TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, массивы MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат
Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
FF6MR12W2M1HB11BPSA1

FF6MR12W2M1HB11BPSA1

MOSFET 2N-CH 1200V 145A MODULE

Infineon Technologies

18 -
FF6MR12W2M1HB11BPSA1

Технический лист

CoolSiC™ Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 145A (Tj) 5.4mOhm @ 150A, 18V 5.15V @ 60mA 446nC @ 18V 13200pF @ 800V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount Module
GCMX005A120B3B1P

GCMX005A120B3B1P

MOSFET 4N-CH 1200V 383A

SemiQ

2 -
GCMX005A120B3B1P

Технический лист

- Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 383A (Tc) 7mOhm @ 200A, 20V 4V @ 80mA 927nC @ 20V 23500pF @ 800V 1.154kW (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
NXH004P120M3F2PNG

NXH004P120M3F2PNG

MOSFET 2N-CH 1200V 338A 36PIM

onsemi

20 -
NXH004P120M3F2PNG

Технический лист

- Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 338A (Tc) 5.5mOhm @ 200A, 18V 4.4V @ 120mA 876nC @ 20V 16410pF @ 800V 1.098W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount 36-PIM (56.7x62.8)
GCMX005A120S7B1

GCMX005A120S7B1

MOSFET 2N-CH 1200V 348A

SemiQ

20 -
GCMX005A120S7B1

Технический лист

- Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 348A (Tc) 7mOhm @ 200A, 20V 4V @ 80mA 978nC @ 20V 29300pF @ 800V 1.042kW (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
FS13MR12W2M1HPB11BPSA1

FS13MR12W2M1HPB11BPSA1

MOSFET

Infineon Technologies

18 -
FS13MR12W2M1HPB11BPSA1

Технический лист

- - Tray Active - - - - - - - - - - - - - - -
CHB011M12GM4

CHB011M12GM4

SIC, MODULE, 11M, 1200V, 48 MM,

Wolfspeed, Inc.

18 -
CHB011M12GM4

Технический лист

* - Box Active - - - - - - - - - - - - - - -
CBB011M12GM4

CBB011M12GM4

SIC, MODULE, 11M, 1200V, 48 MM,

Wolfspeed, Inc.

16 -
CBB011M12GM4

Технический лист

* - Box Active - - - - - - - - - - - - - - -
CBB011M12GM4T

CBB011M12GM4T

SIC, MODULE, 11M, 1200V, 48 MM,

Wolfspeed, Inc.

8 -
CBB011M12GM4T

Технический лист

* - Box Active - - - - - - - - - - - - - - -
CHB011M12GM4T

CHB011M12GM4T

SIC, MODULE, 11M, 1200V, 48 MM,

Wolfspeed, Inc.

3 -
CHB011M12GM4T

Технический лист

* - Box Active - - - - - - - - - - - - - - -
CAB011A12GM3T

CAB011A12GM3T

MOSFET 2N-CH 1200V 141A MODULE

Wolfspeed, Inc.

5 -
CAB011A12GM3T

Технический лист

- Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 141A (Tj) 13.9mOhm @ 150A, 15V 3.9V @ 34mA 354nC @ 15V 11000pF @ 1000V 10mW -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
FF4MR12W2M1HPB11BPSA1

FF4MR12W2M1HPB11BPSA1

MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2B

Infineon Technologies

17 -
FF4MR12W2M1HPB11BPSA1

Технический лист

- Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 170A 4mOhm @ 200A, 18V 5.15V @ 80mA 594nC @ 18V 17600pF @ 800V 20mW -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount AG-EASY2B
F411MR12W2M1HPB76BPSA1

F411MR12W2M1HPB76BPSA1

MOSFET

Infineon Technologies

9 -
F411MR12W2M1HPB76BPSA1

Технический лист

- - Tray Active - - - - - - - - - - - - - - -
FF6MR12KM1HPHPSA1

FF6MR12KM1HPHPSA1

MOSFET

Infineon Technologies

10 -
FF6MR12KM1HPHPSA1

Технический лист

- - Tray Active - - - - - - - - - - - - - - -
CAB004M12GM4

CAB004M12GM4

SIC, MODULE, 4M, 1200V, 48 MM, G

Wolfspeed, Inc.

18 -
CAB004M12GM4

Технический лист

* - Box Active - - - - - - - - - - - - - - -
CAB004M12GM4T

CAB004M12GM4T

SIC, MODULE, 4M, 1200V, 48 MM, G

Wolfspeed, Inc.

18 -
CAB004M12GM4T

Технический лист

* - Box Active - - - - - - - - - - - - - - -
MSCSM170HRM233AG

MSCSM170HRM233AG

MOSFET 4N-CH 1700V/1200V 124A

Microchip Technology

10 -
MSCSM170HRM233AG

Технический лист

- Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Three Level Inverter) - 1700V (1.7kV), 1200V (1.2kV) 124A (Tc), 89A (Tc) 22.5mOhm @ 60A, 20V, 31mOhm @ 40A, 20V 3.2V @ 5mA, 2.8V @ 3mA 356nC @ 20V, 232nC @ 20V 6600pF @ 1000V, 3020pF @ 1000V 602W (Tc), 395W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
FF6MR20W2M1HB70BPSA1

FF6MR20W2M1HB70BPSA1

FF6MR20W2M1HB70BPSA1

Infineon Technologies

15 -
FF6MR20W2M1HB70BPSA1

Технический лист

EasyPACK™ Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) Silicon Carbide (SiC) 2000V (2kV) 160A (Tj) 8.1mOhm @ 160A, 18V 5.15V @ 112mA 780nC @ 3V 24100pF @ 1.2kV - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
F3L6MR20W2M1HB70BPSA1

F3L6MR20W2M1HB70BPSA1

F3L6MR20W2M1HB70BPSA1

Infineon Technologies

15 -
F3L6MR20W2M1HB70BPSA1

Технический лист

EasyPACK™ Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel Silicon Carbide (SiC) 2000V (2kV) 155A (Tj) 8.7mOhm @ 100A, 18V 5.15V @ 112mA 297nC @ 18V 24100pF @ 1.2kV - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
MSCSM120HRM163AG

MSCSM120HRM163AG

MOSFET 4N-CH 1200V/700V 173A

Microchip Technology

10 -
MSCSM120HRM163AG

Технический лист

- Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Three Level Inverter) - 1200V (1.2kV), 700V 173A (Tc), 124A (Tc) 16mOhm @ 80A, 20V, 19mOhm @ 40A, 20V 2.8V @ 6mA, 2.4V @ 4mA 464nC, 215nC @ 20V 6040pF @ 1000V, 4500pF @ 700V 745W (Tc), 365W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
CAB6R0A23GM4

CAB6R0A23GM4

MOSFET 2N-CH 2300V 150A

Wolfspeed, Inc.

6 -
CAB6R0A23GM4

Технический лист

- Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) Silicon Carbide (SiC) 2300V (2.3kV) 150A 8.4mOhm @ 200A, 15V 4V @ 95mA 735nC @ 15V 30500pF @ 1.5kV 610W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount -
Total 5737 Record«Prev1... 134135136137138139140141...287Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь