TomatoElecОтслеживание заказа TomatoElecМой аккаунт
    Популярные запросы DDZ7V5CS-7 RS1MWF-7 BAS116-7-F AP7345D-1833RH4-7 FCX493TA SDM02U30CSP-7 LM5164DDAR AP22653W6-7 ZXSC410E6TA D8V0L1B2LP-7B
    TomatoElec

    Доступно 24/7 по

    0755-82798135
    TomatoElec TomatoElec
    Все категории
    Главная > Продукты  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить все
    Применить ко всем
    Результат

    FET и MOSFET

    TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

    Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

    Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

    Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    AIMDQ75R060M1HXUMA1

    AIMDQ75R060M1HXUMA1

    AUTOMOTIVE_SICMOS

    Infineon Technologies

    		 738 -
    Запрос цены

    -

    		 CoolSiC™ 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 34A (Tc) 15V, 20V 78mOhm @ 11.1A, 18V 5.6V @ 4mA 23 nC @ 18 V +23V, -5V 779 pF @ 500 V - 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-HDSOP-22
    E3M0160120J2-TR

    E3M0160120J2-TR

    160m 1200V SiC FET, TO-263-7 XL

    Wolfspeed, Inc.

    		 763 -
    Запрос цены
    		E3M0160120J2-TR

    Технический лист

         		E TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 18A (Tc) 15V 208mOhm @ 8.5A, 15V 3.8V @ 2.33mA 28 nC @ 15 V +19V, -8V 730 pF @ 1000 V - 104W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7
    NVHL050N65S3F

    NVHL050N65S3F

    SF3 FRFET AUTO 50MOHM TO-247

    onsemi

    		 450 -
    Запрос цены
    		NVHL050N65S3F

    Технический лист

         		SuperFET® III, FRFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 58A (Tc) 10V 50mOhm @ 29A, 10V 5V @ 1.7mA 123 nC @ 10 V ±30V 5404 pF @ 400 V - 403W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    TSG65N195CE RVG

    TSG65N195CE RVG

    650V, 11A, PDFN88, E-MODE GAN TR

    Taiwan Semiconductor Corporation

    		 3,000 -
    Запрос цены
    		TSG65N195CE RVG

    Технический лист

         		* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IMBG120R034M2HXTMA1

    IMBG120R034M2HXTMA1

    SIC DISCRETE

    Infineon Technologies

    		 980 -
    Запрос цены

    -

    		 - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    MXP120A080FW-GE3

    MXP120A080FW-GE3

    SILICON CARBIDE MOSFET

    Vishay Siliconix

    		 540 -
    Запрос цены

    -

    		 MaxSiC™ TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 29A (Tc) 18V, 20V 100mOhm @ 20A, 20V 2.69V @ 5mA 47.3 nC @ 18 V +22V, -10V 1156 pF @ 800 V - 139W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3L
    AOM060V75X2Q

    AOM060V75X2Q

    750V SILICON CARBIDE MOSFET

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 330 -
    Запрос цены
    		AOM060V75X2Q

    Технический лист

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 29A (Tc) 15V 80mOhm @ 6A, 15V 3.5V @ 6mA 39.4 nC @ 15 V +15V, -5V 1165 pF @ 400 V - 103W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
    AOK060V75X2Q

    AOK060V75X2Q

    750V SILICON CARBIDE MOSFET

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 240 -
    Запрос цены
    		AOK060V75X2Q

    Технический лист

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 29A (Tc) 15V 80mOhm @ 6A, 15V 3.5V @ 6mA 39.4 nC @ 15 V +15V, -5V 1165 pF @ 400 V - 103W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247
    AUIRF7669L2TR

    AUIRF7669L2TR

    MOSFET N-CH 100V 19A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    		 3,964 -
    Запрос цены
    		AUIRF7669L2TR

    Технический лист

         		HEXFET® DirectFET™ Isometric L8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 19A (Ta), 114A (Tc) 10V 4.4mOhm @ 68A, 10V 5V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 5660 pF @ 25 V - 3.3W (Ta), 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DirectFET™ Isometric L8
    IMDQ75R040M1HXUMA1

    IMDQ75R040M1HXUMA1

    SILICON CARBIDE MOSFET

    Infineon Technologies

    		 674 -
    Запрос цены
    		IMDQ75R040M1HXUMA1

    Технический лист

         		CoolSiC™ 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 47A (Tc) 15V, 20V 37mOhm @ 16.6A, 20V 5.6V @ 6mA 34 nC @ 18 V +23V, -5V 1135 pF @ 500 V - 211W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HDSOP-22-1
    NVH050N65S3F

    NVH050N65S3F

    SF3 FRFET AUTO 50MOHM TO-247

    onsemi

    		 443 -
    Запрос цены
    		NVH050N65S3F

    Технический лист

         		SuperFET® III TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 58A (Tc) 10V 50mOhm @ 29A, 10V 5V @ 1.7mA 123 nC @ 10 V ±30V 5404 pF @ 400 V - 403W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    SCT3080ARC15

    SCT3080ARC15

    650V, 30A, 4-PIN THD, TRENCH-STR

    Rohm Semiconductor

    		 439 -
    Запрос цены
    		SCT3080ARC15

    Технический лист

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 30A (Tj) 18V 104mOhm @ 10A, 18V 5.6V @ 5mA 48 nC @ 18 V +22V, -4V 571 pF @ 500 V - 134W 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    G3F75MT12J-TR

    G3F75MT12J-TR

    1200V 75M TO-263-7 G3F SIC MOSFE

    GeneSiC Semiconductor

    		 800 -
    Запрос цены

    -

    		 - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 31A (Tc) 18V 100mOhm @ 12A, 18V 4.3V @ 9mA 48 nC @ 18 V +22V, -10V 988 pF @ 800 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7
    IXTA1N200P3HV-TRL

    IXTA1N200P3HV-TRL

    MOSFET N-CH 2000V 1A TO263HV

    Littelfuse Inc.

    		 789 -
    Запрос цены

    -

    		 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2000 V 1A (Tc) 10V 40Ohm @ 500mA, 10V 4V @ 250µA 23.5 nC @ 10 V ±20V 646 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263HV
    C3M0120065J-TR

    C3M0120065J-TR

    SIC, MOSFET, 120M, 650V, TO-263-

    Wolfspeed, Inc.

    		 1,590 -
    Запрос цены
    		C3M0120065J-TR

    Технический лист

         		- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Last Time Buy N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 21A (Tc) 15V 157mOhm @ 6.76A, 15V 3.6V @ 1.86mA 26 nC @ 15 V +19V, -8V 640 pF @ 400 V - 86W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    IMT65R048M1HXUMA1

    IMT65R048M1HXUMA1

    SILICON CARBIDE MOSFET

    Infineon Technologies

    		 1,942 -
    Запрос цены
    		IMT65R048M1HXUMA1

    Технический лист

         		CoolSiC™ 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active - SiCFET (Silicon Carbide) 650 V - 18V - - - - - - - - - - Surface Mount PG-HSOF-8-2
    SCT3080ARHRC15

    SCT3080ARHRC15

    650V, 30A, 4-PIN THD, TRENCH-STR

    Rohm Semiconductor

    		 816 -
    Запрос цены
    		SCT3080ARHRC15

    Технический лист

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 30A (Tc) 18V 104mOhm @ 10A, 18V 5.6V @ 5mA 48 nC @ 18 V +22V, -4V 571 pF @ 500 V - 134W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
    SICW025N065H4-BP

    SICW025N065H4-BP

    SIC MOSFET,TO-247-4

    Micro Commercial Co

    		 360 -
    Запрос цены
    		SICW025N065H4-BP

    Технический лист

         		- TO-247-4 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 107A (Tc) 18V 30mOhm @ 50A, 18V 4.5V @ 50mA 275 nC @ 18 V +18V, -5V 5740 pF @ 400 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    AIMZA75R060M1HXKSA1

    AIMZA75R060M1HXKSA1

    AUTOMOTIVE_SICMOS

    Infineon Technologies

    		 239 -
    Запрос цены
    		AIMZA75R060M1HXKSA1

    Технический лист

         		CoolSiC™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 32A (Tj) 15V, 20V 55mOhm @ 11.1A, 20V 5.6V @ 4mA 23 nC @ 18 V +23V, -5V 779 pF @ 500 V - 144W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO247-4
    SCT4045DWATL

    SCT4045DWATL

    750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

    Rohm Semiconductor

    		 976 -
    Запрос цены
    		SCT4045DWATL

    Технический лист

         		- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 31A (Tc) 18V 59mOhm @ 17A, 18V 4.8V @ 8.89mA 63 nC @ 18 V +21V, -4V 1460 pF @ 500 V - - 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7LA
    Total 36322 Record«Prev1... 316317318319320321322323...1817Next»
    TomatoElec

    Поиск

     TomatoElec

    Продукты

     TomatoElec

    Телефон

     TomatoElec

    Пользователь
    TomatoElec
    [email protected]
    0755-82798135