TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
FDMS2D5N08C

FDMS2D5N08C

MOSFET N-CH 80V 166A POWER56

onsemi

2,651 -
FDMS2D5N08C

Технический лист

PowerTrench® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 166A (Tc) 6V, 10V 2.7mOhm @ 68A, 10V 4V @ 380µA 84 nC @ 10 V ±20V 6240 pF @ 40 V - 138W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Power56
STB28N60M2

STB28N60M2

MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK

STMicroelectronics

913 -
STB28N60M2

Технический лист

MDmesh™ II Plus TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 22A (Tc) 10V 150mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±25V 1440 pF @ 100 V - 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
STB85NF55LT4

STB85NF55LT4

MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK

STMicroelectronics

344 -
STB85NF55LT4

Технический лист

STripFET™ II TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 5V, 10V 8mOhm @ 40A, 10V 2.5V @ 250µA 110 nC @ 5 V ±15V 4050 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
STF28N60M2

STF28N60M2

MOSFET N-CH 600V 24A TO220FP

STMicroelectronics

127 -
STF28N60M2

Технический лист

MDmesh™ II Plus TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 24A (Tc) 10V 150mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 37 nC @ 10 V ±25V 1370 pF @ 100 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
STP7NK80ZFP

STP7NK80ZFP

MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP

STMicroelectronics

783 -
STP7NK80ZFP

Технический лист

SuperMESH™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 5.2A (Tc) 10V 1.8Ohm @ 2.6A, 10V 4.5V @ 100µA 56 nC @ 10 V ±30V 1138 pF @ 25 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
IPP65R190CFDXKSA2

IPP65R190CFDXKSA2

MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220-3

Infineon Technologies

1,391 -
IPP65R190CFDXKSA2

Технический лист

CoolMOS™ CFD2 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 17.5A (Tc) 10V 190mOhm @ 7.3A, 10V 4.5V @ 700µA 68 nC @ 10 V ±20V 1850 pF @ 100 V - 151W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
SUP10250E-GE3

SUP10250E-GE3

MOSFET N-CH 250V 63A TO220AB

Vishay Siliconix

130 -
SUP10250E-GE3

Технический лист

ThunderFET® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 63A (Tc) 7.5V, 10V - 4V @ 250µA 88 nC @ 10 V ±20V - - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IXTY1R6N100D2

IXTY1R6N100D2

MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252

Littelfuse Inc.

6,135 -
IXTY1R6N100D2

Технический лист

Depletion TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active N-Channel, Depletion Mode MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 1.6A (Tc) - 10Ohm @ 800mA, 0V - 27 nC @ 5 V ±20V 645 pF @ 25 V - 100W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
AONS66966

AONS66966

MOSFET N-CH 100V 31.3A/100A 8DFN

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

5,135 -
AONS66966

Технический лист

AlphaSGT™ 8-PowerSMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 31.3A (Ta), 100A (Tc) 6V, 10V 3.6mOhm @ 20A, 10V 3.6V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±20V 5325 pF @ 50 V - 6.2W (Ta), 215W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN (5x6)
SQJQ186ER-T1_GE3

SQJQ186ER-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)

Vishay Siliconix

1,890 -
SQJQ186ER-T1_GE3

Технический лист

TrenchFET® Gen IV 8-PowerSMD, Gull Wing Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 329A (Tc) 10V 2.3mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 185 nC @ 10 V ±20V 10552 pF @ 25 V - 600W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
SQD50P04-13L_GE3

SQD50P04-13L_GE3

MOSFET P-CH 40V 50A TO252

Vishay Siliconix

1,866 -
SQD50P04-13L_GE3

Технический лист

TrenchFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 13mOhm @ 17A, 10V 2.5V @ 250µA 90 nC @ 10 V ±20V 3590 pF @ 20 V - 3W (Ta), 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
R6030KNXC7G

R6030KNXC7G

600V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SW

Rohm Semiconductor

830 -
R6030KNXC7G

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Tc) 10V 130mOhm @ 14.5A, 10V 5V @ 1mA 56 nC @ 10 V ±20V 2350 pF @ 25 V - 86W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
RSJ400N10FRATL

RSJ400N10FRATL

MOSFET N-CH 100V 40A LPTS

Rohm Semiconductor

414 -
RSJ400N10FRATL

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 40A (Tc) 4V, 10V 27mOhm @ 40A, 10V 2.5V @ 1mA 90 nC @ 10 V ±20V 3600 pF @ 25 V - 1.35W (Ta), 50W (Tc) 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LPTS
FDMS8320LDC

FDMS8320LDC

MOSFET N-CH 40V 44A DLCOOL56

onsemi

4,414 -
FDMS8320LDC

Технический лист

Dual Cool™, PowerTrench® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 44A (Ta), 130A (Tc) 4.5V, 10V 1.1mOhm @ 44A, 10V 3V @ 250µA 170 nC @ 10 V ±20V 11635 pF @ 20 V - 3.2W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
R6009JNJGTL

R6009JNJGTL

MOSFET N-CH 600V 9A LPTS

Rohm Semiconductor

3,000 -
R6009JNJGTL

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9A (Tc) 15V 585mOhm @ 4.5A, 15V 7V @ 1.38mA 22 nC @ 15 V ±30V 645 pF @ 100 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount LPTS
STP18N65M5

STP18N65M5

MOSFET N-CH 650V 15A TO220

STMicroelectronics

883 -
STP18N65M5

Технический лист

MDmesh™ V TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 15A (Tc) 10V 220mOhm @ 7.5A, 10V 5V @ 250µA 31 nC @ 10 V ±25V 1240 pF @ 100 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
SI7148DP-T1-GE3

SI7148DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

5,261 -
SI7148DP-T1-GE3

Технический лист

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 28A (Tc) 10V 11mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±20V 2900 pF @ 35 V - 5.4W (Ta), 96W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
FCP11N60

FCP11N60

MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3

onsemi

1,629 -
FCP11N60

Технический лист

SuperFET™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V 5V @ 250µA 52 nC @ 10 V ±30V 1490 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
FQB5N90TM

FQB5N90TM

MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK

onsemi

1,139 -
FQB5N90TM

Технический лист

QFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 5.4A (Tc) 10V 2.3Ohm @ 2.7A, 10V 5V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±30V 1550 pF @ 25 V - 3.13W (Ta), 158W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
STP2NK100Z

STP2NK100Z

MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO220AB

STMicroelectronics

164 -
STP2NK100Z

Технический лист

SuperMESH™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 1.85A (Tc) 10V 8.5Ohm @ 900mA, 10V 4.5V @ 50µA 16 nC @ 10 V ±30V 499 pF @ 25 V - 70W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
Total 36284 Record«Prev1... 7677787980818283...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь