TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
PJMF099N60EC_T0_00601

PJMF099N60EC_T0_00601

600V/ 99M / 39A/ EASY TO DRIVER

Panjit International Inc.

2,000 -
PJMF099N60EC_T0_00601

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 39A (Tc) 10V 99mOhm @ 19.5A, 10V 4V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±30V 2568 pF @ 400 V - 34W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220AB-F
RX3R10BBHC16

RX3R10BBHC16

NCH 150V 105A, TO-220AB, POWER M

Rohm Semiconductor

988 -
RX3R10BBHC16

Технический лист

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 105A (Tc) 6V, 10V 8.8mOhm @ 50A, 10V 4V @ 1mA 130 nC @ 10 V ±20V 7550 pF @ 75 V - 181W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
NVHL065N65S3F

NVHL065N65S3F

SUPERFET3 650V TO247

onsemi

398 -
NVHL065N65S3F

Технический лист

SuperFET® III, FRFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 46A (Tc) 10V 65mOhm @ 23A, 10V 5V @ 1.3mA 98 nC @ 10 V ±30V 4075 pF @ 400 V - 337W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IMZA65R060M2HXKSA1

IMZA65R060M2HXKSA1

IMZA65R060M2HXKSA1

Infineon Technologies

400 -
IMZA65R060M2HXKSA1

Технический лист

CoolSiC™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 650 V 32.8A (Tc) 15V, 20V 55mOhm @ 15.4A, 20V 5.6V @ 3.1mA 19 nC @ 18 V +23V, -7V 669 pF @ 400 V - 130W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4-8
R6086YNZC17

R6086YNZC17

NCH 600V 33A, TO-3PF, POWER MOSF

Rohm Semiconductor

300 -
R6086YNZC17

Технический лист

- TO-3P-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 33A (Tc) 10V, 12V 44mOhm @ 17A, 12V 6V @ 4.6mA 110 nC @ 10 V ±30V 5100 pF @ 100 V - 114W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
NTBLS002N08MC

NTBLS002N08MC

MOSFET N-CH 80V 28A/238A 8HPSOF

onsemi

2,000 -
NTBLS002N08MC

Технический лист

- 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 28A (Ta), 238A (Tc) 6V, 10V 2mOhm @ 80A, 10V 4V @ 530µA 92 nC @ 10 V ±20V 6580 pF @ 40 V - 2.9W (Ta), 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HPSOF
PSMNR90-80ASEJ

PSMNR90-80ASEJ

PSMNR90-80ASE/SOT8000A/CCPAK12

Nexperia USA Inc.

250 -
PSMNR90-80ASEJ

Технический лист

- 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 495A (Tc) 10V 0.9mOhm @ 25A, 10V 3.6V @ 1mA 504 nC @ 10 V ±20V 36802 pF @ 40 V - 1.55kW (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount CCPAK1212
AIMZA75R090M1HXKSA1

AIMZA75R090M1HXKSA1

AUTOMOTIVE_SICMOS

Infineon Technologies

229 -
AIMZA75R090M1HXKSA1

Технический лист

CoolSiC™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 23A (Tj) 15V, 20V 83mOhm @ 7.4A, 20V 5.6V @ 2.6mA 15 nC @ 18 V +23V, -5V 542 pF @ 500 V - 113W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO247-4
NTH4L023N065M3S

NTH4L023N065M3S

SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S

onsemi

458 -
NTH4L023N065M3S

Технический лист

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 40A (Tc) 15V, 18V 33mOhm @ 20A, 18V 4V @ 10mA 69 nC @ 18 V +22V, -8V 1952 pF @ 400 V - 245W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
SCT3160KWAHRTL

SCT3160KWAHRTL

1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST

Rohm Semiconductor

1,000 -
SCT3160KWAHRTL

Технический лист

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 17A (Tc) 18V 208mOhm @ 5A, 18V 5.6V @ 2.5mA 42 nC @ 18 V +22V, -4V 398 pF @ 800 V - - 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7LA
IMBG40R025M2HXTMA1

IMBG40R025M2HXTMA1

SIC-MOS

Infineon Technologies

900 -
IMBG40R025M2HXTMA1

Технический лист

CoolSiC™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 400 V 9A (Ta), 68A (Tc) 15V, 18V 32.1mOhm @ 15.7A, 18V 5.6V @ 5.6mA 36 nC @ 18 V +23V, -7V 1690 pF @ 200 V - 3.8W (Ta), 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-11
SCT3105KRC15

SCT3105KRC15

1200V, 24A, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Rohm Semiconductor

370 -
SCT3105KRC15

Технический лист

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 24A (Tj) 18V 137mOhm @ 7.6A, 18V 5.6V @ 3.81mA 51 nC @ 18 V +22V, -4V 574 pF @ 800 V - 134W 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
AIMCQ120R080M1TXTMA1

AIMCQ120R080M1TXTMA1

SIC_DISCRETE

Infineon Technologies

770 -

-

CoolSiC™ 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 34A (Tc) 18V, 20V 100mOhm @ 10A, 20V 5.1V @ 3.3mA 24 nC @ 20 V +25V, -10V 671 pF @ 800 V - 211W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-HDSOP-22
STB28NM60ND

STB28NM60ND

MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK

STMicroelectronics

1,427 -
STB28NM60ND

Технический лист

FDmesh™ II TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 23A (Tc) 10V 150mOhm @ 11.5A, 10V 5V @ 250µA 62.5 nC @ 10 V ±25V 2090 pF @ 100 V - 190W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
G3F60MT06J-TR

G3F60MT06J-TR

650V 55M TO-263-7 G3F SIC MOSFET

GeneSiC Semiconductor

800 -

-

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 650 V 44A (Tc) 15V, 18V 75mOhm @ 15A, 18V 4.3V @ 7mA 45 nC @ 18 V +22V, -10V 1322 pF @ 400 V - 155W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7
PJMH074N60FRCH_T0_00601

PJMH074N60FRCH_T0_00601

600V/ 74M / 53A/ FAST RECOVERY Q

Panjit International Inc.

1,491 -
PJMH074N60FRCH_T0_00601

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 53A 10V - - 84 nC @ 10 V ±30V - - - - - - Through Hole TO-247AD
SIHP054N65E-GE3

SIHP054N65E-GE3

E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,

Vishay Siliconix

1,037 -
SIHP054N65E-GE3

Технический лист

E TO-220-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 47A (Tc) 10V 58mOhm @ 20A, 10V 5V @ 250µA 108 nC @ 20 V ±30V 3769 pF @ 100 V - 312W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IPDQ60R035CFD7XTMA1

IPDQ60R035CFD7XTMA1

HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22

Infineon Technologies

750 -
IPDQ60R035CFD7XTMA1

Технический лист

CoolMOS™ 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active - MOSFET (Metal Oxide) 600 V - - - - - - - - - - - - Surface Mount PG-HDSOP-22-1
IMLT65R040M2HXTMA1

IMLT65R040M2HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

Infineon Technologies

327 -
IMLT65R040M2HXTMA1

Технический лист

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
S2M0080120J

S2M0080120J

MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

SMC Diode Solutions

230 -
S2M0080120J

Технический лист

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 37A (Tj) 20V 100mOhm @ 20A, 20V 4V @ 10mA 54 nC @ 20 V +20V, -5V 1324 pF @ 1000 V - 234W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
Total 36322 Record«Prev1... 314315316317318319320321...1817Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь