TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
TPW4R008NH,L1Q

TPW4R008NH,L1Q

MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP

Toshiba Semiconductor and Storage

4,550 -
TPW4R008NH,L1Q

Технический лист

U-MOSVIII-H 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 116A (Tc) 10V 4mOhm @ 50A, 10V 4V @ 1mA 59 nC @ 10 V ±20V 5300 pF @ 40 V - 800mW (Ta), 142W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DSOP Advance
RJK0654DPB-00#J5

RJK0654DPB-00#J5

MOSFET N-CH 60V 30A LFPAK

Renesas Electronics Corporation

4,239 -
RJK0654DPB-00#J5

Технический лист

- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 30A (Ta) 10V 8.3mOhm @ 15A, 10V - 27 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 10 V - 55W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK
2SJ687-ZK-E1-AY

2SJ687-ZK-E1-AY

MOSFET P-CH 20V 20A TO252

Renesas Electronics Corporation

3,791 -
2SJ687-ZK-E1-AY

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 20A (Tc) 2.5V, 4.5V 7mOhm @ 10A, 4.5V - 57 nC @ 4.5 V ±12V 4400 pF @ 10 V - 1W (Ta), 36W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (MP-3ZK)
STB6NK60ZT4

STB6NK60ZT4

MOSFET N-CH 600V 6A D2PAK

STMicroelectronics

914 -
STB6NK60ZT4

Технический лист

SuperMESH™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 3A, 10V 4.5V @ 100µA 46 nC @ 10 V ±30V 905 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
TK100S04N1L,LQ

TK100S04N1L,LQ

MOSFET N-CH 40V 100A DPAK

Toshiba Semiconductor and Storage

2,842 -
TK100S04N1L,LQ

Технический лист

U-MOSVIII-H TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Ta) 4.5V, 10V 2.3mOhm @ 50A, 10V 2.5V @ 500µA 76 nC @ 10 V ±20V 5490 pF @ 10 V - 100W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK+
IPP60R299CPXKSA1

IPP60R299CPXKSA1

MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3

Infineon Technologies

782 -
IPP60R299CPXKSA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11A (Tc) 10V 299mOhm @ 6.6A, 10V 3.5V @ 440µA 29 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 100 V - 96W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
SIHB23N60E-GE3

SIHB23N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK

Vishay Siliconix

200 -
SIHB23N60E-GE3

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 23A (Tc) 10V 158mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±30V 2418 pF @ 100 V - 227W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
STL18N65M2

STL18N65M2

MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT HV

STMicroelectronics

2,842 -
STL18N65M2

Технический лист

MDmesh™ M2 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 8A (Tc) 10V 365mOhm @ 4A, 10V 4V @ 250µA 21.5 nC @ 10 V ±25V 764 pF @ 100 V - 57W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (5x6) HV
SIHB20N50E-GE3

SIHB20N50E-GE3

MOSFET N-CH 500V 19A D2PAK

Vishay Siliconix

2,422 -
SIHB20N50E-GE3

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 19A (Tc) 10V 184mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 92 nC @ 10 V ±30V 1640 pF @ 100 V - 179W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
STF13NK50Z

STF13NK50Z

MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP

STMicroelectronics

1,745 -
STF13NK50Z

Технический лист

SuperMESH™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 11A (Tc) 10V 480mOhm @ 6.5A, 10V 4.5V @ 100µA 47 nC @ 10 V ±30V 1600 pF @ 25 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
IPP60R180C7XKSA1

IPP60R180C7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3

Infineon Technologies

445 -
IPP60R180C7XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ C7 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13A (Tc) 10V 180mOhm @ 5.3A, 10V 4V @ 260µA 24 nC @ 10 V ±20V 1080 pF @ 400 V - 68W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
IPP65R190CFD7XKSA1

IPP65R190CFD7XKSA1

HIGH POWER_NEW

Infineon Technologies

930 -
IPP65R190CFD7XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ CFD7 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 17.5A (Tc) 10V 190mOhm @ 7.3A, 10V 4.5V @ 700µA 68 nC @ 10 V ±20V 1850 pF @ 100 V - 151W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
SUM90220E-GE3

SUM90220E-GE3

MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK

Vishay Siliconix

730 -
SUM90220E-GE3

Технический лист

ThunderFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 64A (Tc) 7.5V, 10V 21.6mOhm @ 15A, 10V 4V @ 250µA 48 nC @ 10 V ±20V 1950 pF @ 100 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
STF5N105K5

STF5N105K5

MOSFET N-CH 1050V 3A TO220

STMicroelectronics

651 -
STF5N105K5

Технический лист

MDmesh™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1050 V 3A (Tc) 10V 3.5Ohm @ 1.5A, 10V 5V @ 100µA 12.5 nC @ 10 V ±30V 210 pF @ 100 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
IQE013N04LM6SCATMA1

IQE013N04LM6SCATMA1

OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET

Infineon Technologies

11,529 -
IQE013N04LM6SCATMA1

Технический лист

OptiMOS™ 6 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 31A (Ta), 205A (Tc) 4.5V, 10V 1.35mOhm @ 20A, 10V 2V @ 51µA 41 nC @ 10 V ±20V 3800 pF @ 20 V - 2.5W (Ta), 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-WHSON-8-1
IRFI9640GPBF

IRFI9640GPBF

MOSFET P-CH 200V 6.1A TO220-3

Vishay Siliconix

1,898 -

-

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 6.1A (Tc) 10V 500mOhm @ 3.7A, 10V 4V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
SIHB15N80AE-GE3

SIHB15N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 13A D2PAK

Vishay Siliconix

1,065 -
SIHB15N80AE-GE3

Технический лист

E TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 13A (Tc) 10V 350mOhm @ 7.5A, 10V 4V @ 250µA 53 nC @ 10 V ±30V 1093 pF @ 100 V - 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
NTTFS022N15MC

NTTFS022N15MC

POWER MOSFET, N CHANNEL, 150V, 3

onsemi

3,940 -
NTTFS022N15MC

Технический лист

PowerTrench® 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 7.4A (Ta), 37.2A (Tc) 8V, 10V 22mOhm @ 18A, 10V 4.5V @ 100µA 17 nC @ 10 V ±20V 1315 pF @ 75 V - 1.2W (Ta), 71.4W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3)
STP18NM60N

STP18NM60N

MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB

STMicroelectronics

138 -
STP18NM60N

Технический лист

MDmesh™ II TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13A (Tc) 10V 285mOhm @ 6.5A, 10V 4V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±25V 1000 pF @ 50 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
HUF75345P3

HUF75345P3

MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3

onsemi

5,097 -
HUF75345P3

Технический лист

UltraFET™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 10V 7mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 275 nC @ 20 V ±20V 4000 pF @ 25 V - 325W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
Total 36284 Record«Prev1... 6970717273747576...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь