TomatoElecОтслеживание заказа TomatoElecМой аккаунт
    Популярные запросы CMPA601C025F CGHV96100F2 CGHV96130F AP3012KTR-E1 SMBJ43A-13-F DMN4034SSS-13 FMMT495QTA BZX84-B36-QR SD103AW-7-F DFLU1200-7
    TomatoElec

    Доступно 24/7 по

    0755-82798135
    TomatoElec TomatoElec
    Все категории
    Главная > Продукты  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить все
    Применить ко всем
    Результат

    FET и MOSFET

    TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

    Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

    Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

    Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IRL1404ZPBF

    IRL1404ZPBF

    MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB

    Infineon Technologies

    		 1,626 -
    Запрос цены
    		IRL1404ZPBF

    Технический лист

         		HEXFET® TO-220-3 Tube Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 75A (Tc) 4.5V, 10V 3.1mOhm @ 75A, 10V 2.7V @ 250µA 110 nC @ 5 V ±16V 5080 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    SQJ412EP-T1_GE3

    SQJ412EP-T1_GE3

    MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    		 28,796 -
    Запрос цены
    		SQJ412EP-T1_GE3

    Технический лист

         		TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 32A (Tc) 4.5V, 10V 4.1mOhm @ 10.3A, 10V 2.5V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 5950 pF @ 20 V - 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® SO-8
    R8001CND3FRATL

    R8001CND3FRATL

    MOSFET N-CH 800V 1A TO252

    Rohm Semiconductor

    		 1,855 -
    Запрос цены
    		R8001CND3FRATL

    Технический лист

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 1A (Tc) 10V 8.7Ohm @ 500mA, 10V 5.5V @ 1mA 7.2 nC @ 10 V ±30V 60 pF @ 25 V - 36W (Tc) 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252
    IRFB3307PBF

    IRFB3307PBF

    MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB

    Infineon Technologies

    		 299 -
    Запрос цены
    		IRFB3307PBF

    Технический лист

         		HEXFET® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 130A (Tc) 10V 6.3mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 180 nC @ 10 V ±20V 5150 pF @ 50 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IXTA24P085T

    IXTA24P085T

    MOSFET P-CH 85V 24A TO263

    Littelfuse Inc.

    		 1,634 -
    Запрос цены
    		IXTA24P085T

    Технический лист

         		TrenchP™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 85 V 24A (Tc) 10V 65mOhm @ 12A, 10V 4.5V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±15V 2090 pF @ 25 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA
    SI4842BDY-T1-GE3

    SI4842BDY-T1-GE3

    MOSFET N-CH 30V 28A 8SO

    Vishay Siliconix

    		 1,533 -
    Запрос цены
    		SI4842BDY-T1-GE3

    Технический лист

         		TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 28A (Tc) 4.5V, 10V 4.2mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±20V 3650 pF @ 15 V - 3W (Ta), 6.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    IXTA32P05T

    IXTA32P05T

    MOSFET P-CH 50V 32A TO263

    Littelfuse Inc.

    		 386 -
    Запрос цены
    		IXTA32P05T

    Технический лист

         		TrenchP™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 32A (Tc) 10V 39mOhm @ 500mA, 10V 4.5V @ 250µA 46 nC @ 10 V ±15V 1975 pF @ 25 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA
    IQE065N10NM5ATMA1

    IQE065N10NM5ATMA1

    TRENCH >=100V PG-TSON-8

    Infineon Technologies

    		 22,345 -
    Запрос цены
    		IQE065N10NM5ATMA1

    Технический лист

         		OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 14A (Ta), 85A (Tc) 6V, 10V 6.5mOhm @ 20A, 10V 3.8V @ 48µA 42 nC @ 10 V ±20V 3000 pF @ 50 V - 2.5W (Ta), 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSON-8-4
    NP75P03YDG-E1-AY

    NP75P03YDG-E1-AY

    MOSFET P-CH 30V 75A 8HSON

    Renesas Electronics Corporation

    		 3,701 -
    Запрос цены
    		NP75P03YDG-E1-AY

    Технический лист

         		- 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 75A (Tc) 5V, 10V 6.2mOhm @ 37.5A, 10V 2.5V @ 250µA 141 nC @ 10 V ±20V 4800 pF @ 25 V - 1W (Ta), 138W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSON
    RJK1053DPB-00#J5

    RJK1053DPB-00#J5

    MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK

    Renesas Electronics Corporation

    		 2,500 -
    Запрос цены
    		RJK1053DPB-00#J5

    Технический лист

         		- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 25A (Ta) 4.5V, 10V 13mOhm @ 12.5A, 10V - 43 nC @ 4.5 V ±20V 6160 pF @ 10 V - 65W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK
    STB30NF20

    STB30NF20

    MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK

    STMicroelectronics

    		 1,859 -
    Запрос цены
    		STB30NF20

    Технический лист

         		STripFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 30A (Tc) 10V 75mOhm @ 15A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 1597 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    NVMFS5C430NAFT1G

    NVMFS5C430NAFT1G

    MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN

    onsemi

    		 425 -
    Запрос цены
    		NVMFS5C430NAFT1G

    Технический лист

         		- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 35A (Ta), 185A (Tc) 10V 1.7mOhm @ 50A, 10V 3.5V @ 250µA 47 nC @ 10 V ±20V 3300 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 106W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    IPL65R230C7AUMA1

    IPL65R230C7AUMA1

    MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON

    Infineon Technologies

    		 11,054 -
    Запрос цены
    		IPL65R230C7AUMA1

    Технический лист

         		CoolMOS™ C7 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 10A (Tc) 10V 230mOhm @ 2.4A, 10V 4V @ 240µA 20 nC @ 10 V ±20V 996 pF @ 400 V - 67W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
    BUK9Y7R0-60ELX

    BUK9Y7R0-60ELX

    SINGLE N-CHANNEL 60 V, 4.5 MOHM

    Nexperia USA Inc.

    		 2,558 -
    Запрос цены
    		BUK9Y7R0-60ELX

    Технический лист

         		- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 125A (Tc) 4.5V, 10V 4.5mOhm @ 25A, 10V 2.1V @ 1mA 152 nC @ 10 V ±10V 8327 pF @ 25 V - 238.4W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    SI4842BDY-T1-E3

    SI4842BDY-T1-E3

    MOSFET N-CH 30V 28A 8SO

    Vishay Siliconix

    		 2,268 -
    Запрос цены
    		SI4842BDY-T1-E3

    Технический лист

         		TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 28A (Tc) 4.5V, 10V 4.2mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±20V 3650 pF @ 15 V - 3W (Ta), 6.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    IRFS7437TRL7PP

    IRFS7437TRL7PP

    MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

    Infineon Technologies

    		 1,602 -
    Запрос цены
    		IRFS7437TRL7PP

    Технический лист

         		HEXFET®, StrongIRFET™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 195A (Tc) 6V, 10V 1.4mOhm @ 100A, 10V 3.9V @ 150µA 225 nC @ 10 V ±20V 7437 pF @ 25 V - 231W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK (7-Lead)
    IRFZ24SPBF

    IRFZ24SPBF

    MOSFET N-CH 60V 17A TO263

    Vishay Siliconix

    		 1,067 -
    Запрос цены
    		IRFZ24SPBF

    Технический лист

         		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 17A (Tc) 10V 100mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±20V 640 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IRFI720GPBF

    IRFI720GPBF

    MOSFET N-CH 400V 2.6A TO220-3

    Vishay Siliconix

    		 1,000 -
    Запрос цены
    		IRFI720GPBF

    Технический лист

         		- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 2.6A (Tc) 10V 1.8Ohm @ 1.6A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 410 pF @ 25 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    STP8N80K5

    STP8N80K5

    MOSFET N CH 800V 6A TO220

    STMicroelectronics

    		 1,000 -
    Запрос цены
    		STP8N80K5

    Технический лист

         		SuperMESH5™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 6A (Tc) 10V 950mOhm @ 3A, 10V 5V @ 100µA 16.5 nC @ 10 V ±30V 450 pF @ 100 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    IRL640PBF-BE3

    IRL640PBF-BE3

    MOSFET N-CH 200V 17A TO220AB

    Vishay Siliconix

    		 985 -
    Запрос цены
    		IRL640PBF-BE3

    Технический лист

         		- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 17A (Tc) 4V, 5V 180mOhm @ 10A, 5V 2V @ 250µA 66 nC @ 5 V ±10V 1800 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    Total 36284 Record«Prev1... 6566676869707172...1815Next»
    TomatoElec

    Поиск

     TomatoElec

    Продукты

     TomatoElec

    Телефон

     TomatoElec

    Пользователь
    TomatoElec
    [email protected]
    0755-82798135