TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
SUM70040M-GE3

SUM70040M-GE3

MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7

Vishay Siliconix

1,290 -
SUM70040M-GE3

Технический лист

TrenchFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 7.5V, 10V 3.8mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 5100 pF @ 50 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
SUP70090E-GE3

SUP70090E-GE3

MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB

Vishay Siliconix

364 -
SUP70090E-GE3

Технический лист

ThunderFET® TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 50A (Tc) 7.5V, 10V 8.9mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±20V 1950 pF @ 50 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
SUP70040E-GE3

SUP70040E-GE3

MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

Vishay Siliconix

310 -
SUP70040E-GE3

Технический лист

TrenchFET® TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 7.5V, 10V 4mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 5100 pF @ 50 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
SUP50020EL-GE3

SUP50020EL-GE3

MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB

Vishay Siliconix

261 -
SUP50020EL-GE3

Технический лист

TrenchFET® TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120A (Tc) 4.5V, 10V 2.3mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 126 nC @ 10 V ±20V 11113 pF @ 30 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
STB10LN80K5

STB10LN80K5

MOSFET N-CHANNEL 800V 8A D2PAK

STMicroelectronics

890 -
STB10LN80K5

Технический лист

MDmesh™ K5 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 8A (Tc) 10V 630mOhm @ 4A, 10V 5V @ 100µA 15 nC @ 10 V ±30V 427 pF @ 100 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IPI045N10N3GXKSA1

IPI045N10N3GXKSA1

MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

Infineon Technologies

844 -
IPI045N10N3GXKSA1

Технический лист

OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 100A (Tc) 6V, 10V 4.5mOhm @ 100A, 10V 3.5V @ 150µA 117 nC @ 10 V ±20V 8410 pF @ 50 V - 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
SUP70042E-GE3

SUP70042E-GE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET TO-

Vishay Siliconix

575 -
SUP70042E-GE3

Технический лист

TrenchFET® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 150A (Tc) 7.5V, 10V 4mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 6490 pF @ 50 V - 278W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AB
IAUS165N08S5N029ATMA1

IAUS165N08S5N029ATMA1

MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8

Infineon Technologies

1,665 -
IAUS165N08S5N029ATMA1

Технический лист

OptiMOS™ 8-PowerSMD, Gull Wing Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 165A (Tc) 6V, 10V 2.9mOhm @ 80A, 10V 3.8V @ 108µA 90 nC @ 10 V ±20V 6370 pF @ 40 V - 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-HSOG-8-1
IPA60R160P6XKSA1

IPA60R160P6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-FP

Infineon Technologies

389 -
IPA60R160P6XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ P6 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 23.8A (Tc) 10V 160mOhm @ 9A, 10V 4.5V @ 750µA 44 nC @ 10 V ±20V 2080 pF @ 100 V - 34W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
IRF3805PBF

IRF3805PBF

MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

Infineon Technologies

1,658 -
IRF3805PBF

Технический лист

HEXFET® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 10V 3.3mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 290 nC @ 10 V ±20V 7960 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IPB65R190CFD7AATMA1

IPB65R190CFD7AATMA1

MOSFET N-CH 650V 14A TO263-3

Infineon Technologies

962 -
IPB65R190CFD7AATMA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 14A (Tc) - 190mOhm @ 6.4A, 10V 4.5V @ 320µA 28 nC @ 10 V ±20V 1291 pF @ 400 V - 77W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-3
BUK963R3-60E,118

BUK963R3-60E,118

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Nexperia USA Inc.

3,882 -
BUK963R3-60E,118

Технический лист

TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120A (Tc) 5V 3mOhm @ 25A, 10V 2.1V @ 1mA 95 nC @ 5 V ±10V 13490 pF @ 25 V - 293W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK
STP240N10F7

STP240N10F7

MOSFET N-CH 100V 180A TO220

STMicroelectronics

9,232 -
STP240N10F7

Технический лист

DeepGATE™, STripFET™ VII TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 180A (Tc) 10V 3.2mOhm @ 60A, 10V 4.5V @ 250µA 176 nC @ 10 V ±20V 12600 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
SUP60020E-GE3

SUP60020E-GE3

MOSFET N-CH 80V 150A TO220AB

Vishay Siliconix

500 -
SUP60020E-GE3

Технический лист

TrenchFET® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 150A (Tc) 7.5V, 10V 2.4mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 227 nC @ 10 V ±20V 10680 pF @ 40 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
FDPF17N60NT

FDPF17N60NT

MOSFET N-CH 600V 17A TO220F

onsemi

1,234 -
FDPF17N60NT

Технический лист

UniFET™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 17A (Tc) 10V 340mOhm @ 8.5A, 10V 5V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±30V 3040 pF @ 25 V - 62.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
SIHG17N80AE-GE3

SIHG17N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC

Vishay Siliconix

748 -
SIHG17N80AE-GE3

Технический лист

E TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 15A (Tc) 10V 290mOhm @ 8.5A, 10V 4V @ 250µA 62 nC @ 10 V ±30V 1260 pF @ 100 V - 179W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IRF840ASTRRPBF

IRF840ASTRRPBF

MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK

Vishay Siliconix

725 -
IRF840ASTRRPBF

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 8A (Tc) 10V 850mOhm @ 4.8A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±30V 1018 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRFIB7N50APBF

IRFIB7N50APBF

MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220-3

Vishay Siliconix

197 -
IRFIB7N50APBF

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 6.6A (Tc) 10V 520mOhm @ 4A, 10V 4V @ 250µA 52 nC @ 10 V ±30V 1423 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
FCP11N60F

FCP11N60F

MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3

onsemi

2,555 -
FCP11N60F

Технический лист

SuperFET™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V 5V @ 250µA 52 nC @ 10 V ±30V 1490 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
STP80NF10FP

STP80NF10FP

MOSFET N-CH 100V 38A TO220FP

STMicroelectronics

1,042 -
STP80NF10FP

Технический лист

STripFET™ II TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 38A (Tc) 10V 15mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 189 nC @ 10 V ±20V 4300 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
Total 36284 Record«Prev1... 7980818283848586...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь