TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
IPA60R160P7XKSA1

IPA60R160P7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 20A TO220

Infineon Technologies

154 -
IPA60R160P7XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ P7 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 160mOhm @ 6.3A, 10V 4V @ 350µA 31 nC @ 10 V ±20V 1317 pF @ 400 V - 26W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220 Full Pack
SIHB17N80AE-GE3

SIHB17N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK

Vishay Siliconix

983 -
SIHB17N80AE-GE3

Технический лист

E TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 15A (Tc) 10V 290mOhm @ 8.5A, 10V 4V @ 250µA 62 nC @ 10 V ±30V 1260 pF @ 100 V - 179W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IPB70N10S312ATMA1

IPB70N10S312ATMA1

MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3

Infineon Technologies

459 -
IPB70N10S312ATMA1

Технический лист

OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 70A (Tc) 10V 11.3mOhm @ 70A, 10V 4V @ 83µA 66 nC @ 10 V ±20V 4355 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
IXTA1R4N100P

IXTA1R4N100P

MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO263

Littelfuse Inc.

112 -
IXTA1R4N100P

Технический лист

Polar TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 1.4A (Tc) 10V 11Ohm @ 500mA, 10V 4.5V @ 50µA 17.8 nC @ 10 V ±20V 450 pF @ 25 V - 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA
AUIRF540Z

AUIRF540Z

MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB

Infineon Technologies

2,814 -
AUIRF540Z

Технический лист

HEXFET® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 36A (Tc) 10V 26.5mOhm @ 22A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1770 pF @ 25 V - 92W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
TK10P60W,RVQ

TK10P60W,RVQ

MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK

Toshiba Semiconductor and Storage

2,496 -
TK10P60W,RVQ

Технический лист

DTMOSIV TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9.7A (Ta) 10V 430mOhm @ 4.9A, 10V 3.7V @ 500µA 20 nC @ 10 V ±30V 700 pF @ 300 V - 80W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
STP24N60M2

STP24N60M2

MOSFET N-CH 600V 18A TO220

STMicroelectronics

1,003 -
STP24N60M2

Технический лист

MDmesh™ II Plus TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 18A (Tc) 10V 190mOhm @ 9A, 10V 4V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±25V 1060 pF @ 100 V - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
STF18NM60N

STF18NM60N

MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP

STMicroelectronics

914 -
STF18NM60N

Технический лист

MDmesh™ II TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13A (Tc) 10V 285mOhm @ 6.5A, 10V 4V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±25V 1000 pF @ 50 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
IPA60R170CFD7XKSA1

IPA60R170CFD7XKSA1

MOSFET N-CH 650V 8A TO220

Infineon Technologies

212 -
IPA60R170CFD7XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ CFD7 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 8A (Tc) 10V 170mOhm @ 6A, 10V 4.5V @ 300µA 28 nC @ 10 V ±20V 1199 pF @ 400 V - 26W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
IPP60R170CFD7XKSA1

IPP60R170CFD7XKSA1

MOSFET N-CH 650V 14A TO220-3

Infineon Technologies

117 -
IPP60R170CFD7XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ CFD7 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 14A (Tc) 10V 170mOhm @ 6A, 10V 4.5V @ 300µA 28 nC @ 10 V ±20V 1199 pF @ 400 V - 75W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
SIHB12N65E-GE3

SIHB12N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

Vishay Siliconix

875 -
SIHB12N65E-GE3

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 12A (Tc) 10V 380mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±30V 1224 pF @ 100 V - 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
FDMS3672

FDMS3672

MOSFET N-CH 100V 7.4A/22A 8MLP

onsemi

10,459 -
FDMS3672

Технический лист

UltraFET™ 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 7.4A (Ta), 22A (Tc) 6V, 10V 23mOhm @ 7.4A, 10V 4V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V 2680 pF @ 50 V - 2.5W (Ta), 78W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-MLP (5x6), Power56
SIHP20N50E-GE3

SIHP20N50E-GE3

MOSFET N-CH 500V 19A TO220AB

Vishay Siliconix

848 -
SIHP20N50E-GE3

Технический лист

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 19A (Tc) 10V 184mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 92 nC @ 10 V ±30V 1640 pF @ 100 V - 179W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
TSM9ND50CI

TSM9ND50CI

MOSFET N-CH 500V 9A ITO220

Taiwan Semiconductor Corporation

3,869 -
TSM9ND50CI

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 9A (Tc) 10V 900mOhm @ 2.3A, 10V 3.8V @ 250µA 24.5 nC @ 10 V ±30V 1116 pF @ 50 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220
IRF9540STRLPBF

IRF9540STRLPBF

MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK

Vishay Siliconix

2,592 -
IRF9540STRLPBF

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 19A (Tc) 10V 200mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 61 nC @ 10 V ±20V 1400 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
RD3S100AAFRATL

RD3S100AAFRATL

MOSFET N-CH 190V 10A TO252

Rohm Semiconductor

1,743 -
RD3S100AAFRATL

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 190 V 10A (Tc) 4V, 10V 182mOhm @ 5A, 10V 2.5V @ 1mA 52 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 25 V - 85W (Tc) 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252
SIHA20N50E-GE3

SIHA20N50E-GE3

N-CHANNEL 500V

Vishay Siliconix

1,048 -
SIHA20N50E-GE3

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 19A (Tc) 10V 184mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 92 nC @ 10 V ±30V 1640 pF @ 100 V - 34W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
STW24N60M2

STW24N60M2

MOSFET N-CH 600V 18A TO247

STMicroelectronics

468 -
STW24N60M2

Технический лист

MDmesh™ II Plus TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 18A (Tc) 10V 190mOhm @ 9A, 10V 4V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±25V 1060 pF @ 100 V - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
TPH4R008NH,L1Q

TPH4R008NH,L1Q

MOSFET N-CH 80V 60A 8SOP

Toshiba Semiconductor and Storage

12,067 -
TPH4R008NH,L1Q

Технический лист

U-MOSVIII-H 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 60A (Tc) 10V 4mOhm @ 30A, 10V 4V @ 1mA 59 nC @ 10 V ±20V 5300 pF @ 40 V - 1.6W (Ta), 78W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
IRFZ48RSPBF

IRFZ48RSPBF

MOSFET N-CH 60V 50A TO263

Vishay Siliconix

6,474 -
IRFZ48RSPBF

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 50A (Tc) 10V 18mOhm @ 43A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Total 36284 Record«Prev1... 7273747576777879...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь