TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, массивы MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат
Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
BSM080D12P2C008

BSM080D12P2C008

MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULE

Rohm Semiconductor

25 -
BSM080D12P2C008

Технический лист

- Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) - 1200V (1.2kV) 80A (Tc) - 4V @ 13.2mA - 800pF @ 10V 600W 175°C (TJ) - - Chassis Mount Module
APTM20AM04FG

APTM20AM04FG

MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6

Microchip Technology

7 -
APTM20AM04FG

Технический лист

- SP6 Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) - 200V 372A 5mOhm @ 186A, 10V 5V @ 10mA 560nC @ 10V 28900pF @ 25V 1250W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6
FF2MR12KM1HPHPSA1

FF2MR12KM1HPHPSA1

MOSFET 2N-CH 1200V AG-62MMHB

Infineon Technologies

8 -
FF2MR12KM1HPHPSA1

Технический лист

CoolSiC™ Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 500A (Tc) 2.13mOhm @ 500A, 15V 5.15V @ 224mA 1340nC @ 15V 39700pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount AG-62MMHB
FF4MR20KM1HHPSA1

FF4MR20KM1HHPSA1

MOSFET 2N-CH 2000V AG-62MMHB

Infineon Technologies

11 -
FF4MR20KM1HHPSA1

Технический лист

C Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel - 2000V (2kV) 280A (Tc) 5.3mOhm @ 300A, 18V 5.15V @ 168mA 1170nC @ 18V 36100pF @ 1.2kV - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount AG-62MMHB
CAB400M12XM3

CAB400M12XM3

MOSFET 2N-CH 1200V 395A

Wolfspeed, Inc.

24 -
CAB400M12XM3

Технический лист

- Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) - 1200V (1.2kV) 395A (Tc) 5.3mOhm @ 400A, 15V 3.6V @ 92mA 908nC @ 15V 2450pF @ 800V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
FS05MR12A6MA1BBPSA1

FS05MR12A6MA1BBPSA1

MOSFET 1200V 200A AG-HYBRIDD

Infineon Technologies

9 -
FS05MR12A6MA1BBPSA1

Технический лист

HybridPACK™ Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) - - 1200V (1.2kV) 200A - - - - - - - - Chassis Mount AG-HYBRIDD-2
BSM250D17P2E004

BSM250D17P2E004

MOSFET 2N-CH 1700V 250A MODULE

Rohm Semiconductor

14 -
BSM250D17P2E004

Технический лист

- Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1700V (1.7kV) 250A (Tc) - 4V @ 66mA - 30000pF @ 10V 1800W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
CAS300M17BM2

CAS300M17BM2

MOSFET 2N-CH 1700V 325A MODULE

Wolfspeed, Inc.

1 -
CAS300M17BM2

Технический лист

Z-Rec® Module Box Last Time Buy Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1700V (1.7kV) 325A (Tc) 10mOhm @ 225A, 20V 2.3V @ 15mA (Typ) 1076nC @ 20V 20000pF @ 1000V 1760W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
EAB450M12XM3

EAB450M12XM3

MOSFET 2N-CH 1200V 450A

Wolfspeed, Inc.

3 -
EAB450M12XM3

Технический лист

- Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 450A (Tc) 3.7mOhm @ 450A, 15V 3.6V @ 132mA 1330nC @ 15V 38000pF @ 800V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
MSCSM170AM058CD3AG

MSCSM170AM058CD3AG

MOSFET 2N-CH 1700V 353A

Microchip Technology

8 -
MSCSM170AM058CD3AG

Технический лист

- Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 1700V (1.7kV) 353A (Tc) 7.5mOhm @ 180A, 20V 3.3V @ 15mA 1068nC @ 20V 19800pF @ 1000V 1.642kW (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
FS03MR12A6MA1BBPSA1

FS03MR12A6MA1BBPSA1

MOSFET 6N-CH 1200V AG-HYBRIDD

Infineon Technologies

7 -
FS03MR12A6MA1BBPSA1

Технический лист

HybridPACK™ Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 1200V (1.2kV) 400A (Tj) 3.7mOhm @ 400A, 15V 5.55V @ 240mA 1320nC @ 15V 42500pF @ 600V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount AG-HYBRIDD-2
CAB760M12HM3

CAB760M12HM3

MOSFET 2N-CH 1200V 1015A MODULE

Wolfspeed, Inc.

6 -
CAB760M12HM3

Технический лист

- Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 1015A (Tc) 1.73mOhm @ 760A, 15V 3.6V @ 280mA 2724nC @ 15V 79400pF @ 800V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount Module
DMN2991UDR4-7R

DMN2991UDR4-7R

MOSFET 2N-CH 20V 0.5A 6DFN

Diodes Incorporated

119 -
DMN2991UDR4-7R

Технический лист

- 6-XFDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel Logic Level Gate 20V 500mA (Ta) 990mOhm @ 100mA, 4.5V 1V @ 250µA 0.28nC @ 4.5V 14.6pF @ 16V 380mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount X2-DFN1010-6 (Type UXC)
2N7002HSX

2N7002HSX

MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP

Nexperia USA Inc.

326 -
2N7002HSX

Технический лист

- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Active - 2 N-Channel (Dual) - 60V 320mA (Ta) 1.6Ohm @ 500mA, 10V 2.5V @ 250µA 0.5nC @ 4.5V 34pF @ 10V 420mW -55°C ~ 150°C (TA) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 6-TSSOP
DMN3015LSD-13

DMN3015LSD-13

MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO

Diodes Incorporated

315 -
DMN3015LSD-13

Технический лист

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 30V 8.4A (Ta) 15mOhm @ 12A, 10V 2.5V @ 250µA 25.1nC @ 10V 1415pF @ 15V 1.2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
DMT47M2LDVQ-13

DMT47M2LDVQ-13

MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333

Diodes Incorporated

30 -
DMT47M2LDVQ-13

Технический лист

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 40V 11.9A (Ta), 30.2A (Tc) 10.8mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 250µA 14nC @ 10V 891pF @ 20V 2.34W (Ta), 14.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UXC)
CSD85301Q2T

CSD85301Q2T

MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON

Texas Instruments

1,024 -
CSD85301Q2T

Технический лист

NexFET™ 6-WDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate, 5V Drive 20V 5A 27mOhm @ 5A, 4.5V 1.2V @ 250µA 5.4nC @ 4.5V 469pF @ 10V 2.3W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-WSON (2x2)
SQJQ904E-T1_GE3

SQJQ904E-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8

Vishay Siliconix

79 -
SQJQ904E-T1_GE3

Технический лист

TrenchFET® PowerPAK® 8 x 8 Dual Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 40V 100A (Tc) 3.4mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 75nC @ 10V 5900pF @ 20V 75W -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® 8 x 8 Dual
ALD1115PAL

ALD1115PAL

MOSFET N/P-CH 10.6V 8PDIP

Advanced Linear Devices Inc.

50 -
ALD1115PAL

Технический лист

- 8-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Complementary - 10.6V - 1800Ohm @ 5V 1V @ 1µA - 3pF @ 5V 500mW 0°C ~ 70°C (TJ) - - Through Hole 8-PDIP
ALD1103PBL

ALD1103PBL

MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14PDIP

Advanced Linear Devices Inc.

37 -
ALD1103PBL

Технический лист

- 14-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N and 2 P-Channel Matched Pair - 10.6V 40mA, 16mA 75Ohm @ 5V 1V @ 10µA - 10pF @ 5V 500mW 0°C ~ 70°C (TJ) - - Through Hole 14-PDIP
Total 5689 Record«Prev1... 125126127128129130131132...285Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь