Доступно 24/7 по
0755-82798135
Vishay Siliconix SISA14BDN-T1-GE3
SISA14BDN-T1-GE3 Supplier & Distributor
SISA14BDN-T1-GE3 is an electronic component manufactured by Vishay Siliconix. We are a professional electronic components supplier providing original parts with large stock available in Shenzhen Huaqiangbei.
We supply SISA14BDN-T1-GE3 with competitive pricing, fast global delivery and reliable sourcing services for OEM, EMS and electronic trading companies.
- Original and genuine components
- Large stock inventory available
- Fast worldwide shipping
- Support for bulk orders
- Номер детали:
- SISA14BDN-T1-GE3
- Производитель:
- Vishay Siliconix
- Категория:
- FET, MOSFET
- Упаковка:
- PowerPAK® 1212-8
- Технический лист:
-
SISA14BDN-T1-GE3.pdf
- Описание:
- N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
- Количество:
Цена за единицу:$0
Общая цена:$0
- Оплата:
- Доставка:
Инвентарь:13,005
Отправьте нам ваш запрос, мы ответим сразу.
Наличие на складе:13,005
| Кол-во | Цена за единицу | Общая цена |
| 1+ | $0.000 | $0.000 |
About SISA14BDN-T1-GE3
Looking for SISA14BDN-T1-GE3 supplier or distributor? Tomato Electronics provides high-quality electronic components including MLCC capacitors, tantalum capacitors, ICs, diodes and more.
Contact us now for quotation and availability of SISA14BDN-T1-GE3.
SISA14BDN-T1-GE3 Характеристики
- Характеристики
- Часто задаваемые вопросы
- Статьи
- Атрибуты
- Значение свойства
- Производитель
- Vishay Siliconix
- Серия:
- TrenchFET® Gen IV
- Корпус/корпус:
- PowerPAK® 1212-8
- Упаковка:
- Tape & Reel (TR)
- Состояние продукта:
- Active
- Тип полевого транзистора:
- N-Channel
- Технология:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток (Vdss):
- 30 V
- Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C:
- 21A (Ta), 72A (Tc)
- Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On):
- 4.5V, 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs:
- 5.38mOhm @ 10A, 10V
- Vgs(th) (Макс.) @ Id:
- 2.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
- 22 nC @ 10 V
- Vgs (макс.):
- +20V, -16V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds:
- 917 pF @ 15 V
- Характеристика FET:
- -
- Рассеиваемая мощность (макс.):
- 3.8W (Ta), 45W (Tc)
- Рабочая температура:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Марка:
- -
- Квалификация:
- -
- Тип крепления:
- Surface Mount
- Устройство поставщика Упаковка:
- PowerPAK® 1212-8
- Категория:
- FET, MOSFET
1. Как заказать SISA14BDN-T1-GE3 у Гонконгская компания "Томато Электроника" Лимитед?
Вы можете отправить RFQ-запрос на SISA14BDN-T1-GE3 напрямую через наш сайт. После получения вашего запроса наша команда свяжется с вами и предоставит цену, наличие, срок поставки и детали заказа. После подтверждения предложения мы поможем вам завершить оформление заказа.
2. Как Гонконгская компания "Томато Электроника" Лимитед обеспечивает оригинальность и надежность SISA14BDN-T1-GE3?
Гонконгская компания "Томато Электроника" Лимитед работает с проверенными каналами поставок и применяет строгие процедуры контроля качества для электронных компонентов, включая SISA14BDN-T1-GE3. Мы уделяем большое внимание отбору поставщиков, проверке продукции и качеству поставки, чтобы помочь клиентам закупать с уверенностью.
3. Насколько точны цена и наличие SISA14BDN-T1-GE3?
Цена и наличие SISA14BDN-T1-GE3 могут меняться в зависимости от рыночной ситуации и движения запасов. Мы стараемся обновлять информацию как можно чаще, однако окончательная цена и доступность должны быть подтверждены нашей командой продаж. В большинстве случаев коммерческое предложение действительно от 3 до 5 дней.
4. Какие способы оплаты принимаются?
Обычно мы принимаем банковский перевод, PayPal, Alipay, WeChat Pay, кредитные карты, Western Union и другие согласованные способы оплаты в зависимости от заказа и местоположения клиента.
Обратите внимание, что некоторые способы оплаты могут предусматривать дополнительные комиссии за обработку.
5. Как организуется доставка?
Клиенты могут выбрать крупных международных перевозчиков, таких как DHL, UPS, FedEx, а также другие доступные способы доставки. Варианты доставки зависят от размера посылки, пункта назначения и срочности заказа.
После отправки наша команда направит вам информацию о статусе доставки и номер отслеживания по электронной почте.
Обратите внимание, что информация для отслеживания может появиться не сразу после отправки.
6. Какова политика возврата или замены для SISA14BDN-T1-GE3?
Все отправления проверяются перед отправкой. Если возникает подтвержденная проблема с поставленным SISA14BDN-T1-GE3, например несоответствие количества, неправильный товар или подтвержденная проблема с продукцией, пожалуйста, свяжитесь с нами как можно скорее.
Запросы на возврат или замену обычно принимаются только в том случае, если товар не использовался, находится в оригинальной упаковке, а проблема была сообщена в согласованный срок после доставки.
Пожалуйста, сначала свяжитесь с нашей командой перед возвратом любых товаров, чтобы мы могли подтвердить проблему и предоставить инструкции по возврату.
7. Как получить техническую поддержку, например datasheet или спецификации для SISA14BDN-T1-GE3?
Если вам нужна техническая поддержка по SISA14BDN-T1-GE3, включая datasheet, спецификации или общую информацию о продукте, пожалуйста, свяжитесь с нашей командой продаж. Мы постараемся помочь вам получить необходимую информацию.
-
ВысокоеэффективныйчипдвухоперационныхамплификаторовиссылкинапряженияотSTMicroelectronics
ознакомьтесь с TSM103WIDT от STMicroelectronics — чипом, в котором интегрированы двойной операционный усилитель и источник постоянного напряжения.
-
Раскрытие чудес электронного компонента XP1002000 - 05R
XP1002000 - 05R представляет собой электронный компонент,
-
ATSHA204A - MAHDA - T: Высокоуязкая криптодевайс аутентификации Microchip
Изучите ATSHA204A - MAHDA - T от Microchip. Освойте его функции, приложения и технические характеристики для обеспечения наивысшего уровня безопасности в различных системах.
-
ATSHA204A - STUCZ - T: Премиальное решение в области криптоаутентификации Microchip для защищенных систем
Изучайте ATSHA204A - STUCZ - T от Microchip, передовое устройство, которое предлагает надежные функции безопасности для различных приложений. Узнайте о его возможностях, технических характеристиках и сферах применения.
- Сравнение
- Связанные
| Изображения |  |
| Номер детали | SISA14BDN-T1-GE3 |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Серия | TrenchFET® Gen IV |
| Корпус/корпус | PowerPAK® 1212-8 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Состояние продукта | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V |
| Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | 21A (Ta), 72A (Tc) |
| Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 5.38mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs(th) (Макс.) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Vgs (макс.) | +20V, -16V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 917 pF @ 15 V |
| Характеристика FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.8W (Ta), 45W (Tc) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Марка | - |
| Квалификация | - |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Устройство поставщика Упаковка | PowerPAK® 1212-8 |
SISA14BDN-T1-GE3 Соответствующая информация
- SISA14BDN-T1-GE3 Теги
- Популярный поиск
Следующие детали популярны в поиске FET, MOSFET.
Связанные продукты
-
BSZ180P03NS3EGATMA1
Infineon Technologies
-
SIRA14DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
-
AO4419
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
-
SISA14BDN-T1-GE3
Vishay Siliconix
-
PSMN9R5-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
-
BUK9Y21-40E,115
Nexperia USA Inc.
-
RTQ035N03HZGTR
Rohm Semiconductor
-
FDMS7680
onsemi
-
RQ3E180BNTB
Rohm Semiconductor
-
STL6N2VH5
STMicroelectronics
-
DMPH4029LFGQ-7
Diodes Incorporated
-
DMT6015LSS-13
Diodes Incorporated
