TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
XP65SL190DI

XP65SL190DI

MOSFET N-CH 650V 20A TO220CFM

YAGEO XSEMI

976 -
XP65SL190DI

Технический лист

XP65SL190D TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20A (Tc) 10V 190mOhm @ 6.2A, 10V 5V @ 250µA 92.8 nC @ 10 V ±20V 3312 pF @ 100 V - 1.92W (Ta), 34.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220CFM
PSMN4R5-80YSFX

PSMN4R5-80YSFX

NEXTPOWER 80/100V MOSFETS

Nexperia USA Inc.

1,155 -
PSMN4R5-80YSFX

Технический лист

- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 100A (Tc) 7V, 10V 4.5mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 90 nC @ 10 V ±20V 6009 pF @ 40 V - 238W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
STP18N60DM2

STP18N60DM2

MOSFET N-CH 600V 12A TO220

STMicroelectronics

880 -
STP18N60DM2

Технический лист

MDmesh™ DM2 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V 295mOhm @ 6A, 10V 5V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±25V 800 pF @ 100 V - 90W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
RS3P070ATTB1

RS3P070ATTB1

PCH -100V -7A POWER MOSFET: RS3P

Rohm Semiconductor

2,763 -
RS3P070ATTB1

Технический лист

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 7A (Ta) 4.5V, 10V 36mOhm @ 7A, 10V 2.5V @ 1mA 115 nC @ 10 V ±20V 5150 pF @ 50 V - 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
PSMN2R8-80SSFJ

PSMN2R8-80SSFJ

NEXTPOWER 80/100V MOSFETS

Nexperia USA Inc.

1,990 -
PSMN2R8-80SSFJ

Технический лист

- SOT-1235 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 190A (Ta) 7V, 10V 2.8mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 143 nC @ 10 V ±20V 10088 pF @ 40 V - 341W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK88 (SOT1235)
IRFB4110PBFXKMA1

IRFB4110PBFXKMA1

TRENCH >=100V

Infineon Technologies

968 -

-

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 10V 4.5mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 210 nC @ 10 V ±20V 9620 pF @ 50 V - 370W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
NVMFS6H801NWFT1G

NVMFS6H801NWFT1G

MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN

onsemi

4,480 -
NVMFS6H801NWFT1G

Технический лист

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 23A (Ta), 157A (Tc) 10V 2.8mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 64 nC @ 10 V ±20V 4120 pF @ 40 V - 3.8W (Ta), 166W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
PJD100N06SA-AU_L2_006A1

PJD100N06SA-AU_L2_006A1

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

3,000 -
PJD100N06SA-AU_L2_006A1

Технический лист

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PJD50N15S-AU_L2_006A1

PJD50N15S-AU_L2_006A1

150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

Panjit International Inc.

3,000 -
PJD50N15S-AU_L2_006A1

Технический лист

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PJQ5560A-AU_R2_002A1

PJQ5560A-AU_R2_002A1

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

2,490 -
PJQ5560A-AU_R2_002A1

Технический лист

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
SQRS140ELP-T1_GE3

SQRS140ELP-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

Vishay Siliconix

2,118 -
SQRS140ELP-T1_GE3

Технический лист

TrenchFET® GenIV PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 504A (Tc) 4.5V, 10V 0.6mOhm @ 15A, 10V 2.2V @ 250µA 294 nC @ 10 V ±20V 15398 pF @ 25 V - 266W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® SO-8SW
IRF9620SPBF

IRF9620SPBF

MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK

Vishay Siliconix

1,997 -
IRF9620SPBF

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 3.5A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 1.5A, 10V 4V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 3W (Ta), 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
NTMJS2D5N06CLTWG

NTMJS2D5N06CLTWG

MOSFET N-CH 60V 31A/164A 8LFPAK

onsemi

2,980 -
NTMJS2D5N06CLTWG

Технический лист

- SOT-1205, 8-LFPAK56 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 31A (Ta), 164A (Tc) 4.5V, 10V 2.4mOhm @ 50A, 10V 2V @ 135µA 52 nC @ 10 V ±20V 3600 pF @ 25 V - 3.9W (Ta), 113W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-LFPAK
NVMFS5C430NWFAFT1G

NVMFS5C430NWFAFT1G

MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN

onsemi

1,480 -
NVMFS5C430NWFAFT1G

Технический лист

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 35A (Ta), 185A (Tc) 10V 1.7mOhm @ 50A, 10V 3.5V @ 250µA 47 nC @ 10 V ±20V 3300 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 106W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
R6020YNZ4C13

R6020YNZ4C13

NCH 600V 20A, TO-247, POWER MOSF

Rohm Semiconductor

563 -
R6020YNZ4C13

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V, 12V 185mOhm @ 6A, 12V 6V @ 1.65mA 28 nC @ 10 V ±30V 1200 pF @ 100 V - 182W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
NVMJS1D0N04CTWG

NVMJS1D0N04CTWG

MOSFET N-CH 40V 46A/300A 8LFPAK

onsemi

2,980 -
NVMJS1D0N04CTWG

Технический лист

- SOT-1205, 8-LFPAK56 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 46A (Ta), 300A (Tc) 10V 0.92mOhm @ 50A, 10V 3.5V @ 190µA 86 nC @ 10 V ±20V 6100 pF @ 25 V - 3.9W (Ta), 166W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-LFPAK
FDMS004N08C

FDMS004N08C

MOSFET N-CH 80V 126A 8PQFN

onsemi

2,794 -
FDMS004N08C

Технический лист

PowerTrench® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 126A (Tc) 6V, 10V 4mOhm @ 44A, 10V 4V @ 250µA 55 nC @ 10 V ±20V 4250 pF @ 40 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56
AON6152A

AON6152A

MOSFET N-CH 45V 58A/100A 8DFN

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

2,986 -
AON6152A

Технический лист

AlphaSGT™ 8-PowerSMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 45 V 58A (Ta), 100A (Tc) 4.5V, 10V 1.15mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 250µA 155 nC @ 10 V ±20V 10000 pF @ 22.5 V - 7.3W (Ta), 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN (5x6)
IPB65R310CFDAATMA1

IPB65R310CFDAATMA1

MOSFET N-CH 650V 11.4A D2PAK

Infineon Technologies

2,403 -
IPB65R310CFDAATMA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11.4A (Tc) 10V 310mOhm @ 4.4A, 10V 4.5V @ 440µA 41 nC @ 10 V ±20V 1110 pF @ 100 V - 104.2W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-3
TSM60NE285CIT C0G

TSM60NE285CIT C0G

MOSFET

Taiwan Semiconductor Corporation

2,000 -

-

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9.5A (Tc) 10V, 12V 274mOhm @ 3.2A, 12V 6V @ 1.4mA 22 nC @ 10 V ±30V 894 pF @ 300 V - 56W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220TL
Total 36322 Record«Prev1... 285286287288289290291292...1817Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь