TomatoElecОтслеживание заказа TomatoElecМой аккаунт
    Популярные запросы DDZ7V5CS-7 RS1MWF-7 BAS116-7-F AP7345D-1833RH4-7 FCX493TA SDM02U30CSP-7 LM5164DDAR AP22653W6-7 ZXSC410E6TA D8V0L1B2LP-7B
    TomatoElec

    Доступно 24/7 по

    0755-82798135
    TomatoElec TomatoElec
    Все категории
    Главная > Продукты  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить все
    Применить ко всем
    Результат

    FET и MOSFET

    TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

    Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

    Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

    Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    G3F65MT12J-TR

    G3F65MT12J-TR

    1200V 65M TO-263-7 G3F SIC MOSFE

    GeneSiC Semiconductor

    		 800 -
    Запрос цены

    -

    		 - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 37A (Tc) 18V 86mOhm @ 15A, 18V 4.3V @ 10mA 55 nC @ 18 V +22V, -10V 1298 pF @ 800 V - 171W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7
    R6061YNZ4C13

    R6061YNZ4C13

    NCH 600V 61A, TO-247, POWER MOSF

    Rohm Semiconductor

    		 588 -
    Запрос цены
    		R6061YNZ4C13

    Технический лист

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 61A (Tc) 10V, 12V 60mOhm @ 13A, 12V 6V @ 3.5mA 76 nC @ 10 V ±30V 3700 pF @ 100 V - 568W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
    IPT60T022S7XTMA1

    IPT60T022S7XTMA1

    HIGH POWER_NEW

    Infineon Technologies

    		 218 -
    Запрос цены
    		IPT60T022S7XTMA1

    Технический лист

         		CoolMOS™ 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 23A (Tj) 12V 22mOhm @ 23A, 12V 4.5V @ 1.43mA 150 nC @ 12 V ±20V 5640 pF @ 300 V - 390W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-8-2
    G3F65MT12K

    G3F65MT12K

    1200V 65M TO-247-4 G3F SIC MOSFE

    GeneSiC Semiconductor

    		 600 -
    Запрос цены

    -

    		 - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 35A (Tc) 18V 86mOhm @ 15A, 18V 4.3V @ 10mA 55 nC @ 18 V +22V, -10V 1298 pF @ 800 V - 153W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4
    C3M0060075K1

    C3M0060075K1

    SICFET N-CH 750V 35A TO247

    Wolfspeed, Inc.

    		 389 -
    Запрос цены
    		C3M0060075K1

    Технический лист

         		- TO-247-4 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 35A (Tc) 15V 78mOhm @ 13.4A, 15V 3.8V @ 3.67mA 52 nC @ 15 V -8V, +19V 1203 pF @ 500 V - 126W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    C3M0160120J-TR

    C3M0160120J-TR

    SIC, MOSFET, 160M, 1200V, TO-263

    Wolfspeed, Inc.

    		 300 -
    Запрос цены
    		C3M0160120J-TR

    Технический лист

         		C3M™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 17A (Tc) 15V 208mOhm @ 8.5A, 15V 3.6V @ 2.33mA 24 nC @ 15 V +15V, -4V 632 pF @ 1000 V - 90W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    C3M0160120K1

    C3M0160120K1

    MOSFET N-CH 1200V 17.9A TO247-4L

    Wolfspeed, Inc.

    		 229 -
    Запрос цены
    		C3M0160120K1

    Технический лист

         		- TO-247-4 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 17.9A (Tc) 15V 208mOhm @ 8.5A, 15V 3.8V @ 2.33mA 32 nC @ 15 V +19V, -8V 730 pF @ 1000 V - 103W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    IPQC60T022S7XTMA1

    IPQC60T022S7XTMA1

    HIGH POWER_NEW

    Infineon Technologies

    		 750 -
    Запрос цены
    		IPQC60T022S7XTMA1

    Технический лист

         		CoolMOS™ 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 90A (Tc) 12V 22mOhm @ 23A, 12V 4.5V @ 1.43mA 150 nC @ 12 V ±20V 5640 pF @ 300 V - 416W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HDSOP-22-1
    NVHL075N065SC1

    NVHL075N065SC1

    SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET, NC

    onsemi

    		 446 -
    Запрос цены
    		NVHL075N065SC1

    Технический лист

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 38A (Tc) 15V, 18V 85mOhm @ 15A, 18V 4.3V @ 5mA 61 nC @ 18 V +22V, -8V 1196 pF @ 325 V - 148W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
    STL57N65M5

    STL57N65M5

    MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT

    STMicroelectronics

    		 5,445 -
    Запрос цены
    		STL57N65M5

    Технический лист

         		MDmesh™ V 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 4.3A (Ta), 22.5A (Tc) 10V 69mOhm @ 20A, 10V 5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±25V 4200 pF @ 100 V - 2.8W (Ta), 189W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
    NSF080120D7A0J

    NSF080120D7A0J

    NSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L

    Nexperia USA Inc.

    		 797 -
    Запрос цены

    -

    		 - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    SICW040N120H-BP

    SICW040N120H-BP

    SIC MOSFET,TO-247AB

    Micro Commercial Co

    		 360 -
    Запрос цены
    		SICW040N120H-BP

    Технический лист

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 62A (Tc) 20V 52mOhm @ 30A, 20V 4.5V @ 40mA 229 nC @ 20 V +25V, -10V 3619 pF @ 800 V - 326W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AB
    E4M0060075J2-TR

    E4M0060075J2-TR

    MOSFETS 1205 PF 131W 3.8V 50 NC

    Wolfspeed, Inc.

    		 494 -
    Запрос цены
    		E4M0060075J2-TR

    Технический лист

         		E TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 36A (Tc) 15V 78mOhm @ 13.4A, 15V 3.8V @ 3.67mA 50 nC @ 15 V +19V, -8V 1205 pF @ 500 V - 131W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7
    NVH4L050N65S3F

    NVH4L050N65S3F

    SF3 FRFET AUTO 50MOHM TO-247-4L

    onsemi

    		 405 -
    Запрос цены
    		NVH4L050N65S3F

    Технический лист

         		SuperFET® III, FRFET® TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 58A (Tc) 10V 50mOhm @ 29A, 10V 5V @ 1.7mA 123.8 nC @ 10 V ±30V 4855 pF @ 400 V - 403W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    SICW040N120H4-BP

    SICW040N120H4-BP

    SIC MOSFET,TO-247-4

    Micro Commercial Co

    		 360 -
    Запрос цены
    		SICW040N120H4-BP

    Технический лист

         		- TO-247-4 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 62A (Tc) 20V 52mOhm @ 30A, 20V 4.5V @ 40mA 229 nC @ 20 V +20V, -5V 3619 pF @ 800 V - 326W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    E3M0160120K

    E3M0160120K

    SICFET N-CH 1.2KV 17.9A TO-247-4

    Wolfspeed, Inc.

    		 287 -
    Запрос цены
    		E3M0160120K

    Технический лист

         		E TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 17.9A (Tc) 15V 208mOhm @ 8.5A, 15V 3.6V @ 2.33mA 32 nC @ 15 V -8V, +19V 730 pF @ 1000 V - 103W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
    APT5017BVRG

    APT5017BVRG

    MOSFET N-CH 500V 30A TO247

    Microchip Technology

    		 243 -
    Запрос цены
    		APT5017BVRG

    Технический лист

         		POWER MOS V® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 30A (Tc) - 170mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 1mA 300 nC @ 10 V - 5280 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-247 [B]
    NVH4L075N065SC1

    NVH4L075N065SC1

    SIC MOS TO247-4L 650V

    onsemi

    		 240 -
    Запрос цены
    		NVH4L075N065SC1

    Технический лист

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 38A (Tc) 15V, 18V 85mOhm @ 15A, 18V 4.3V @ 5mA 61 nC @ 18 V +22V, -8V 1196 pF @ 325 V - 148W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
    SCTWA35N65G2V-4

    SCTWA35N65G2V-4

    DISCRETE

    STMicroelectronics

    		 600 -
    Запрос цены
    		SCTWA35N65G2V-4

    Технический лист

         		- TO-247-4 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 45A (Tc) 18V, 20V 67mOhm @ 20A, 20V 5V @ 1mA 73 nC @ 20 V +18V, -5V 1370 pF @ 400 V - 240W (Tc) -55°C ~ 200°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    NTHL030N120M3S

    NTHL030N120M3S

    SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL

    onsemi

    		 351 -
    Запрос цены
    		NTHL030N120M3S

    Технический лист

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 73A (Tc) 18V 39mOhm @ 30A, 18V 4.4V @ 15mA 107 nC @ 18 V +22V, -10V 2430 pF @ 800 V - 313W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    Total 36322 Record«Prev1... 318319320321322323324325...1817Next»
    TomatoElec

    Поиск

     TomatoElec

    Продукты

     TomatoElec

    Телефон

     TomatoElec

    Пользователь
    TomatoElec
    [email protected]
    0755-82798135