TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
STD7NM80

STD7NM80

MOSFET N-CH 800V 6.5A DPAK

STMicroelectronics

4,281 -
STD7NM80

Технический лист

MDmesh™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 6.5A (Tc) 10V 1.05Ohm @ 3.25A, 10V 5V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±30V 620 pF @ 25 V - 90W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
STP13N80K5

STP13N80K5

MOSFET N-CH 800V 12A TO220

STMicroelectronics

1,013 -
STP13N80K5

Технический лист

SuperMESH5™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 12A (Tc) 10V 450mOhm @ 6A, 10V 5V @ 100µA 29 nC @ 10 V ±30V 870 pF @ 100 V - 190W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
FCPF11N60F

FCPF11N60F

MOSFET N-CH 600V 11A TO220F

onsemi

960 -
FCPF11N60F

Технический лист

SuperFET™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V 5V @ 250µA 52 nC @ 10 V ±30V 1490 pF @ 25 V - 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
APT8M100B

APT8M100B

MOSFET N-CH 1000V 8A TO247

Microchip Technology

536 -
APT8M100B

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 8A (Tc) 10V 1.8Ohm @ 4A, 10V 5V @ 1mA 60 nC @ 10 V ±30V 1885 pF @ 25 V - 290W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
PSMN1R7-60BS,118

PSMN1R7-60BS,118

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Nexperia USA Inc.

4,895 -
PSMN1R7-60BS,118

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120A (Tc) 10V 2mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 137 nC @ 10 V ±20V 9997 pF @ 30 V - 306W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IPB180N04S400ATMA1

IPB180N04S400ATMA1

MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

Infineon Technologies

3,937 -
IPB180N04S400ATMA1

Технический лист

OptiMOS™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 180A (Tc) 10V 0.98mOhm @ 100A, 10V 4V @ 230µA 286 nC @ 10 V ±20V 22880 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-3
IRFBF30STRLPBF

IRFBF30STRLPBF

MOSFET N-CH 900V 3.6A TO263

Vishay Siliconix

1,600 -
IRFBF30STRLPBF

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 3.6A (Tc) 10V 3.7Ohm @ 2.2A, 10V 4V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IST007N04NM6AUMA1

IST007N04NM6AUMA1

MOSFET N-CH 40V 54A/440A HSOF-5

Infineon Technologies

1,043 -
IST007N04NM6AUMA1

Технический лист

OptiMOS™ 6 5-PowerSFN Tape & Reel (TR) Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 54A (Ta), 440A (Tc) 6V, 10V 0.7mOhm @ 100A, 10V 3.3V @ 250µA 152 nC @ 10 V ±20V 7900 pF @ 20 V - 3.8W (Ta), 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-5-4
STP10N105K5

STP10N105K5

MOSFET N-CH 1050V 6A TO220

STMicroelectronics

913 -
STP10N105K5

Технический лист

MDmesh™ K5 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1050 V 6A (Tc) 10V 1.3Ohm @ 3A, 10V 5V @ 100µA 21.5 nC @ 10 V 30V 545 pF @ 100 V - 130W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
STB28N65M2

STB28N65M2

MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK

STMicroelectronics

4,928 -
STB28N65M2

Технический лист

MDmesh™ M2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20A (Tc) 10V 180mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±25V 1440 pF @ 100 V - 170W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
SPP21N50C3XKSA1

SPP21N50C3XKSA1

MOSFET N-CH 500V 21A TO220-3

Infineon Technologies

1,903 -
SPP21N50C3XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 21A (Tc) 10V 190mOhm @ 13.1A, 10V 3.9V @ 1mA 95 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
SPA15N60C3XKSA1

SPA15N60C3XKSA1

MOSFET N-CH 650V 15A TO220-FP

Infineon Technologies

211 -
SPA15N60C3XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 15A (Tc) 10V 280mOhm @ 9.4A, 10V 3.9V @ 675µA 63 nC @ 10 V ±20V 1660 pF @ 25 V - 34W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-31
RS6L120BGTB1

RS6L120BGTB1

NCH 60V 120A, HSOP8, POWER MOSFE

Rohm Semiconductor

2,079 -
RS6L120BGTB1

Технический лист

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120A (Tc) 4.5V, 10V 2.7mOhm @ 90A, 10V 2.5V @ 1mA 51 nC @ 10 V ±20V 3520 pF @ 30 V - 104W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSOP
IRFS9N60ATRRPBF

IRFS9N60ATRRPBF

MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK

Vishay Siliconix

875 -
IRFS9N60ATRRPBF

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9.2A (Tc) 10V 750mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 49 nC @ 10 V ±30V 1400 pF @ 25 V - 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
FDP023N08B-F102

FDP023N08B-F102

MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3

onsemi

594 -
FDP023N08B-F102

Технический лист

PowerTrench® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 120A (Tc) 10V 2.35mOhm @ 75A, 10V 3.8V @ 250µA 195 nC @ 10 V ±20V 13765 pF @ 37.5 V - 245W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IPP016N08NF2SAKMA1

IPP016N08NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V

Infineon Technologies

482 -
IPP016N08NF2SAKMA1

Технический лист

StrongIRFET™ 2 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 35A (Ta), 196A (Tc) 6V, 10V 1.6mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 267µA 255 nC @ 10 V ±20V 12000 pF @ 40 V - 3.8W (Ta), 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
FDMS5672

FDMS5672

MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP

onsemi

2,846 -
FDMS5672

Технический лист

UltraFET™ 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 10.6A (Ta), 22A (Tc) 6V, 10V 11.5mOhm @ 10.6A, 10V 4V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±20V 2800 pF @ 30 V - 2.5W (Ta), 78W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-MLP (5x6), Power56
SQM50020EL_GE3

SQM50020EL_GE3

MOSFET N-CH 60V 120A TO263

Vishay Siliconix

1,180 -
SQM50020EL_GE3

Технический лист

TrenchFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120A (Tc) 4.5V, 10V 2mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±20V 15100 pF @ 25 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK)
R6535ENZ4C13

R6535ENZ4C13

650V 35A TO-247, LOW-NOISE POWER

Rohm Semiconductor

539 -
R6535ENZ4C13

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 35A (Tc) 10V 115mOhm @ 18.1A, 10V 4V @ 1.21mA 110 nC @ 10 V ±20V 2600 pF @ 25 V - 379W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
R6035ENZ4C13

R6035ENZ4C13

MOSFET N-CH 600V 35A TO247

Rohm Semiconductor

533 -
R6035ENZ4C13

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 35A (Tc) 10V 102mOhm @ 18.1A, 10V 4V @ 1mA 110 nC @ 10 V ±20V 2720 pF @ 25 V - 379W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
Total 36284 Record«Prev1... 8485868788899091...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь