TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
NTBS9D0N10MC

NTBS9D0N10MC

MOSFET N-CH 100V 14A/60A TO263

onsemi

961 -
NTBS9D0N10MC

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 14A (Ta), 60A (Tc) 6V, 10V 9mOhm @ 23A, 10V 4V @ 131µA 23 nC @ 10 V ±20V 1695 pF @ 50 V - 3.8W (Ta), 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
SIHP24N80AEF-GE3

SIHP24N80AEF-GE3

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST

Vishay Siliconix

873 -
SIHP24N80AEF-GE3

Технический лист

EF TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 20A (Tc) 10V 195mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 90 nC @ 10 V ±30V 1889 pF @ 100 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
SIHF12N60E-GE3

SIHF12N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 12A TO220

Vishay Siliconix

703 -
SIHF12N60E-GE3

Технический лист

E TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V 380mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 58 nC @ 10 V ±30V 937 pF @ 100 V - 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
AOTF160A60L

AOTF160A60L

MOSFET N-CH 600V 24A TO220F

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

585 -
AOTF160A60L

Технический лист

aMOS5™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 24A (Tj) 10V 160mOhm @ 12A, 10V 3.6V @ 250µA 46 nC @ 10 V ±20V 2340 pF @ 100 V - 34.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
IPA95R450P7XKSA1

IPA95R450P7XKSA1

MOSFET N-CH 950V 14A TO220

Infineon Technologies

442 -
IPA95R450P7XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ P7 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 950 V 14A (Tc) 10V 450mOhm @ 7.2A, 10V 3.5V @ 360µA 35 nC @ 10 V ±20V 1053 pF @ 400 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
CSD18510KTTT

CSD18510KTTT

MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK

Texas Instruments

308 -
CSD18510KTTT

Технический лист

NexFET™ TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 274A (Tc) 4.5V, 10V 2.6mOhm @ 100A, 10V 2.3V @ 250µA 132 nC @ 10 V ±20V 11400 pF @ 15 V - 250W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (DDPAK-3)
IPB70N10S3L12ATMA1

IPB70N10S3L12ATMA1

MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3

Infineon Technologies

19,864 -
IPB70N10S3L12ATMA1

Технический лист

OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 70A (Tc) 4.5V, 10V 11.8mOhm @ 70A, 10V 2.4V @ 83µA 80 nC @ 10 V ±20V 5550 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
SIDR626DP-T1-GE3

SIDR626DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 42.8A/100A PPAK

Vishay Siliconix

8,872 -
SIDR626DP-T1-GE3

Технический лист

TrenchFET® Gen IV PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 42.8A (Ta), 100A (Tc) 6V, 10V 1.7mOhm @ 20A, 10V 3.4V @ 250µA 102 nC @ 10 V ±20V 5130 pF @ 30 V - 6.25W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
IRF6646TRPBF

IRF6646TRPBF

MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET

Infineon Technologies

2,526 -
IRF6646TRPBF

Технический лист

HEXFET® DirectFET™ Isometric MN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 12A (Ta), 68A (Tc) 10V 9.5mOhm @ 12A, 10V 4.9V @ 150µA 50 nC @ 10 V ±20V 2060 pF @ 25 V - 2.8W (Ta), 89W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ MN
BSC080N12LSGATMA1

BSC080N12LSGATMA1

TRENCH >=100V PG-TDSON-8

Infineon Technologies

2,047 -
BSC080N12LSGATMA1

Технический лист

OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120 V 12A (Ta), 99A (Tc) 4.5V, 10V 8mOhm @ 50A, 10V 2.4V @ 112µA 79 nC @ 10 V ±20V 7400 pF @ 60 V - 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8
IRF840STRLPBF

IRF840STRLPBF

MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK

Vishay Siliconix

1,368 -
IRF840STRLPBF

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 8A (Tc) 10V 850mOhm @ 4.8A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
NVMFS5C645NLWFAFT1G

NVMFS5C645NLWFAFT1G

MOSFET N-CH 60V 22A 5DFN

onsemi

1,019 -
NVMFS5C645NLWFAFT1G

Технический лист

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 22A (Ta) 4.5V, 10V 4mOhm @ 50A, 10V 2V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±20V 2200 pF @ 50 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
IPP024N08NF2SAKMA1

IPP024N08NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V

Infineon Technologies

234 -
IPP024N08NF2SAKMA1

Технический лист

StrongIRFET™ 2 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 28A (Ta), 182A (Tc) 6V, 10V 2.4mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 139µA 133 nC @ 10 V ±20V 6200 pF @ 40 V - 3.8W (Ta), 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
MSJPF20N65A-BP

MSJPF20N65A-BP

N-CHANNEL MOSFET,TO-220F

Micro Commercial Co

4,582 -
MSJPF20N65A-BP

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20A 10V 180mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 56 nC @ 10 V ±30V 1807 pF @ 25 V - 34W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
IPW60R280P6FKSA1

IPW60R280P6FKSA1

MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3

Infineon Technologies

192 -
IPW60R280P6FKSA1

Технический лист

CoolMOS™ P6 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13.8A (Tc) 10V 280mOhm @ 5.2A, 10V 4.5V @ 430µA 25.5 nC @ 10 V ±20V 1190 pF @ 100 V - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3
IRFI630GPBF

IRFI630GPBF

MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3

Vishay Siliconix

1,615 -
IRFI630GPBF

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 5.9A (Tc) 10V 400mOhm @ 3.5A, 10V 4V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±20V 800 pF @ 25 V - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
STW6N95K5

STW6N95K5

MOSFET N-CH 950V 9A TO247-3

STMicroelectronics

858 -
STW6N95K5

Технический лист

SuperMESH5™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 950 V 9A (Tc) 10V 1.25Ohm @ 3A, 10V 5V @ 100µA 13 nC @ 10 V ±30V 450 pF @ 100 V - 90W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IRFBF30PBF

IRFBF30PBF

MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB

Vishay Siliconix

637 -
IRFBF30PBF

Технический лист

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 3.6A (Tc) 10V 3.7Ohm @ 2.2A, 10V 4V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
STW7N90K5

STW7N90K5

MOSFET N-CH 900V 7A TO247-3

STMicroelectronics

553 -
STW7N90K5

Технический лист

MDmesh™ K5 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 7A (Tc) 10V - 5V @ 100µA - ±30V - - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IRLZ44PBF-BE3

IRLZ44PBF-BE3

MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB

Vishay Siliconix

542 -
IRLZ44PBF-BE3

Технический лист

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 50A (Tc) - 28mOhm @ 31A, 5V 2V @ 250µA 66 nC @ 5 V ±10V 3300 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
Total 36284 Record«Prev1... 7172737475767778...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь