TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
FCI7N60

FCI7N60

MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK

onsemi

2,943 -
FCI7N60

Технический лист

SuperFET™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7A (Tc) 10V 600mOhm @ 3.5A, 10V 5V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±30V 920 pF @ 25 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262 (I2PAK)
IPL65R195C7AUMA1

IPL65R195C7AUMA1

MOSFET N-CH 650V 12A 4VSON

Infineon Technologies

1,137 -
IPL65R195C7AUMA1

Технический лист

CoolMOS™ C7 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 12A (Tc) 10V 195mOhm @ 2.9A, 10V 4V @ 290µA 23 nC @ 10 V ±20V 1150 pF @ 400 V - 75W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
NVMFS5C628NLAFT1G

NVMFS5C628NLAFT1G

MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN

onsemi

1,064 -
NVMFS5C628NLAFT1G

Технический лист

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 28A (Ta), 150A (Tc) 4.5V, 10V 2.4mOhm @ 50A, 10V 2V @ 135µA 52 nC @ 10 V ±20V 3600 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
SIDR622DP-T1-GE3

SIDR622DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 64.6A PPAK

Vishay Siliconix

5,894 -
SIDR622DP-T1-GE3

Технический лист

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 56.7A (Tc) 7.5V, 10V 17.7mOhm @ 20A, 10V 4.5V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±20V 1516 pF @ 75 V - 6.25W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
STF20N65M5

STF20N65M5

MOSFET N-CH 650V 18A TO220FP

STMicroelectronics

2,192 -
STF20N65M5

Технический лист

MDmesh™ V TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 18A (Tc) 10V 190mOhm @ 9A, 10V 5V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±25V 1345 pF @ 100 V - 30W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
IPP019N08NF2SAKMA1

IPP019N08NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V

Infineon Technologies

896 -
IPP019N08NF2SAKMA1

Технический лист

StrongIRFET™ 2 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 32A (Ta), 191A (Tc) 6V, 10V 1.9mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 194µA 186 nC @ 10 V ±20V 8700 pF @ 40 V - 3.8W (Ta), 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
NDP6060

NDP6060

MOSFET N-CH 60V 48A TO220-3

onsemi

647 -
NDP6060

Технический лист

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 48A (Tc) 10V 25mOhm @ 24A, 10V 4V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V 1800 pF @ 25 V - 100W (Tc) -65°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
NTP165N65S3H

NTP165N65S3H

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

onsemi

644 -
NTP165N65S3H

Технический лист

SuperFET® III TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 19A (Tc) 10V 165mOhm @ 9.5A, 10V 4V @ 1.6mA 35 nC @ 10 V ±30V 1808 pF @ 400 V - 142W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
STW18N60M2

STW18N60M2

MOSFET N-CH 600V 13A TO247

STMicroelectronics

417 -
STW18N60M2

Технический лист

MDmesh™ II Plus TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13A (Tc) 10V 280mOhm @ 6.5A, 10V 4V @ 250µA 21.5 nC @ 10 V ±25V 791 pF @ 100 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
FDP032N08B-F102

FDP032N08B-F102

MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3

onsemi

343 -
FDP032N08B-F102

Технический лист

PowerTrench® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 120A (Tc) 10V 3.3mOhm @ 100A, 10V 4.5V @ 250µA 144 nC @ 10 V ±20V 10965 pF @ 40 V - 263W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
AOB66811L

AOB66811L

FET N CHANNEL 80V

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

51,691 -
AOB66811L

Технический лист

AlphaSGT2™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 44A (Ta), 140A (Tc) 8V, 10V 2.7mOhm @ 20A, 10V 3.8V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 5750 pF @ 40 V - 10W (Ta), 310W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
SI7370DP-T1-GE3

SI7370DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

1,854 -
SI7370DP-T1-GE3

Технический лист

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 9.6A (Ta) 10V 11mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 57 nC @ 10 V ±20V - - 1.9W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
SQM110N05-06L_GE3

SQM110N05-06L_GE3

MOSFET N-CH 55V 110A TO263

Vishay Siliconix

1,115 -
SQM110N05-06L_GE3

Технический лист

TrenchFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 110A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 4440 pF @ 25 V - 157W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IPB80N06S2L06ATMA2

IPB80N06S2L06ATMA2

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Infineon Technologies

891 -
IPB80N06S2L06ATMA2

Технический лист

OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 69A, 10V 2V @ 180µA 150 nC @ 10 V ±20V 3800 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
CSD17556Q5BT

CSD17556Q5BT

MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON

Texas Instruments

632 -
CSD17556Q5BT

Технический лист

NexFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 100A (Ta) 4.5V, 10V 1.4mOhm @ 40A, 10V 1.65V @ 250µA 39 nC @ 4.5 V ±20V 7020 pF @ 15 V - 3.1W (Ta), 191W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
FDMC7570S

FDMC7570S

MOSFET N-CH 25V 27A/40A POWER33

onsemi

533 -
FDMC7570S

Технический лист

PowerTrench®, SyncFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 27A (Ta), 40A (Tc) 4.5V, 10V 2mOhm @ 27A, 10V 3V @ 1mA 68 nC @ 10 V ±20V 4410 pF @ 13 V - 2.3W (Ta), 59W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Power33
STL25N60M2-EP

STL25N60M2-EP

MOSFET N-CH 600V 16A PWRFLAT HV

STMicroelectronics

2,947 -
STL25N60M2-EP

Технический лист

MDmesh™ M2-EP 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 16A (Tc) 10V 205mOhm @ 8A, 10V 4.75V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±25V 1090 pF @ 100 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
STU7N105K5

STU7N105K5

MOSFET N-CH 1050V 4A IPAK

STMicroelectronics

1,303 -
STU7N105K5

Технический лист

SuperMESH5™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1050 V 4A (Tc) 10V 2Ohm @ 2A, 10V 5V @ 100µA 17 nC @ 10 V ±30V 380 pF @ 100 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251)
STP18N55M5

STP18N55M5

MOSFET N-CH 550V 16A TO220AB

STMicroelectronics

849 -
STP18N55M5

Технический лист

MDmesh™ V TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 550 V 16A (Tc) 10V 192mOhm @ 8A, 10V 5V @ 250µA 31 nC @ 10 V ±25V 1260 pF @ 100 V - 110W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
IRFI9Z34GPBF

IRFI9Z34GPBF

MOSFET P-CH 60V 12A TO220-3

Vishay Siliconix

254 -
IRFI9Z34GPBF

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 12A (Tc) 10V 140mOhm @ 7.2A, 10V 4V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 25 V - 42W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
Total 36284 Record«Prev1... 7475767778798081...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь