TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
SUP90100E-GE3

SUP90100E-GE3

N-CHANNEL 200 V (D-S) MOSFET TO-

Vishay Siliconix

484 -
SUP90100E-GE3

Технический лист

TrenchFET® TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 150A (Tc) 7.5V, 10V 10.9mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 3930 pF @ 100 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
R6535KNZ4C13

R6535KNZ4C13

650V 35A TO-247, HIGH-SPEED SWIT

Rohm Semiconductor

264 -
R6535KNZ4C13

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 35A (Tc) 10V 115mOhm @ 18.1A, 10V 5V @ 1.21mA 72 nC @ 10 V ±20V 3000 pF @ 25 V - 379W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
STF9NK90Z

STF9NK90Z

MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP

STMicroelectronics

947 -
STF9NK90Z

Технический лист

SuperMESH™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 8A (Tc) 10V 1.3Ohm @ 3.6A, 10V 4.5V @ 100µA 72 nC @ 10 V ±30V 2115 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
STP80N450K6

STP80N450K6

N-CHANNEL 800 V, 400 MOHM TYP.,

STMicroelectronics

448 -
STP80N450K6

Технический лист

ECOPACK® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 10A (Tc) 10V 450mOhm @ 5A, 10V 4V @ 100µA 17.3 nC @ 10 V ±30V 700 pF @ 400 V - 100W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
IPP014N06NF2SAKMA2

IPP014N06NF2SAKMA2

TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3

Infineon Technologies

1,000 -
IPP014N06NF2SAKMA2

Технический лист

StrongIRFET™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 39A (Ta), 198A (Tc) 6V, 10V 1.4mOhm @ 100A, 10V 3.3V @ 246µA 305 nC @ 10 V ±20V 13800 pF @ 30 V - 3.8W (Ta), 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-U05
IPB65R190CFDAATMA1

IPB65R190CFDAATMA1

MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK

Infineon Technologies

1,182 -
IPB65R190CFDAATMA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 17.5A (Tc) 10V 190mOhm @ 7.3A, 10V 4.5V @ 700µA 68 nC @ 10 V ±20V 1850 pF @ 100 V - 151W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-3
IPF024N10NF2SATMA1

IPF024N10NF2SATMA1

TRENCH >=100V

Infineon Technologies

729 -
IPF024N10NF2SATMA1

Технический лист

StrongIRFET™ 2 TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 227A (Tc) 6V, 10V 2.4mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 169µA 154 nC @ 10 V ±20V 7300 pF @ 50 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-14
STB270N4F3

STB270N4F3

MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK

STMicroelectronics

1,887 -
STB270N4F3

Технический лист

STripFET™ III TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 160A (Tc) 10V 2.5mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V 7400 pF @ 25 V - 330W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK
IRFPC40PBF

IRFPC40PBF

MOSFET N-CH 600V 6.8A TO247-3

Vishay Siliconix

316 -

-

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6.8A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 4.1A, 10V 4V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
FDB86563-F085

FDB86563-F085

MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK

onsemi

1,612 -
FDB86563-F085

Технический лист

PowerTrench® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 110A (Tc) 10V 1.8mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 163 nC @ 10 V ±20V 10100 pF @ 30 V - 333W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK)
STB10NK60ZT4

STB10NK60ZT4

MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK

STMicroelectronics

2,579 -
STB10NK60ZT4

Технический лист

SuperMESH™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10A (Tc) 10V 750mOhm @ 4.5A, 10V 4.5V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±30V 1370 pF @ 25 V - 115W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IPB026N10NF2SATMA1

IPB026N10NF2SATMA1

TRENCH >=100V

Infineon Technologies

2,024 -
IPB026N10NF2SATMA1

Технический лист

StrongIRFET™ 2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 162A (Tc) 6V, 10V 2.65mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 169µA 154 nC @ 10 V ±20V 7300 pF @ 50 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
STW18N65M5

STW18N65M5

MOSFET N-CH 650V 15A TO247

STMicroelectronics

655 -
STW18N65M5

Технический лист

MDmesh™ V TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 15A (Tc) 10V 220mOhm @ 7.5A, 10V 5V @ 250µA 31 nC @ 10 V ±25V 1240 pF @ 100 V - 110W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
NVMJST0D9N04CTXG

NVMJST0D9N04CTXG

TRENCH 6 40V LFPAK 5X7

onsemi

2,684 -
NVMJST0D9N04CTXG

Технический лист

- 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 531A (Tc) 10V 1.07mOhm @ 50A, 10V 3.5V @ 190µA 86 nC @ 10 V ±20V 6100 pF @ 25 V - 555W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 10-TCPAK
AOK66613

AOK66613

MOSFET N-CH 60V 58.5A/120A TO247

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

317 -
AOK66613

Технический лист

AlphaSGT™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 58.5A (Ta), 120A (Tc) 8V, 10V 2.5mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 5300 pF @ 30 V - 15.6W (Ta), 312W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247
IXFY26N30X3

IXFY26N30X3

MOSFET N-CH 300V 26A TO252AA

Littelfuse Inc.

6,814 -
IXFY26N30X3

Технический лист

HiPerFET™, Ultra X3 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 26A (Tc) 10V 66mOhm @ 13A, 10V 4.5V @ 500µA 22 nC @ 10 V ±20V 1465 pF @ 25 V - 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
XK1R9F10QB,LXGQ

XK1R9F10QB,LXGQ

MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM

Toshiba Semiconductor and Storage

4,329 -
XK1R9F10QB,LXGQ

Технический лист

U-MOSX-H TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 160A (Ta) 6V, 10V 1.92mOhm @ 80A, 10V 3.5V @ 1mA 184 nC @ 10 V ±20V 11500 pF @ 10 V - 375W (Tc) 175°C - - Surface Mount TO-220SM(W)
IXFP26N30X3

IXFP26N30X3

MOSFET N-CH 300V 26A TO220AB

Littelfuse Inc.

461 -
IXFP26N30X3

Технический лист

HiPerFET™, Ultra X3 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 26A (Tc) 10V 66mOhm @ 13A, 10V 4.5V @ 500µA 22 nC @ 10 V ±20V 1465 pF @ 25 V - 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IPB016N06L3GATMA1

IPB016N06L3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Infineon Technologies

9,298 -
IPB016N06L3GATMA1

Технический лист

OptiMOS™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 180A (Tc) 4.5V, 10V 1.6mOhm @ 100A, 10V 2.2V @ 196µA 166 nC @ 4.5 V ±20V 28000 pF @ 30 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7
SPB21N50C3ATMA1

SPB21N50C3ATMA1

MOSFET N-CH 560V 21A TO263-3

Infineon Technologies

2,683 -
SPB21N50C3ATMA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 560 V 21A (Tc) 10V 190mOhm @ 13.1A, 10V 3.9V @ 1mA 95 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
Total 36284 Record«Prev1... 8586878889909192...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь