TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
IPL60R125P7AUMA1

IPL60R125P7AUMA1

MOSFET N-CH 600V 27A 4VSON

Infineon Technologies

5,365 -
IPL60R125P7AUMA1

Технический лист

CoolMOS™ P7 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 27A (Tc) 10V 125mOhm @ 8.2A, 10V 4V @ 410µA 36 nC @ 10 V ±20V 1544 pF @ 400 V - 111W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
IRF3808STRLPBF

IRF3808STRLPBF

MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK

Infineon Technologies

2,847 -
IRF3808STRLPBF

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 106A (Tc) 10V 7mOhm @ 82A, 10V 4V @ 250µA 220 nC @ 10 V ±20V 5310 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
STB75NF75T4

STB75NF75T4

MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK

STMicroelectronics

1,869 -
STB75NF75T4

Технический лист

STripFET™ II TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 80A (Tc) 10V 11mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 160 nC @ 10 V ±20V 3700 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
STB150NF55T4

STB150NF55T4

MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK

STMicroelectronics

1,632 -
STB150NF55T4

Технический лист

STripFET™ II TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 120A (Tc) 10V 6mOhm @ 60A, 10V 4V @ 250µA 190 nC @ 10 V ±20V 4400 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF1405ZPBF

IRF1405ZPBF

MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

Infineon Technologies

1,473 -
IRF1405ZPBF

Технический лист

HEXFET® TO-220-3 Tube Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 10V 4.9mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 180 nC @ 10 V ±20V 4780 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
STP28N65M2

STP28N65M2

MOSFET N-CH 650V 20A TO220

STMicroelectronics

948 -
STP28N65M2

Технический лист

MDmesh™ M2 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20A (Tc) 10V 180mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±25V 1440 pF @ 100 V - 170W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
STP100NF04

STP100NF04

MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB

STMicroelectronics

466 -
STP100NF04

Технический лист

STripFET™ II TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 10V 4.6mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V 5100 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220
NTP011N15MC

NTP011N15MC

MOSFET N-CH 150V 9.8/74.3A TO220

onsemi

237 -
NTP011N15MC

Технический лист

PowerTrench® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 9.8A (Ta), 74.3A (Tc) - 10.9mOhm @ 41A, 10V 4.5V @ 223µA 37 nC @ 10 V ±20V 2810 pF @ 75 V - 2.4W (Ta), 136.4W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
IXTP28P065T

IXTP28P065T

MOSFET P-CH 65V 28A TO220AB

Littelfuse Inc.

140 -
IXTP28P065T

Технический лист

TrenchP™ TO-220-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 65 V 28A (Tc) 10V 45mOhm @ 14A, 10V 4.5V @ 250µA 46 nC @ 10 V ±15V 2030 pF @ 25 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
STP7N105K5

STP7N105K5

MOSFET N-CH 1050V 4A TO220

STMicroelectronics

1,041 -
STP7N105K5

Технический лист

SuperMESH5™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1050 V 4A (Tc) 10V 2Ohm @ 2A, 10V 5V @ 100µA 17 nC @ 10 V ±30V 380 pF @ 100 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
STF7N105K5

STF7N105K5

MOSFET N-CH 1050V 4A TO220FP

STMicroelectronics

970 -
STF7N105K5

Технический лист

SuperMESH5™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1050 V 4A (Tc) 10V 2Ohm @ 2A, 10V 5V @ 100µA 17 nC @ 10 V ±30V 380 pF @ 100 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
IPP80R280P7XKSA1

IPP80R280P7XKSA1

MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3

Infineon Technologies

466 -
IPP80R280P7XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 17A (Tc) 10V 280mOhm @ 7.2A, 10V 3.5V @ 360µA 36 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 500 V - 101W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
IPA80R280P7XKSA1

IPA80R280P7XKSA1

MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3F

Infineon Technologies

299 -
IPA80R280P7XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 17A (Tc) 10V 280mOhm @ 7.2A, 10V 3.5V @ 360µA 36 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 500 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-31
IPP076N12N3GXKSA1

IPP076N12N3GXKSA1

MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3

Infineon Technologies

194 -
IPP076N12N3GXKSA1

Технический лист

OptiMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120 V 100A (Tc) 10V 7.6mOhm @ 100A, 10V 4V @ 130µA 101 nC @ 10 V ±20V 6640 pF @ 60 V - 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
IPB019N08NF2SATMA1

IPB019N08NF2SATMA1

TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3

Infineon Technologies

161 -
IPB019N08NF2SATMA1

Технический лист

StrongIRFET™ 2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 166A (Tc) 6V, 10V 1.95mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 194µA 186 nC @ 10 V ±20V 8700 pF @ 40 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
FDMC010N08C

FDMC010N08C

MOSFET N-CH 80V 11A/51A POWER33

onsemi

5,400 -
FDMC010N08C

Технический лист

PowerTrench® 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 11A (Ta), 51A (Tc) 6V, 10V 10mOhm @ 16A, 10V 4V @ 90µA 22 nC @ 10 V ±20V 1500 pF @ 40 V - 2.4W (Ta), 52W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Power33
AONS66612

AONS66612

MOSFET N-CH 60V 46A/100A 8DFN

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

4,271 -
AONS66612

Технический лист

AlphaSGT™ 8-PowerSMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 46A (Ta), 100A (Tc) 6V, 10V 1.65mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 5300 pF @ 30 V - 6.2W (Ta), 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN (5x6)
STF10N80K5

STF10N80K5

MOSFET N-CH 800V 9A TO220FP

STMicroelectronics

795 -
STF10N80K5

Технический лист

MDmesh™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 9A (Tc) 10V 600mOhm @ 4.5A, 10V 5V @ 100µA 22 nC @ 10 V ±30V 635 pF @ 100 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
IRFI840GLCPBF

IRFI840GLCPBF

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3

Vishay Siliconix

102 -
IRFI840GLCPBF

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 4.5A (Tc) 10V 850mOhm @ 2.7A, 10V 4V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±30V 1100 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IPB60R120P7ATMA1

IPB60R120P7ATMA1

MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK

Infineon Technologies

2,896 -
IPB60R120P7ATMA1

Технический лист

CoolMOS™ P7 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 26A (Tc) 10V 120mOhm @ 8.2A, 10V 4V @ 410µA 36 nC @ 10 V ±20V 1544 pF @ 400 V - 95W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
Total 36284 Record«Prev1... 7778798081828384...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь