 7mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±20V 3000 pF @ 25 V - 175W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
FCD850N80Z

FCD850N80Z

MOSFET N-CH 800V 6A DPAK

onsemi

18,374 -
FCD850N80Z

Технический лист

SuperFET® II TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 6A (Tc) 10V 850mOhm @ 3A, 10V 4.5V @ 600µA 29 nC @ 10 V ±20V 1315 pF @ 100 V - 75W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
NTMFS022N15MC

NTMFS022N15MC

POWER MOSFET, 150V SINGLE N CHAN

onsemi

3,197 -
NTMFS022N15MC

Технический лист

PowerTrench® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 7.3A (Ta), 41.9A (Tc) 8V, 10V 22mOhm @ 18A, 10V 4.5V @ 100µA 17 nC @ 10 V ±20V 1315 pF @ 75 V - 2.5W (Ta), 80.6W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
AONS62614T

AONS62614T

MOSFET N-CH 60V 39A/100A 8DFN

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

2,805 -
AONS62614T

Технический лист

AlphaSGT™ 8-PowerSMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 39A (Ta), 100A (Tc) 4.5V, 10V 2.5mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 90 nC @ 10 V ±20V 3660 pF @ 30 V - 7.5W (Ta), 142W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN (5x6)
STB9NK80Z

STB9NK80Z

MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK

STMicroelectronics

896 -
STB9NK80Z

Технический лист

SuperMESH™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 5.2A (Tc) 10V 1.8Ohm @ 2.6A, 10V 4.5V @ 100µA 40 nC @ 10 V ±30V 1138 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK
IRFBF20PBF

IRFBF20PBF

MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220AB

Vishay Siliconix

734 -
IRFBF20PBF

Технический лист

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 1.7A (Tc) 10V 8Ohm @ 1A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 490 pF @ 25 V - 54W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
R6015ENZC17

R6015ENZC17

MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF

Rohm Semiconductor

218 -
R6015ENZC17

Технический лист

- TO-3P-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 15A (Tc) 10V 290mOhm @ 6.5A, 10V 4V @ 1mA 40 nC @ 10 V ±20V 910 pF @ 25 V - 120W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
PSMN1R2-25YL,115

PSMN1R2-25YL,115

MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56

Nexperia USA Inc.

29,817 -
PSMN1R2-25YL,115

Технический лист

- SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 1.2mOhm @ 15A, 10V 2.15V @ 1mA 105 nC @ 10 V ±20V 6380 pF @ 12 V - 121W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56; Power-SO8
BUK7Y2R0-40HX

BUK7Y2R0-40HX

MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56

Nexperia USA Inc.

4,477 -
BUK7Y2R0-40HX

Технический лист

- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 10V 2mOhm @ 25A, 10V 3.6V @ 1mA 90.5 nC @ 10 V +20V, -10V 5450 pF @ 25 V - 217W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
NTTFS1D8N02P1E

NTTFS1D8N02P1E

MOSFET N-CH 25V 20A/152A 8PQFN

onsemi

1,818 -
NTTFS1D8N02P1E

Технический лист

- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 20A (Ta), 152A (Tc) 4.5V, 10V 1.3mOhm @ 30A, 10V 2V @ 700µA 38 nC @ 10 V +16V, -12V 3159 pF @ 13 V - 800mW (Ta), 48W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3)
AOB66920L

AOB66920L

MOSFET N-CH 100V 22.5A/80A TO263

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

1,112 -
AOB66920L

Технический лист

AlphaSGT™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 22.5A (Ta), 80A (Tc) 4.5V, 10V 8mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±20V 2500 pF @ 50 V - 8.3W (Ta), 100W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
SIHP15N60E-GE3

SIHP15N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 15A TO220AB

Vishay Siliconix

16,544 -
SIHP15N60E-GE3

Технический лист

E TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 15A (Tc) 10V 280mOhm @ 8A, 10V 4V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±30V 1350 pF @ 100 V - 180W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
RQ3P300BHTB1

RQ3P300BHTB1

NCH 100V 39A, HSMT8, POWER MOSFE

Rohm Semiconductor

14,189 -
RQ3P300BHTB1

Технический лист

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 39A (Tc) 6V, 10V 15.5mOhm @ 10A, 10V 4V @ 1mA 36 nC @ 10 V ±20V 2040 pF @ 50 V - 32W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
BSC005N03LS5IATMA1

BSC005N03LS5IATMA1

TRENCH <= 40V

Infineon Technologies

4,808 -
BSC005N03LS5IATMA1

Технический лист

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 42A (Ta), 433A (Tc) 4.5V, 10V 0.55mOhm @ 50A, 10V 2V @ 10mA 128 nC @ 10 V ±20V 8000 pF @ 15 V - 3W (Ta), 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Total 36284 Record«Prev1... 6465666768697071...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь