TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
ISC16DP15LMATMA1

ISC16DP15LMATMA1

TRENCH >=100V

Infineon Technologies

4,388 -
ISC16DP15LMATMA1

Технический лист

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRF840ASPBF

IRF840ASPBF

MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK

Vishay Siliconix

1,045 -
IRF840ASPBF

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 8A (Tc) 10V 850mOhm @ 4.8A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±30V 1018 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
STFW2N105K5

STFW2N105K5

MOSFET N-CH 1050V 2A ISOWATT

STMicroelectronics

532 -
STFW2N105K5

Технический лист

SuperMESH5™ TO-3P-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1050 V 2A (Tc) 10V 8Ohm @ 750mA, 10V 5V @ 100µA 10 nC @ 10 V 30V 115 pF @ 100 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
STP110N10F7

STP110N10F7

MOSFET N CH 100V 110A TO-220

STMicroelectronics

156 -
STP110N10F7

Технический лист

DeepGATE™, STripFET™ VII TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 110A (Tc) 10V 7mOhm @ 55A, 10V 4V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±20V 5500 pF @ 50 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
RRH140P03GZETB

RRH140P03GZETB

MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP

Rohm Semiconductor

1,452 -
RRH140P03GZETB

Технический лист

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Not For New Designs P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 14A (Ta) 4V, 10V 7mOhm @ 14A, 10V 2.5V @ 1mA 150 nC @ 10 V ±20V 8000 pF @ 10 V - 650mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
IRFBG30PBF-BE3

IRFBG30PBF-BE3

MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB

Vishay Siliconix

1,362 -
IRFBG30PBF-BE3

Технический лист

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 3.1A (Tc) 10V 5Ohm @ 1.9A, 10V 4V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±20V 980 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
FDPF44N25T

FDPF44N25T

MOSFET N-CH 250V 44A TO220F

onsemi

670 -
FDPF44N25T

Технический лист

UniFET™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 44A (Tc) 10V 69mOhm @ 22A, 10V 5V @ 250µA 61 nC @ 10 V ±30V 2870 pF @ 25 V - 38W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
STFH24N60M2

STFH24N60M2

MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP

STMicroelectronics

661 -
STFH24N60M2

Технический лист

MDmesh™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 18A (Tc) 10V 190mOhm @ 9A, 10V 4V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±25V 1060 pF @ 100 V - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
SPA11N65C3XKSA1

SPA11N65C3XKSA1

MOSFET N-CH 650V 11A TO220-FP

Infineon Technologies

611 -
SPA11N65C3XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11A (Tc) 10V 380mOhm @ 7A, 10V 3.9V @ 500µA 60 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-31
RSJ451N04FRATL

RSJ451N04FRATL

MOSFET N-CH 40V 45A LPTS

Rohm Semiconductor

529 -
RSJ451N04FRATL

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 45A (Tc) 10V 13.5mOhm @ 25A, 10V 3V @ 1mA 43 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 50W (Tc) 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LPTS
IPB015N06NF2SATMA1

IPB015N06NF2SATMA1

TRENCH 40<-<100V

Infineon Technologies

654 -
IPB015N06NF2SATMA1

Технический лист

StrongIRFET™2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 37A (Ta), 195A (Tc) 6V, 10V 1.5mOhm @ 100A, 10V 3.3V @ 186µA 233 nC @ 10 V ±20V 10500 pF @ 30 V - 3.8W (Ta), 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
RJ1L08CGNTLL

RJ1L08CGNTLL

MOSFET N-CH 60V 80A LPTL

Rohm Semiconductor

2,478 -
RJ1L08CGNTLL

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 7.7mOhm @ 80A, 10V 2.5V @ 50µA 55 nC @ 10 V ±20V 2600 pF @ 30 V - 96W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LPTL
IPD60R170CFD7ATMA1

IPD60R170CFD7ATMA1

MOSFET N-CH 600V 14A TO252-3

Infineon Technologies

105 -
IPD60R170CFD7ATMA1

Технический лист

CoolMOS™ CFD7 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 14A (Tc) 10V 170mOhm @ 6A, 10V 4.5V @ 300µA 28 nC @ 10 V ±20V 1199 pF @ 400 V - 76W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
FDD3670

FDD3670

MOSFET N-CH 100V 34A TO252

onsemi

1,789 -
FDD3670

Технический лист

PowerTrench® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 34A (Ta) 6V, 10V 32mOhm @ 7.3A, 10V 4V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±20V 2490 pF @ 50 V - 3.8W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
IXTA08N50D2

IXTA08N50D2

MOSFET N-CH 500V 800MA TO263

Littelfuse Inc.

503 -
IXTA08N50D2

Технический лист

Depletion TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel, Depletion Mode MOSFET (Metal Oxide) 500 V 800mA (Tc) - 4.6Ohm @ 400mA, 0V - 12.7 nC @ 5 V ±20V 312 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA
FDP150N10

FDP150N10

MOSFET N-CH 100V 57A TO220-3

onsemi

476 -
FDP150N10

Технический лист

PowerTrench® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 57A (Tc) 10V 15mOhm @ 49A, 10V 4.5V @ 250µA 69 nC @ 10 V ±20V 4760 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
STL210N4LF7AG

STL210N4LF7AG

MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT

STMicroelectronics

3,681 -
STL210N4LF7AG

Технический лист

STripFET™ F7 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 4.5V, 10V 1.6mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 56 nC @ 10 V ±20V 4210 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
STP140NF55

STP140NF55

MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB

STMicroelectronics

1,000 -
STP140NF55

Технический лист

STripFET™ II TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 10V 8mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 142 nC @ 10 V ±20V 5300 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
PSMN1R3-30YL,115

PSMN1R3-30YL,115

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56

Nexperia USA Inc.

11,543 -
PSMN1R3-30YL,115

Технический лист

- SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 1.3mOhm @ 15A, 10V 2.15V @ 1mA 100 nC @ 10 V ±20V 6227 pF @ 12 V - 121W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56; Power-SO8
IRF9Z30PBF

IRF9Z30PBF

MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB

Vishay Siliconix

937 -
IRF9Z30PBF

Технический лист

- TO-220-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 18A (Tc) 10V 140mOhm @ 9.3A, 10V 4V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±20V 900 pF @ 25 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
Total 36284 Record«Prev1... 6768697071727374...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь