TomatoElecОтслеживание заказа TomatoElecМой аккаунт
    Популярные запросы DDZ7V5CS-7 RS1MWF-7 BAS116-7-F AP7345D-1833RH4-7 FCX493TA SDM02U30CSP-7 LM5164DDAR AP22653W6-7 ZXSC410E6TA D8V0L1B2LP-7B
    TomatoElec

    Доступно 24/7 по

    0755-82798135
    TomatoElec TomatoElec
    Все категории
    Главная > Продукты  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить все
    Применить ко всем
    Результат

    FET и MOSFET

    TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

    Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

    Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

    Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    FDP047N08-F102

    FDP047N08-F102

    MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3

    onsemi

    		 3,179 -
    Запрос цены
    		FDP047N08-F102

    Технический лист

         		- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 164A (Tc) 10V 4.7mOhm @ 80A, 10V 4.5V @ 250µA 152 nC @ 10 V ±20V 9415 pF @ 25 V - 268W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    NTMJST2D6N08HTXG

    NTMJST2D6N08HTXG

    TRENCH 8 80V LFPAK 5X7

    onsemi

    		 2,900 -
    Запрос цены
    		NTMJST2D6N08HTXG

    Технический лист

         		- 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 28A (Ta), 131.5A (Tc) 10V 2.8mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 68 nC @ 10 V ±20V 4405 pF @ 40 V - 5.3W (Ta), 116W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 10-TCPAK
    IPP030N10N5XKSA1

    IPP030N10N5XKSA1

    TRENCH >=100V

    Infineon Technologies

    		 500 -
    Запрос цены
    		IPP030N10N5XKSA1

    Технический лист

         		- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 6V, 10V 3mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 184µA 139 nC @ 10 V ±20V 10300 pF @ 50 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    SIDR220DP-T1-GE3

    SIDR220DP-T1-GE3

    MOSFET N-CH 25V 87.7A/100A PPAK

    Vishay Siliconix

    		 5,973 -
    Запрос цены
    		SIDR220DP-T1-GE3

    Технический лист

         		TrenchFET® Gen IV PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 87.7A (Ta), 100A (Tc) 4.5V, 10V 5.8mOhm @ 20A, 10V 2.1V @ 250µA 200 nC @ 10 V +16V, -12V 1085 pF @ 10 V - 6.25W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
    XPQ1R004PB,LXHQ

    XPQ1R004PB,LXHQ

    40V U-MOS IX-H L-TOGL 1.0MOHM

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 4,500 -
    Запрос цены
    		XPQ1R004PB,LXHQ

    Технический лист

         		U-MOSIX-H 8-PowerBSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 200A (Ta) 6V, 10V 1mOhm @ 100A, 10V 3V @ 500µA 84 nC @ 10 V ±20V 6890 pF @ 10 V - 230W (Tc) 175°C Automotive AEC-Q101 Surface Mount L-TOGL™
    NVMFWS3D0P04M8LT1G

    NVMFWS3D0P04M8LT1G

    MV8 P INITIAL PROGRAM

    onsemi

    		 1,435 -
    Запрос цены
    		NVMFWS3D0P04M8LT1G

    Технический лист

         		- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 28A (Ta), 183A (Tc) 4.5V, 10V 2.7mOhm @ 30A,10V 2.4V @ 2mA 124 nC @ 10 V ±20V 5827 pF @ 20 V - 3.9W (Ta), 171W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    FDI150N10

    FDI150N10

    MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK

    onsemi

    		 3,026 -
    Запрос цены
    		FDI150N10

    Технический лист

         		PowerTrench® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 57A (Tc) 10V 16mOhm @ 49A, 10V 4.5V @ 250µA 69 nC @ 10 V ±20V 4760 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262 (I2PAK)
    XP10NA011H

    XP10NA011H

    MOSFET N-CH 100V 48.5A TO252

    YAGEO XSEMI

    		 1,000 -
    Запрос цены
    		XP10NA011H

    Технический лист

         		XS10NA011 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 48.5A (Tc) 6V, 10V 11mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 56 nC @ 10 V ±20V 2288 pF @ 80 V - 2W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    PSMQC042N10LS2_R2_00201

    PSMQC042N10LS2_R2_00201

    100V/ 4.2M/ EXCELLECT LOW FOM MO

    Panjit International Inc.

    		 5,980 -
    Запрос цены

    -

    		 - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    TK9R6E15Q5,S1X

    TK9R6E15Q5,S1X

    150V UMOS10-HSD TO-220 9.6MOHM

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 380 -
    Запрос цены
    		TK9R6E15Q5,S1X

    Технический лист

         		U-MOSX-H TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 104A (Ta), 52A (Tc) 8V, 10V 9.6mOhm @ 26A, 10V 4.5V @ 1.1mA 50 nC @ 10 V ±20V 3690 pF @ 75 V - 200W (Tc) 175°C - - Through Hole TO-220
    IPL60R210P6AUMA1

    IPL60R210P6AUMA1

    MOSFET N-CH 600V 19.2A 4VSON

    Infineon Technologies

    		 3,000 -
    Запрос цены
    		IPL60R210P6AUMA1

    Технический лист

         		CoolMOS™ P6 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 19.2A (Tc) 10V 210mOhm @ 7.6A, 10V 4.5V @ 630µA 37 nC @ 10 V ±20V 1750 pF @ 100 V - 151W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
    RD3G08BBJHRBTL

    RD3G08BBJHRBTL

    PCH -40V -80A, TO-252 (DPAK), PO

    Rohm Semiconductor

    		 2,396 -
    Запрос цены
    		RD3G08BBJHRBTL

    Технический лист

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Ta) 4.5V, 10V 4.9mOhm @ 80A, 10V 2.5V @ 1mA 145 nC @ 10 V +5V, -20V 7350 pF @ 20 V - 142W (Tc) 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252
    IAUA180N08S5N026AUMA1

    IAUA180N08S5N026AUMA1

    MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5

    Infineon Technologies

    		 1,468 -
    Запрос цены
    		IAUA180N08S5N026AUMA1

    Технический лист

         		OptiMOS™ 5-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 180A (Tj) 6V, 10V 2.6mOhm @ 90A, 10V 3.8V @ 100µA 87 nC @ 10 V ±20V 5980 pF @ 40 V - 179W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-5-4
    NTMFS5C612NT1G

    NTMFS5C612NT1G

    NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO

    onsemi

    		 430 -
    Запрос цены
    		NTMFS5C612NT1G

    Технический лист

         		- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 35A (Ta), 230A (Tc) 10V 1.6mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 60.2 nC @ 10 V ±20V 4830 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 170W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    IQE046N08LM5SCATMA1

    IQE046N08LM5SCATMA1

    OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V

    Infineon Technologies

    		 5,670 -
    Запрос цены
    		IQE046N08LM5SCATMA1

    Технический лист

         		OptiMOS™ 5 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 15.6A (Ta), 99A (Tc) 4.5V, 10V 4.6mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 47µA 38 nC @ 10 V ±20V 3250 pF @ 40 V - 2.5W (Ta), 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-WHSON-8-1
    TPW5200FNH,L1Q

    TPW5200FNH,L1Q

    PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 4,655 -
    Запрос цены
    		TPW5200FNH,L1Q

    Технический лист

         		U-MOSVIII-H 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 26A (Tc) 10V 52mOhm @ 13A, 10V 4V @ 1mA 22 nC @ 10 V ±20V 2200 pF @ 100 V - 800mW (Ta), 142W (Tc) 150°C - - Surface Mount 8-DSOP Advance
    PJD60N04V-AU_L2_002A1

    PJD60N04V-AU_L2_002A1

    40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

    Panjit International Inc.

    		 3,000 -
    Запрос цены
    		PJD60N04V-AU_L2_002A1

    Технический лист

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 25A (Ta), 154A (Tc) 7V, 10V 2.7mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 50µA 43 nC @ 10 V ±20V 3054 pF @ 25 V - 3W (Ta), 115W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252AA
    NTMFS5C406NLT1G

    NTMFS5C406NLT1G

    MOSFET N-CH 40V 53A/362A 5DFN

    onsemi

    		 1,469 -
    Запрос цены
    		NTMFS5C406NLT1G

    Технический лист

         		- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 53A (Ta), 362A (Tc) 4.5V, 10V 0.7mOhm @ 50A, 10V 2V @ 280µA 149 nC @ 10 V ±20V 9400 pF @ 20 V - 3.9W (Ta), 179W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    NVB260N65S3

    NVB260N65S3

    SF3 650V EASY 260MOHM D2PAK AUTO

    onsemi

    		 740 -
    Запрос цены
    		NVB260N65S3

    Технический лист

         		SuperFET® III TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 12A (Tc) 10V 260mOhm @ 6A, 10V 4.5V @ 290µA 24 nC @ 10 V ±30V 1010 pF @ 400 V - 90W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IPA600N25NM3SXKSA1

    IPA600N25NM3SXKSA1

    MOSFET N-CH 250V 15A TO220

    Infineon Technologies

    		 276 -
    Запрос цены
    		IPA600N25NM3SXKSA1

    Технический лист

         		OptiMOS™ 3 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 15A (Tc) 10V 60mOhm @ 15A, 10V 4V @ 89µA 29 nC @ 10 V ±20V 2300 pF @ 100 V - 38W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220 Full Pack
    Total 36322 Record«Prev1... 287288289290291292293294...1817Next»
    TomatoElec

    Поиск

     TomatoElec

    Продукты

     TomatoElec

    Телефон

     TomatoElec

    Пользователь
    TomatoElec
    [email protected]
    0755-82798135