TomatoElecОтслеживание заказа TomatoElecМой аккаунт
    Популярные запросы DDZ7V5CS-7 RS1MWF-7 BAS116-7-F AP7345D-1833RH4-7 FCX493TA SDM02U30CSP-7 LM5164DDAR AP22653W6-7 ZXSC410E6TA D8V0L1B2LP-7B
    TomatoElec

    Доступно 24/7 по

    0755-82798135
    TomatoElec TomatoElec
    Все категории
    Главная > Продукты  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить все
    Применить ко всем
    Результат

    FET и MOSFET

    TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

    Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

    Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

    Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IPP089N15NM6AKSA1

    IPP089N15NM6AKSA1

    TRENCH >=100V

    Infineon Technologies

    		 1,981 -
    Запрос цены
    		IPP089N15NM6AKSA1

    Технический лист

         		OptiMOS™ 6 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 13.6A (Ta), 88A (Tc) 8V, 15V 8.4mOhm @ 32A, 15V 4V @ 73µA 38 nC @ 10 V ±20V 2700 pF @ 75 V - 3.8W (Ta), 158W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    RCJ200N20TL

    RCJ200N20TL

    MOSFET N-CH 200V 20A LPTS

    Rohm Semiconductor

    		 976 -
    Запрос цены
    		RCJ200N20TL

    Технический лист

         		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 20A (Tc) 10V 130mOhm @ 10A, 10V 5V @ 1mA 40 nC @ 10 V ±30V 1900 pF @ 25 V - 1.56W (Ta), 106W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LPTS
    NTMFS010N10GTWG

    NTMFS010N10GTWG

    100V MVSOA IN PQFN56 PACKAGE

    onsemi

    		 2,900 -
    Запрос цены
    		NTMFS010N10GTWG

    Технический лист

         		- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 11A (Tc) 10V 10.8mOhm @ 31A, 10V 4V @ 164µA 58.5 nC @ 10 V ±20V 3950 pF @ 50 V - 3W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
    NVMFS4C302NWFT1G

    NVMFS4C302NWFT1G

    MOSFET N-CH 30V 43A/241A 5DFN

    onsemi

    		 1,500 -
    Запрос цены
    		NVMFS4C302NWFT1G

    Технический лист

         		- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 43A (Ta), 241A (Tc) 4.5V, 10V 1.15mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 82 nC @ 10 V ±20V 5780 pF @ 15 V - 3.75W (Ta), 115W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    TK13A50D(STA4,Q,M)

    TK13A50D(STA4,Q,M)

    MOSFET N-CH 500V 13A TO220SIS

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 110 -
    Запрос цены
    		TK13A50D(STA4,Q,M)

    Технический лист

         		π-MOSVII TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 13A (Ta) 10V 400mOhm @ 6.5A, 10V 4V @ 1mA 38 nC @ 10 V ±30V 1800 pF @ 25 V - 45W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
    RS6G120BHTB1

    RS6G120BHTB1

    NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE

    Rohm Semiconductor

    		 2,500 -
    Запрос цены
    		RS6G120BHTB1

    Технический лист

         		- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 6V, 10V 1.38mOhm @ 90A, 10V 4V @ 1mA 67 nC @ 10 V ±20V 4790 pF @ 20 V - 3W (Ta), 104W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSOP
    SI7846DP-T1-GE3

    SI7846DP-T1-GE3

    MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    		 1,914 -
    Запрос цены
    		SI7846DP-T1-GE3

    Технический лист

         		TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 4A (Ta) 10V 50mOhm @ 5A, 10V 4.5V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±20V - - 1.9W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    FDPF035N06B-F154

    FDPF035N06B-F154

    MOSFET N-CH 60V 88A TO220F

    onsemi

    		 985 -
    Запрос цены
    		FDPF035N06B-F154

    Технический лист

         		PowerTrench® TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 88A (Tc) - 3.5mOhm @ 88A, 10V 4V @ 250µA 99 nC @ 10 V ±20V 8030 pF @ 30 V - 46.3W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
    SIHA20N50E-E3

    SIHA20N50E-E3

    MOSFET N-CH 500V 19A TO220

    Vishay Siliconix

    		 496 -
    Запрос цены
    		SIHA20N50E-E3

    Технический лист

         		- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 19A (Tc) 10V 184mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 92 nC @ 10 V ±30V 1640 pF @ 100 V - 34W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
    NTMJS1D2N04CLTWG

    NTMJS1D2N04CLTWG

    MOSFET N-CH 40V 41A/237A 8LFPAK

    onsemi

    		 3,000 -
    Запрос цены
    		NTMJS1D2N04CLTWG

    Технический лист

         		- SOT-1205, 8-LFPAK56 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 41A (Ta), 237A (Tc) 4.5V, 10V 1.2mOhm @ 50A, 10V 2V @ 170µA 93 nC @ 10 V ±20V 5600 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 128W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-LFPAK
    IPI120N04S401AKSA1

    IPI120N04S401AKSA1

    MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3

    Infineon Technologies

    		 225 -
    Запрос цены
    		IPI120N04S401AKSA1

    Технический лист

         		OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 10V 1.9mOhm @ 100A, 10V 4V @ 140µA 176 nC @ 10 V ±20V 14000 pF @ 25 V - 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
    SIRS4302DP-T1-GE3

    SIRS4302DP-T1-GE3

    N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE

    Vishay Siliconix

    		 11,921 -
    Запрос цены
    		SIRS4302DP-T1-GE3

    Технический лист

         		TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 87A (Ta), 478A (Tc) 4.5V, 10V 0.57mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 230 nC @ 10 V +20V, -16V 10150 pF @ 15 V - 6.9W (Ta), 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    RS6L120BHTB1

    RS6L120BHTB1

    NCH 60V 150A, HSOP8, POWER MOSFE

    Rohm Semiconductor

    		 2,500 -
    Запрос цены
    		RS6L120BHTB1

    Технический лист

         		- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120A (Tc) 6V, 10V 2.7mOhm @ 90A, 10V 4V @ 1mA 51 nC @ 10 V ±20V 4080 pF @ 30 V - 3W (Ta), 104W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSOP
    PSMN5R0-80BS,118

    PSMN5R0-80BS,118

    MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK

    Nexperia USA Inc.

    		 4,257 -
    Запрос цены
    		PSMN5R0-80BS,118

    Технический лист

         		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 100A (Tc) 10V 5.1mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 101 nC @ 10 V ±20V 6793 pF @ 40 V - 270W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IPI60R199CPXKSA2

    IPI60R199CPXKSA2

    HIGH POWER_LEGACY

    Infineon Technologies

    		 500 -
    Запрос цены
    		IPI60R199CPXKSA2

    Технический лист

         		CoolMOS® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 16A (Tc) 10V 199mOhm @ 9.9A, 10V 3.5V @ 660µA 43 nC @ 10 V ±20V 1520 pF @ 100 V - 139W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3-1
    SIHB25N50E-GE3

    SIHB25N50E-GE3

    MOSFET N-CH 500V 26A TO263

    Vishay Siliconix

    		 1,000 -
    Запрос цены
    		SIHB25N50E-GE3

    Технический лист

         		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 26A (Tc) 10V 145mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 86 nC @ 10 V ±30V 1980 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    XPJR6604PB,LXHQ

    XPJR6604PB,LXHQ

    40V; UMOS9; 0.66MOHM; S-TOGL

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 7,017 -
    Запрос цены
    		XPJR6604PB,LXHQ

    Технический лист

         		U-MOSIX-H 5-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 200A (Ta) 6V, 10V 0.66mOhm @ 100A, 10V 3V @ 1mA 128 nC @ 10 V ±20V 11380 pF @ 10 V - 375W (Tc) 175°C Automotive AEC-Q101 Surface Mount S-TOGL™
    NVMJS0D9N04CTWG

    NVMJS0D9N04CTWG

    MOSFET N-CH 40V 52A/342A 8LFPAK

    onsemi

    		 2,123 -
    Запрос цены
    		NVMJS0D9N04CTWG

    Технический лист

         		- SOT-1205, 8-LFPAK56 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 52A (Ta), 342A (Tc) 10V 0.81mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 117 nC @ 10 V 20V 7400 pF @ 20 V - 4.2W (Ta), 180W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-LFPAK
    IPT65R190CFD7XTMA1

    IPT65R190CFD7XTMA1

    MOSFET N-CH 650V 8HSOF

    Infineon Technologies

    		 1,990 -
    Запрос цены
    		IPT65R190CFD7XTMA1

    Технический лист

         		CoolMOS™ CFD7 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V - - - - - - - - - - - - Surface Mount PG-HSOF-8-2
    IPB65R230CFD7AATMA1

    IPB65R230CFD7AATMA1

    AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3

    Infineon Technologies

    		 820 -
    Запрос цены
    		IPB65R230CFD7AATMA1

    Технический лист

         		CoolMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11A (Tc) 10V 230mOhm @ 5.2A, 10V 4.5V @ 260µA 23 nC @ 10 V ±20V 1044 pF @ 400 V - 63W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    Total 36322 Record«Prev1... 288289290291292293294295...1817Next»
    TomatoElec

    Поиск

     TomatoElec

    Продукты

     TomatoElec

    Телефон

     TomatoElec

    Пользователь
    TomatoElec
    [email protected]
    0755-82798135