TomatoElecОтслеживание заказа TomatoElecМой аккаунт
    Популярные запросы DDZ7V5CS-7 RS1MWF-7 BAS116-7-F AP7345D-1833RH4-7 FCX493TA SDM02U30CSP-7 LM5164DDAR AP22653W6-7 ZXSC410E6TA D8V0L1B2LP-7B
    TomatoElec

    Доступно 24/7 по

    0755-82798135
    TomatoElec TomatoElec
    Все категории
    Главная > Продукты  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить все
    Применить ко всем
    Результат

    FET и MOSFET

    TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

    Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

    Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

    Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    R6077VNZC17

    R6077VNZC17

    600V 29A TO-3PF, PRESTOMOS WITH

    Rohm Semiconductor

    		 420 -
    Запрос цены
    		R6077VNZC17

    Технический лист

         		- TO-3P-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 29A (Tc) 10V, 15V 51mOhm @ 23A, 15V 6.5V @ 1.9mA 108 nC @ 10 V ±30V 5200 pF @ 100 V - 113W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
    GAN111-650WSBQ

    GAN111-650WSBQ

    GAN111-650WSB/SOT429/TO-247

    Nexperia USA Inc.

    		 249 -
    Запрос цены
    		GAN111-650WSBQ

    Технический лист

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 21A (Ta) 10V 114mOhm @ 14A, 10V 4.8V @ 1mA 4.9 nC @ 10 V ±20V 336 pF @ 400 V - 107W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3L
    NTBLS001N06C

    NTBLS001N06C

    MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF

    onsemi

    		 1,764 -
    Запрос цены
    		NTBLS001N06C

    Технический лист

         		- 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 51A (Ta), 422A (Tc) 6V, 10V 0.9mOhm @ 80A, 10V 4V @ 562µA 143 nC @ 10 V ±20V 11575 pF @ 30 V - 4.2W (Ta), 284W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-HPSOF
    AOK150V120X2

    AOK150V120X2

    1200V SILICON CARBIDE MOSFET

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 220 -
    Запрос цены
    		AOK150V120X2

    Технический лист

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 20A (Tc) 15V 195mOhm @ 3.9A, 15V 3.6V @ 3.9mA 28.3 nC @ 15 V +15V, -5V 664 pF @ 800 V - 115W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247
    IPF021N13NM6ATMA1

    IPF021N13NM6ATMA1

    TRENCH >=100V

    Infineon Technologies

    		 820 -
    Запрос цены
    		IPF021N13NM6ATMA1

    Технический лист

         		- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IPT129N20NM6ATMA1

    IPT129N20NM6ATMA1

    TRENCH >=100V

    Infineon Technologies

    		 1,895 -
    Запрос цены
    		IPT129N20NM6ATMA1

    Технический лист

         		OptiMOS™ 6 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 11A (Ta), 87A (Tc) 10V, 15V 12mOhm @ 65A, 15V 4.5V @ 129µA 56 nC @ 10 V ±20V 3800 pF @ 100 V - 3.8W (Ta), 234W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-8-1
    R6049YNZ4C13

    R6049YNZ4C13

    NCH 600V 49A, TO-247G, POWER MOS

    Rohm Semiconductor

    		 590 -
    Запрос цены
    		R6049YNZ4C13

    Технический лист

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 49A (Tc) 10V, 12V 82mOhm @ 11A, 12V 6V @ 2.9mA 65 nC @ 10 V ±30V 2940 pF @ 100 V - 448W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
    MCTL300N10YHE3-TP

    MCTL300N10YHE3-TP

    N-CHANNEL MOSFET,TOLL-8L

    Micro Commercial Co

    		 3,900 -
    Запрос цены
    		MCTL300N10YHE3-TP

    Технический лист

         		- 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 300A (Tc) 10V 1.55mOhm @ 30A, 10V 3.9V @ 250µA 166 nC @ 10 V ±20V 10051 pF @ 50 V - 375W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TOLL-8L
    RJ1R10BBHTL1

    RJ1R10BBHTL1

    NCH 150V 105A, TO-263AB, POWER M

    Rohm Semiconductor

    		 790 -
    Запрос цены

    -

    		 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 105A (Tc) 6V, 10V 8.2mOhm @ 50A, 10V 4V @ 1mA 130 nC @ 10 V ±20V 7750 pF @ 75 V - 181W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AB
    R6038YNZ4C13

    R6038YNZ4C13

    600V 38A TO-247, HIGH-SPEED SWIT

    Rohm Semiconductor

    		 569 -
    Запрос цены
    		R6038YNZ4C13

    Технический лист

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 38A (Tj) 10V, 12V 96mOhm @ 9A, 12V 6V @ 2.5mA 50 nC @ 10 V ±30V 2350 pF @ 100 V - 348W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
    NTPF095N65S3H

    NTPF095N65S3H

    POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

    onsemi

    		 715 -
    Запрос цены
    		NTPF095N65S3H

    Технический лист

         		SuperFET® III TO-220-3 Full Pack Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 30A (Tj) 10V 95mOhm @ 15A, 10V 4V @ 2.8mA 58 nC @ 10 V ±30V 2833 pF @ 400 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    IPI60R099CPXKSA1

    IPI60R099CPXKSA1

    MOSFET N-CH 600V 31A TO262-3

    Infineon Technologies

    		 493 -
    Запрос цены
    		IPI60R099CPXKSA1

    Технический лист

         		CoolMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 31A (Tc) 10V 99mOhm @ 18A, 10V 3.5V @ 1.2mA 80 nC @ 10 V ±20V 2800 pF @ 100 V - 255W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
    NVHL1000N170M1

    NVHL1000N170M1

    SIC 1700V MOS 1O IN TO247-3L

    onsemi

    		 397 -
    Запрос цены
    		NVHL1000N170M1

    Технический лист

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1700 V 4.2A (Tc) 20V 1.43Ohm @ 2A, 20V 4.3V @ 640µA 14 nC @ 20 V +25V, -15V 150 pF @ 1000 V - 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
    IMTA65R050M2HXTMA1

    IMTA65R050M2HXTMA1

    SILICON CARBIDE MOSFET

    Infineon Technologies

    		 254 -
    Запрос цены
    		IMTA65R050M2HXTMA1

    Технический лист

         		- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IPA65R065C7XKSA1

    IPA65R065C7XKSA1

    MOSFET N-CH 650V 15A TO220-FP

    Infineon Technologies

    		 230 -
    Запрос цены
    		IPA65R065C7XKSA1

    Технический лист

         		CoolMOS™ C7 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 15A (Tc) 10V 65mOhm @ 17.1A, 10V 4V @ 850µA 64 nC @ 10 V ±20V 3020 pF @ 400 V - 34W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
    IPT60T040S7XTMA1

    IPT60T040S7XTMA1

    HIGH POWER_NEW

    Infineon Technologies

    		 1,998 -
    Запрос цены
    		IPT60T040S7XTMA1

    Технический лист

         		CoolMOS™ 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13A (Tj) 12V 40mOhm @ 13A, 12V 4.5V @ 780µA 83 nC @ 12 V ±20V 3128 pF @ 300 V - 245W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-8-2
    NTHL023N065M3S

    NTHL023N065M3S

    SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S

    onsemi

    		 315 -
    Запрос цены
    		NTHL023N065M3S

    Технический лист

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 67.9A (Tc) 15V, 18V 23mOhm @ 20A, 18V 2.62V @ 10mA 70.1 nC @ 18 V +22V, -8V 1782 pF @ 400 V - 245W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3LD
    NTMTS1D5N08MC

    NTMTS1D5N08MC

    PTNG 80V IN CEBU PQFN88

    onsemi

    		 3,000 -
    Запрос цены
    		NTMTS1D5N08MC

    Технический лист

         		- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 33A (Ta), 287A (Tc) 6V, 10V 1.56mOhm @ 80A, 10V 4V @ 650µA 140 nC @ 10 V ±20V 10400 pF @ 40 V - 3.3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFNW (8.3x8.4)
    NTH4L095N065SC1

    NTH4L095N065SC1

    SIC MOS TO247-4L 650V

    onsemi

    		 420 -
    Запрос цены
    		NTH4L095N065SC1

    Технический лист

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 31A (Tc) 15V, 18V 105mOhm @ 12A, 18V 4.3V @ 4mA 50 nC @ 10 V +22V, -8V 956 pF @ 325 V - 129W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    NTH4L070N120M3S

    NTH4L070N120M3S

    SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL

    onsemi

    		 175 -
    Запрос цены
    		NTH4L070N120M3S

    Технический лист

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 34A (Tc) 18V 87mOhm @ 15A, 18V 4.4V @ 7mA 57 nC @ 18 V +22V, -10V 1230 pF @ 800 V - 160W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    Total 36322 Record«Prev1... 310311312313314315316317...1817Next»
    TomatoElec

    Поиск

     TomatoElec

    Продукты

     TomatoElec

    Телефон

     TomatoElec

    Пользователь
    TomatoElec
    [email protected]
    0755-82798135