TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
SUM40014M-GE3

SUM40014M-GE3

MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7

Vishay Siliconix

4,915 -
SUM40014M-GE3

Технический лист

- TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 200A (Tc) - 0.99mOhm @ 20A, 10V 2.4V @ 250µA 275 nC @ 10 V ±20V 15780 pF @ 20 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
SIHG186N60EF-GE3

SIHG186N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 8.4A TO247AC

Vishay Siliconix

207 -
SIHG186N60EF-GE3

Технический лист

EF TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 8.4A (Tc) 10V 193mOhm @ 9.5A, 10V 5V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±30V 1081 pF @ 100 V - 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IPLU300N04S41R1XTMA1

IPLU300N04S41R1XTMA1

MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF

Infineon Technologies

7,997 -
IPLU300N04S41R1XTMA1

Технический лист

OptiMOS™ 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 300A (Tc) 10V 1.15mOhm @ 100A, 10V 4V @ 125µA 151 nC @ 10 V ±20V 12090 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-HSOF-8-1
R6020KNJTL

R6020KNJTL

MOSFET N-CH 600V 20A LPTS

Rohm Semiconductor

3,399 -
R6020KNJTL

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 196mOhm @ 9.5A, 10V 5V @ 1mA 40 nC @ 10 V ±20V 1550 pF @ 25 V - 231W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount LPTS
R6020ENX

R6020ENX

MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM

Rohm Semiconductor

482 -
R6020ENX

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Bulk Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 196mOhm @ 10A, 10V 4V @ 1mA 60 nC @ 10 V ±20V 1400 pF @ 25 V - 50W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
STD80N340K6

STD80N340K6

N-CHANNEL 800 V, 285 MOHM TYP.,

STMicroelectronics

2,442 -
STD80N340K6

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 12A (Tc) 10V 340mOhm @ 6A, 10V 4V @ 100µA 17.8 nC @ 10 V ±30V 950 pF @ 400 V - 92W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
FDP100N10

FDP100N10

MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3

onsemi

308 -
FDP100N10

Технический лист

PowerTrench® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 75A (Tc) 10V 10mOhm @ 75A, 10V 4.5V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±20V 7300 pF @ 25 V - 208W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IRFS9N60APBF

IRFS9N60APBF

MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK

Vishay Siliconix

188 -
IRFS9N60APBF

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9.2A (Tc) 10V 750mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 49 nC @ 10 V ±30V 1400 pF @ 25 V - 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
STB200NF03T4

STB200NF03T4

MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK

STMicroelectronics

1,651 -
STB200NF03T4

Технический лист

STripFET™ III TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 120A (Tc) 10V 3.6mOhm @ 60A, 10V 4V @ 250µA 140 nC @ 10 V ±20V 4950 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
FDPF18N50T

FDPF18N50T

MOSFET N-CH 500V 18A TO220F

onsemi

986 -
FDPF18N50T

Технический лист

UniFET™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 18A (Tc) 10V 265mOhm @ 9A, 10V 5V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±30V 2860 pF @ 25 V - 38.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
IPA60R160C6XKSA1

IPA60R160C6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-FP

Infineon Technologies

995 -
IPA60R160C6XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 23.8A (Tc) 10V 160mOhm @ 11.3A, 10V 3.5V @ 750µA 75 nC @ 10 V ±20V 1660 pF @ 100 V - 34W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
FDA59N25

FDA59N25

MOSFET N-CH 250V 59A TO3PN

onsemi

697 -
FDA59N25

Технический лист

UniFET™ TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 59A (Tc) 10V 49mOhm @ 29.5A, 10V 5V @ 250µA 82 nC @ 10 V ±30V 4020 pF @ 25 V - 392W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PN
IPW65R190CFDFKSA2

IPW65R190CFDFKSA2

MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3

Infineon Technologies

1,271 -
IPW65R190CFDFKSA2

Технический лист

CoolMOS™ CFD2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 17.5A (Tc) 10V 190mOhm @ 7.3A, 10V 4.5V @ 700µA 68 nC @ 10 V ±20V 1850 pF @ 100 V - 151W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-41
SIHA11N80E-GE3

SIHA11N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 12A TO220

Vishay Siliconix

1,081 -
SIHA11N80E-GE3

Технический лист

E TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 12A (Tc) 10V 440mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 88 nC @ 10 V ±30V 1670 pF @ 100 V - 34W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
STW28N60M2

STW28N60M2

MOSFET N-CH 600V 24A TO247

STMicroelectronics

598 -
STW28N60M2

Технический лист

MDmesh™ II Plus TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 24A (Tc) 10V 150mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 37 nC @ 10 V ±25V 1370 pF @ 100 V - 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
PSMN1R0-40YSHX

PSMN1R0-40YSHX

MOSFET N-CH 40V 290A LFPAK56

Nexperia USA Inc.

8,827 -
PSMN1R0-40YSHX

Технический лист

- SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 290A (Tc) 10V 1mOhm @ 25A, 10V 3.6V @ 1mA 122 nC @ 10 V ±20V 9433 pF @ 20 V Schottky Diode (Body) 333W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56; Power-SO8
TK160F10N1L,LXGQ

TK160F10N1L,LXGQ

MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM

Toshiba Semiconductor and Storage

5,719 -
TK160F10N1L,LXGQ

Технический лист

U-MOSVIII-H TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 160A (Ta) 6V, 10V 2.4mOhm @ 80A, 10V 3.5V @ 1mA 122 nC @ 10 V ±20V 10100 pF @ 10 V - 375W (Tc) 175°C - - Surface Mount TO-220SM(W)
SIHB24N80AE-GE3

SIHB24N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK

Vishay Siliconix

1,036 -
SIHB24N80AE-GE3

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 21A (Tc) - 184mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 89 nC @ 10 V ±30V 1836 pF @ 100 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
SIHB22N60ET1-GE3

SIHB22N60ET1-GE3

MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Vishay Siliconix

520 -
SIHB22N60ET1-GE3

Технический лист

E TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 21A (Tc) 10V 180mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 86 nC @ 10 V ±30V 1920 pF @ 100 V - 227W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
RCX330N25

RCX330N25

MOSFET N-CH 250V 33A TO220FM

Rohm Semiconductor

308 -
RCX330N25

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 33A (Tc) 10V - - - ±30V - - 2.23W (Ta), 40W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
Total 36284 Record«Prev1... 8384858687888990...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь