TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
IPW80R280P7XKSA1

IPW80R280P7XKSA1

MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3

Infineon Technologies

252 -
IPW80R280P7XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 17A (Tc) 10V 280mOhm @ 7.2A, 10V 3.5V @ 360µA 36 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 500 V - 101W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-41
STP21N65M5

STP21N65M5

MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB

STMicroelectronics

2,110 -
STP21N65M5

Технический лист

MDmesh™ V TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 17A (Tc) 10V 190mOhm @ 8.5A, 10V 5V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±25V 1950 pF @ 100 V - 125W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
STP8NK80Z

STP8NK80Z

MOSFET N-CH 800V 6.2A TO220AB

STMicroelectronics

1,006 -
STP8NK80Z

Технический лист

SuperMESH™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 6.2A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 3.1A, 10V 4.5V @ 100µA 46 nC @ 10 V ±30V 1320 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
IXTA200N055T2

IXTA200N055T2

MOSFET N-CH 55V 200A TO263

Littelfuse Inc.

609 -
IXTA200N055T2

Технический лист

TrenchT2™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 200A (Tc) 10V 4.2mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 109 nC @ 10 V ±20V 6800 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA
SUP70030E-GE3

SUP70030E-GE3

MOSFET N-CH 100V 150A TO220AB

Vishay Siliconix

384 -
SUP70030E-GE3

Технический лист

TrenchFET® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 150A (Tc) 7.5V, 10V 3.18mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 214 nC @ 10 V ±20V 10870 pF @ 50 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IXFP12N65X2M

IXFP12N65X2M

MOSFET N-CH 650V 12A TO220

Littelfuse Inc.

282 -
IXFP12N65X2M

Технический лист

HiPerFET™, Ultra X2 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 12A (Tc) 10V 310mOhm @ 6A, 10V 5V @ 250µA 18.5 nC @ 10 V ±30V 1134 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Isolated Tab
IRFP7537PBF

IRFP7537PBF

MOSFET N-CH 60V 172A TO247

Infineon Technologies

211 -
IRFP7537PBF

Технический лист

HEXFET®, StrongIRFET™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 172A (Tc) 6V, 10V 3.3mOhm @ 100A, 10V 3.7V @ 150µA 210 nC @ 10 V ±20V 7020 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247
IXFA4N100P

IXFA4N100P

MOSFET N-CH 1000V 4A TO263

Littelfuse Inc.

295 -
IXFA4N100P

Технический лист

HiPerFET™, Polar TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 4A (Tc) 10V 3.3Ohm @ 2A, 10V 5V @ 250µA 26 nC @ 10 V ±20V 1456 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA (IXFA)
FDMS030N06B

FDMS030N06B

MOSFET N-CH 60V 22.1A/100A 8PQFN

onsemi

4,096 -
FDMS030N06B

Технический лист

PowerTrench® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 22.1A (Ta), 100A (Tc) 10V 3mOhm @ 50A, 10V 4.5V @ 250µA 75 nC @ 10 V ±20V 7560 pF @ 30 V - 2.5W (Ta), 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
IAUS200N08S5N023ATMA1

IAUS200N08S5N023ATMA1

MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8

Infineon Technologies

484 -
IAUS200N08S5N023ATMA1

Технический лист

OptiMOS™ 8-PowerSMD, Gull Wing Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 200A (Tc) 6V, 10V 2.3mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 130µA 110 nC @ 10 V ±20V 7670 pF @ 40 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-HSOG-8-1
NVD5C434NT4G

NVD5C434NT4G

MOSFET N-CHANNEL 40V 163A DPAK

onsemi

2,089 -
NVD5C434NT4G

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 163A (Tc) 10V 2.1mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 80.6 nC @ 10 V ±20V 5400 pF @ 25 V - 117W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK
IXTP48P05T

IXTP48P05T

MOSFET P-CH 50V 48A TO220AB

Littelfuse Inc.

302 -
IXTP48P05T

Технический лист

TrenchP™ TO-220-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 48A (Tc) 10V 30mOhm @ 24A, 10V 4.5V @ 250µA 53 nC @ 10 V ±15V 3660 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IRF2804STRLPBF

IRF2804STRLPBF

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

Infineon Technologies

2,529 -
IRF2804STRLPBF

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 75A (Tc) 10V 2mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 6450 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
FDMC86340ET80

FDMC86340ET80

MOSFET N-CH 80V 14A/68A POWER33

onsemi

1,325 -
FDMC86340ET80

Технический лист

PowerTrench® 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 14A (Ta), 68A (Tc) 8V, 10V 6.5mOhm @ 14A, 10V 4V @ 250µA 49 nC @ 10 V ±20V 2775 pF @ 40 V - 2.8W (Ta), 65W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount Power33
TK200F04N1L,LXGQ

TK200F04N1L,LXGQ

MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM

Toshiba Semiconductor and Storage

1,016 -
TK200F04N1L,LXGQ

Технический лист

U-MOSVIII-H TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 200A (Ta) 6V, 10V 0.9mOhm @ 100A, 10V 3V @ 1mA 214 nC @ 10 V ±20V 14920 pF @ 10 V - 375W (Tc) 175°C - - Surface Mount TO-220SM(W)
STD11NM65N

STD11NM65N

MOSFET N CH 650V 11A DPAK

STMicroelectronics

4,162 -
STD11NM65N

Технический лист

MDmesh™ II TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11A (Tc) 10V 455mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±25V 800 pF @ 50 V - 110W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
IXFA10N60P

IXFA10N60P

MOSFET N-CH 600V 10A TO263

Littelfuse Inc.

253 -
IXFA10N60P

Технический лист

HiPerFET™, Polar TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10A (Tc) 10V 740mOhm @ 5A, 10V 5.5V @ 1mA 32 nC @ 10 V ±30V 1610 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA (IXFA)
IAUT240N08S5N019ATMA1

IAUT240N08S5N019ATMA1

MOSFET N-CH 80V 240A 8HSOF

Infineon Technologies

822 -
IAUT240N08S5N019ATMA1

Технический лист

OptiMOS™ 5 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 240A (Tc) 6V, 10V 1.9mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 160µA 130 nC @ 10 V ±20V 9264 pF @ 40 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-8-1
SQW33N65EF-GE3

SQW33N65EF-GE3

E SERIES POWER MOSFET WITH FAST

Vishay Siliconix

480 -
SQW33N65EF-GE3

Технический лист

E TO-247-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 34A (Tc) 10V 109mOhm @ 16.5A, 10V 4V @ 250µA 173 nC @ 10 V ±30V 3972 pF @ 100 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AD
IPP60R199CPXKSA1

IPP60R199CPXKSA1

MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3

Infineon Technologies

404 -
IPP60R199CPXKSA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 16A (Tc) 10V 199mOhm @ 9.9A, 10V 3.5V @ 660µA 43 nC @ 10 V ±20V 1520 pF @ 100 V - 139W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
Total 36284 Record«Prev1... 8283848586878889...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь