TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
SIHG20N50E-GE3

SIHG20N50E-GE3

MOSFET N-CH 500V 19A TO247AC

Vishay Siliconix

485 -
SIHG20N50E-GE3

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 19A (Tc) 10V 184mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 92 nC @ 10 V ±30V 1640 pF @ 100 V - 179W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
PJD65N04S-AU_L2_002A1

PJD65N04S-AU_L2_002A1

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

3,000 -
PJD65N04S-AU_L2_002A1

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 26A (Ta), 167A (Tc) 4.5V, 10V 2.5mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 50µA 50 nC @ 10 V ±20V 3148 pF @ 25 V - 3W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252AA
NVMJS0D9N04CLTWG

NVMJS0D9N04CLTWG

MOSFET N-CH 40V 50A/330A 8LFPAK

onsemi

2,987 -
NVMJS0D9N04CLTWG

Технический лист

- SOT-1205, 8-LFPAK56 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 50A (Ta), 330A (Tc) 4.5V, 10V 0.82mOhm @ 50A, 10V 2V @ 190µA 143 nC @ 10 V ±20V 8862 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-LFPAK
DMT30M9LPS-13

DMT30M9LPS-13

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI506

Diodes Incorporated

2,490 -
DMT30M9LPS-13

Технический лист

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 1mOhm @ 25A, 10V 3V @ 250µA 160.5 nC @ 10 V ±20V 12121 pF @ 20 V - 2.6W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerDI5060-8 (Type K)
NVMFWS0D7N04XMT1G

NVMFWS0D7N04XMT1G

40V T10M IN S08FL PACKAGE

onsemi

1,255 -
NVMFWS0D7N04XMT1G

Технический лист

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 331A (Tc) 10V 0.7mOhm @ 50A, 10V 3.5V @ 180µA 74.5 nC @ 10 V ±20V 4657 pF @ 25 V - 134W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
CDMSJ22013.8-650 SL

CDMSJ22013.8-650 SL

SUPER JUNCTION MOSFETS

Central Semiconductor Corp

493 -
CDMSJ22013.8-650 SL

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 13.8A (Tc) 10V 280mOhm @ 4.4A, 10V 4V @ 250µA 30 nC @ 10 V 30V 1040 pF @ 400 V - 35.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
IPW65R420CFDFKSA2

IPW65R420CFDFKSA2

MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247-3

Infineon Technologies

120 -
IPW65R420CFDFKSA2

Технический лист

CoolMOS™ CFD2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 8.7A (Tc) 10V 420mOhm @ 3.4A, 10V 4.5V @ 300µA 31.5 nC @ 10 V ±20V 870 pF @ 100 V - 83.3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-41
IXFP30N25X3M

IXFP30N25X3M

MOSFET N-CH 250V 30A TO220

IXYS

262 -
IXFP30N25X3M

Технический лист

HiPerFET™, Ultra X3 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 30A (Tc) 10V 60mOhm @ 15A, 10V 4.5V @ 500µA 21 nC @ 10 V ±20V 1450 pF @ 25 V - 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Isolated Tab
TSM60NC165CI C0G

TSM60NC165CI C0G

600V, 24A, SINGLE N-CHANNEL POWE

Taiwan Semiconductor Corporation

3,989 -
TSM60NC165CI C0G

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 24A (Tc) 10V 165mOhm @ 11.3A, 10V 5V @ 1mA 44 nC @ 10 V ±30V 1857 pF @ 300 V - 89W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220
SUM40012EL-GE3

SUM40012EL-GE3

MOSFET N-CH 40V 150A TO263

Vishay Siliconix

2,434 -
SUM40012EL-GE3

Технический лист

TrenchFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 150A (Tc) 4.5V, 10V 1.67mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 195 nC @ 10 V ±20V 10930 pF @ 20 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
R6010YNX3C16

R6010YNX3C16

600V 10A TO-220AB, HIGH-SPEED SW

Rohm Semiconductor

1,000 -
R6010YNX3C16

Технический лист

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10A (Tc) 10V, 12V 390mOhm @ 4.2A, 12V 6V @ 1.2mA 15 nC @ 10 V ±30V 600 pF @ 100 V - 92W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IPB60R210CFD7ATMA1

IPB60R210CFD7ATMA1

MOSFET N-CH 600V 12A TO263-3

Infineon Technologies

990 -
IPB60R210CFD7ATMA1

Технический лист

CoolMOS™ CFD7 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V 210mOhm @ 4.9A, 10V 4.5V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±20V 1015 pF @ 400 V - 64W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
TK9R7A15Q5,S4X

TK9R7A15Q5,S4X

150V UMOS10-HSD TO-220SIS 9.7MOH

Toshiba Semiconductor and Storage

388 -
TK9R7A15Q5,S4X

Технический лист

U-MOSX-H TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 49A (Tc) 8V, 10V 9.7mOhm @ 24.5A, 10V 4.5V @ 1.1mA 50 nC @ 10 V ±20V 3690 pF @ 75 V - 45W (Tc) 175°C - - Through Hole TO-220SIS
IQE022N06LM5SCATMA1

IQE022N06LM5SCATMA1

OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V

Infineon Technologies

5,868 -
IQE022N06LM5SCATMA1

Технический лист

OptiMOS™ 5 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 24A (Ta), 151A (Tc) 4.5V, 10V 2.2mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 48µA 53 nC @ 10 V ±20V 4420 pF @ 30 V - 2.5W (Ta), 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-WHSON-8-1
IQE022N06LM5CGSCATMA1

IQE022N06LM5CGSCATMA1

OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V

Infineon Technologies

4,651 -
IQE022N06LM5CGSCATMA1

Технический лист

OptiMOS™ 5 9-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 24A (Ta), 151A (Tc) 4.5V, 10V 2.2mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 48µA 53 nC @ 10 V ±20V 4420 pF @ 30 V - 2.5W (Ta), 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-WHTFN-9
PJQ5590-AU_R2_002A1

PJQ5590-AU_R2_002A1

150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

Panjit International Inc.

3,000 -
PJQ5590-AU_R2_002A1

Технический лист

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IPP034N08N5AKSA1

IPP034N08N5AKSA1

MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3

Infineon Technologies

914 -
IPP034N08N5AKSA1

Технический лист

OptiMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 120A (Tc) 6V, 10V 3.4mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 108µA 87 nC @ 10 V ±20V 6240 pF @ 40 V - 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
MCAC160N06Y-TP

MCAC160N06Y-TP

MOSFET N-CH 60 160A DFN5060

Micro Commercial Co

5,000 -
MCAC160N06Y-TP

Технический лист

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 160A (Tc) 6V, 10V 2.5mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 64 nC @ 10 V ±20V 3586 pF @ 20 V - 150W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DFN5060
TK20G60W,RVQ

TK20G60W,RVQ

MOSFET N CH 600V 20A D2PAK

Toshiba Semiconductor and Storage

1,960 -
TK20G60W,RVQ

Технический лист

DTMOSIV TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Ta) 10V 155mOhm @ 10A, 10V 3.7V @ 1mA 48 nC @ 10 V ±30V 1680 pF @ 300 V - 165W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
NVMFS6H824NLWFT1G

NVMFS6H824NLWFT1G

MOSFET N-CH 80V 20A/110A 5DFN

onsemi

1,490 -
NVMFS6H824NLWFT1G

Технический лист

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 20A (Ta), 110A (Tc) 4.5V, 10V 4mOhm @ 20A, 10V 2V @ 140µA 52 nC @ 10 V ±20V 2900 pF @ 40 V - 3.8W (Ta), 116W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Total 36322 Record«Prev1... 286287288289290291292293...1817Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь