TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
PSMN7R6-100BSEJ

PSMN7R6-100BSEJ

MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

Nexperia USA Inc.

4,740 -
PSMN7R6-100BSEJ

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 75A (Tj) 10V 7.6mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 128 nC @ 10 V ±20V 7110 pF @ 50 V - 296W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
PSMNR82-30YLEX

PSMNR82-30YLEX

PSMNR82-30YLE/SOT669/LFPAK

Nexperia USA Inc.

1,217 -
PSMNR82-30YLEX

Технический лист

- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 330A (Tc) 7V, 10V 0.87mOhm @ 25A, 10V 2.2V @ 2mA 149 nC @ 10 V ±20V 10131 pF @ 15 V - 268W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
FCPF380N65FL1-F154

FCPF380N65FL1-F154

MOSFET N-CH 650V 10.2A TO220F-3

onsemi

955 -
FCPF380N65FL1-F154

Технический лист

FRFET®, SuperFET® II TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 10.2A (Tc) - 380mOhm @ 5.1A, 10V 5V @ 1mA 43 nC @ 10 V ±20V 1680 pF @ 100 V - 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
FDA16N50-F109

FDA16N50-F109

MOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PN

onsemi

738 -
FDA16N50-F109

Технический лист

UniFET™ TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 16.5A (Tc) 10V 380mOhm @ 8.3A, 10V 5V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±30V 1945 pF @ 25 V - 205W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PN
FDB120N10

FDB120N10

MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK

onsemi

433 -
FDB120N10

Технический лист

PowerTrench® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 74A (Tc) 10V 12mOhm @ 74A, 10V 4.5V @ 250µA 86 nC @ 10 V ±20V 5605 pF @ 25 V - 170W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRFS7430TRLPBF

IRFS7430TRLPBF

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

Infineon Technologies

376 -
IRFS7430TRLPBF

Технический лист

HEXFET®, StrongIRFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 195A (Tc) 6V, 10V 1.2mOhm @ 100A, 10V 3.9V @ 250µA 460 nC @ 10 V ±20V 14240 pF @ 25 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IXTP130N10T

IXTP130N10T

MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB

Littelfuse Inc.

194 -
IXTP130N10T

Технический лист

Trench TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 130A (Tc) 10V 9.1mOhm @ 25A, 10V 4.5V @ 250µA 104 nC @ 10 V ±30V 5080 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
STL24N60M2

STL24N60M2

MOSFET N-CH 600V 18A PWRFLAT HV

STMicroelectronics

36,434 -
STL24N60M2

Технический лист

MDmesh™ II Plus 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 18A (Tc) 10V 210mOhm @ 9A, 10V 4V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±25V 1060 pF @ 100 V - 125W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
IAUT200N08S5N023ATMA1

IAUT200N08S5N023ATMA1

MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF

Infineon Technologies

6,425 -
IAUT200N08S5N023ATMA1

Технический лист

OptiMOS™ 5 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 200A (Tc) 6V, 10V 2.3mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 130µA 110 nC @ 10 V ±20V 7670 pF @ 40 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-8-1
SQJQ480E-T1_GE3

SQJQ480E-T1_GE3

MOSFET N-CH 80V 150A PPAK 8 X 8

Vishay Siliconix

5,416 -
SQJQ480E-T1_GE3

Технический лист

TrenchFET® PowerPAK® 8 x 8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 150A (Tc) 10V 3mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 144 nC @ 10 V ±20V 8625 pF @ 25 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
IRF135S203

IRF135S203

MOSFET N-CH 135V 129A TO263-3

Infineon Technologies

759 -
IRF135S203

Технический лист

HEXFET®, StrongIRFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 135 V 129A (Tc) 10V 8.4mOhm @ 77A, 10V 4V @ 250µA 270 nC @ 10 V ±20V 9700 pF @ 50 V - 441W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
SIDR104AEP-T1-RE3

SIDR104AEP-T1-RE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE

Vishay Siliconix

8,048 -
SIDR104AEP-T1-RE3

Технический лист

TrenchFET® Gen IV PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 21.1A (Ta), 90.5A (Tc) 7.5V, 10V 6.1mOhm @ 15A, 10V 4V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V 3250 pF @ 50 V - 6.5W (Ta), 120W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
STF24N60DM2

STF24N60DM2

MOSFET N-CH 600V 18A TO220

STMicroelectronics

780 -
STF24N60DM2

Технический лист

FDmesh™ II Plus TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 18A (Tc) 10V 200mOhm @ 9A, 10V 5V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±25V 1055 pF @ 100 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
R6011ENX

R6011ENX

MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM

Rohm Semiconductor

476 -
R6011ENX

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Bulk Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 390mOhm @ 3.8A, 10V 4V @ 1mA 32 nC @ 10 V ±20V 670 pF @ 25 V - 40W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
STW7N105K5

STW7N105K5

MOSFET N-CH 1050V 4A TO247

STMicroelectronics

367 -
STW7N105K5

Технический лист

SuperMESH5™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1050 V 4A (Tc) 10V 2Ohm @ 2A, 10V 5V @ 100µA 17 nC @ 10 V ±30V 380 pF @ 100 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
SUM70040M-GE3

SUM70040M-GE3

MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7

Vishay Siliconix

1,290 -
SUM70040M-GE3

Технический лист

TrenchFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 7.5V, 10V 3.8mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 5100 pF @ 50 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
SUP70090E-GE3

SUP70090E-GE3

MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB

Vishay Siliconix

364 -
SUP70090E-GE3

Технический лист

ThunderFET® TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 50A (Tc) 7.5V, 10V 8.9mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±20V 1950 pF @ 50 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
SUP70040E-GE3

SUP70040E-GE3

MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

Vishay Siliconix

310 -
SUP70040E-GE3

Технический лист

TrenchFET® TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 7.5V, 10V 4mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 5100 pF @ 50 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
SUP50020EL-GE3

SUP50020EL-GE3

MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB

Vishay Siliconix

261 -
SUP50020EL-GE3

Технический лист

TrenchFET® TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120A (Tc) 4.5V, 10V 2.3mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 126 nC @ 10 V ±20V 11113 pF @ 30 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
STB10LN80K5

STB10LN80K5

MOSFET N-CHANNEL 800V 8A D2PAK

STMicroelectronics

890 -
STB10LN80K5

Технический лист

MDmesh™ K5 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 8A (Tc) 10V 630mOhm @ 4A, 10V 5V @ 100µA 15 nC @ 10 V ±30V 427 pF @ 100 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Total 36284 Record«Prev1... 7879808182838485...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь