TomatoElecОтслеживание заказа TomatoElecМой аккаунт
    Популярные запросы DDZ7V5CS-7 RS1MWF-7 BAS116-7-F AP7345D-1833RH4-7 FCX493TA SDM02U30CSP-7 LM5164DDAR AP22653W6-7 ZXSC410E6TA D8V0L1B2LP-7B
    TomatoElec

    Доступно 24/7 по

    0755-82798135
    TomatoElec TomatoElec
    Все категории
    Главная > Продукты  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить все
    Применить ко всем
    Результат

    FET и MOSFET

    TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

    Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

    Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

    Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    AOB66914L

    AOB66914L

    N

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 800 -
    Запрос цены
    		AOB66914L

    Технический лист

         		AlphaSGT™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 45A (Ta), 120A (Tc) 6V, 10V 3.5mOhm @ 20A, 6V 3.5V @ 250µA 220 nC @ 10 V ±20V 12500 pF @ 50 V - 10W (Ta), 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IPZ60R060C7XKSA1

    IPZ60R060C7XKSA1

    MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4

    Infineon Technologies

    		 229 -
    Запрос цены
    		IPZ60R060C7XKSA1

    Технический лист

         		CoolMOS™ C7 TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 35A (Tc) 10V 60mOhm @ 15.9A, 10V 4V @ 800µA 68 nC @ 10 V ±20V 2850 pF @ 400 V - 162W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4
    IMW65R050M2HXKSA1

    IMW65R050M2HXKSA1

    SILICON CARBIDE MOSFET

    Infineon Technologies

    		 207 -
    Запрос цены
    		IMW65R050M2HXKSA1

    Технический лист

         		CoolSiC™ Gen 2 TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 38A (Tc) 15V, 20V 46mOhm @ 18.2A, 20V 5.6V @ 3.7mA 22 nC @ 18 V +23V, -7V 790 pF @ 400 V - 153W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-40
    NVMTS001N06CTXG

    NVMTS001N06CTXG

    MOSFET N-CH 60V 53.7A/376A 8DFNW

    onsemi

    		 6,000 -
    Запрос цены
    		NVMTS001N06CTXG

    Технический лист

         		- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 53.7A (Ta), 376A (Tc) 10V 0.91mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 113 nC @ 10 V ±20V 8705 pF @ 30 V - 5W (Ta), 244W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-DFNW (8.3x8.4)
    IPDQ65R040CFD7XTMA1

    IPDQ65R040CFD7XTMA1

    HIGH POWER_NEW

    Infineon Technologies

    		 744 -
    Запрос цены
    		IPDQ65R040CFD7XTMA1

    Технический лист

         		CoolMOS™ 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 64A (Tc) 10V 40mOhm @ 24.8A, 10V 4.5V @ 1.24mA 97 nC @ 10 V ±20V 4975 pF @ 400 V - 357W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HDSOP-22-1
    IPT020N13NM6ATMA1

    IPT020N13NM6ATMA1

    TRENCH >=100V

    Infineon Technologies

    		 1,416 -
    Запрос цены
    		IPT020N13NM6ATMA1

    Технический лист

         		- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    GS-065-014-6-LR-MR

    GS-065-014-6-LR-MR

    GS-065-014-6-LR-MR

    Infineon Technologies Canada Inc.

    		 227 -
    Запрос цены

    -

    		 - 8-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 700 V 15.2A (Tc) 6V 138mOhm @ 4A, 6V 2.6V @ 3mA 2.7 nC @ 6 V +7V, -10V 85 pF @ 400 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PDFN (8x8)
    AOTL66912Q

    AOTL66912Q

    LINEAR IC

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 1,898 -
    Запрос цены

    -

    		 AlphaSGT™ 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 53A (Ta), 370A (Tc) 6V, 10V 1.7mOhm @ 100A, 10V 3.5V @ 250µA 220 nC @ 10 V ±20V 12500 pF @ 50 V - 10W (Ta), 500W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TOLLA
    IMT65R072M1HXUMA1

    IMT65R072M1HXUMA1

    SILICON CARBIDE MOSFET

    Infineon Technologies

    		 1,919 -
    Запрос цены
    		IMT65R072M1HXUMA1

    Технический лист

         		CoolSiC™ 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active - SiCFET (Silicon Carbide) 650 V - 18V - - - - - - - - - - Surface Mount PG-HSOF-8-2
    RX3G18BBGC16

    RX3G18BBGC16

    NCH 40V 180A, TO-220AB, POWER MO

    Rohm Semiconductor

    		 937 -
    Запрос цены
    		RX3G18BBGC16

    Технический лист

         		- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 180A (Tc) 4.5V, 10V 1.47mOhm @ 90A, 10V 2.5V @ 1mA 210 nC @ 10 V ±20V 13200 pF @ 20 V - 192W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    NTHL075N065SC1

    NTHL075N065SC1

    SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E

    onsemi

    		 730 -
    Запрос цены
    		NTHL075N065SC1

    Технический лист

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 38A (Tc) 15V, 18V 85mOhm @ 15A, 18V 4.3V @ 5mA 61 nC @ 18 V +22V, -8V 1196 pF @ 325 V - 148W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    SIHK075N60EF-T1GE3

    SIHK075N60EF-T1GE3

    E SERIES POWER MOSFET WITH FAST

    Vishay Siliconix

    		 1,926 -
    Запрос цены
    		SIHK075N60EF-T1GE3

    Технический лист

         		EF 8-PowerBSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 33A (Tc) 10V 71mOhm @ 15A, 10V 5V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±30V 2954 pF @ 100 V - 192W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK®10 x 12
    C3M0350120J-TR

    C3M0350120J-TR

    SIC, MOSFET, 350M,1200V, TO-263-

    Wolfspeed, Inc.

    		 777 -
    Запрос цены
    		C3M0350120J-TR

    Технический лист

         		C3M™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 7.2A (Tc) 15V 455mOhm @ 3.6A, 15V 3.6V @ 1mA 13 nC @ 15 V +15V, -4V 345 pF @ 1000 V - 40.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    MSC060SMA070SCT/R

    MSC060SMA070SCT/R

    MOSFET SIC 700 V 60 MOHM PSMT

    Microchip Technology

    		 1,300 -
    Запрос цены

    -

    		 - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    MSC060SMA070SDT/R

    MSC060SMA070SDT/R

    MOSFET SIC 700 V 60 MOHM TO-263-

    Microchip Technology

    		 790 -
    Запрос цены
    		MSC060SMA070SDT/R

    Технический лист

         		mSiC™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 700 V 51A (Tc) 18V, 20V 75mOhm @ 20A, 20V 5V @ 1mA 56 nC @ 20 V +23V, -10V 1160 pF @ 700 V - 240W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    IMZA65R050M2HXKSA1

    IMZA65R050M2HXKSA1

    SILICON CARBIDE MOSFET

    Infineon Technologies

    		 205 -
    Запрос цены
    		IMZA65R050M2HXKSA1

    Технический лист

         		CoolSiC™ Gen 2 TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 38A (Tc) 15V, 20V 46mOhm @ 18.2A, 20V 5.6V @ 3.7mA 22 nC @ 18 V +23V, -7V 790 pF @ 400 V - 153W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4-8
    SICW1000N170A-BP

    SICW1000N170A-BP

    N-CHANNEL MOSFET,TO-247AB

    Micro Commercial Co

    		 300 -
    Запрос цены
    		SICW1000N170A-BP

    Технический лист

         		- TO-247-3 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1700 V 3A 15V, 20V 1.32Ohm @ 1.5A, 20V 4.5V @ 1mA 15.5 nC @ 20 V +25V, -5V 124 pF @ 1000 V - 69W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AB
    MSJB11N80A-TP

    MSJB11N80A-TP

    N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK

    Micro Commercial Co

    		 1,600 -
    Запрос цены
    		MSJB11N80A-TP

    Технический лист

         		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 11A (Tc) 10V 470mOhm @ 7.1A, 10V 4.5V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±20V 958 pF @ 400 V - 156W (Tj) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    AOK060V65X2

    AOK060V65X2

    650V SILICON CARBIDE MOSFET

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 240 -
    Запрос цены
    		AOK060V65X2

    Технический лист

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 29A (Tc) 15V 80mOhm @ 6A, 15V 3.5V @ 6mA 39.4 nC @ 15 V +15V, -5V 1165 pF @ 400 V - 103W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247
    AOM060V65X2

    AOM060V65X2

    650V SILICON CARBIDE MOSFET

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 240 -
    Запрос цены
    		AOM060V65X2

    Технический лист

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 29A (Tc) 15V 80mOhm @ 6A, 15V 3.5V @ 6mA 39.4 nC @ 15 V +15V, -5V 1165 pF @ 400 V - 103W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    Total 36322 Record«Prev1... 312313314315316317318319...1817Next»
    TomatoElec

    Поиск

     TomatoElec

    Продукты

     TomatoElec

    Телефон

     TomatoElec

    Пользователь
    TomatoElec
    [email protected]
    0755-82798135