TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
C3M0075120K1

C3M0075120K1

MOSFET N-CH 1200V 32A TO247-4L

Wolfspeed, Inc.

345 -
C3M0075120K1

Технический лист

- TO-247-4 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 32A (Tc) 15V 97.5mOhm @ 17.9A, 15V 3.8V @ 5mA 55 nC @ 15 V +19V, -8V 1480 pF @ 1000 V - 145W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
SICW080N120Y4-BP

SICW080N120Y4-BP

N-CHANNEL MOSFET,TO-247-4

Micro Commercial Co

338 -
SICW080N120Y4-BP

Технический лист

- TO-247-4 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 39A 18V 85mOhm @ 20A, 18V 3.6V @ 5mA 41 nC @ 18 V +22V, -8V 890 pF @ 1000 V - 223W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
NVH4L032N065M3S

NVH4L032N065M3S

SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S

onsemi

422 -

-

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 650 V 50A (Tc) 15V, 18V 44mOhm @ 15A, 18V 4V @ 7.5mA 55 nC @ 18 V +22V, -8V 1410 pF @ 400 V - 187W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4
IMDQ75R027M1HXUMA1

IMDQ75R027M1HXUMA1

IMDQ75R027M1HXUMA1

Infineon Technologies

708 -
IMDQ75R027M1HXUMA1

Технический лист

CoolSiC™ 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 64A (Tj) 15V, 20V 25mOhm @ 24.5A, 20V 5.6V @ 8.8mA 49 nC @ 18 V +20V, -2V 1668 pF @ 500 V - 273W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HDSOP-22-1
NVH4L070N120M3S

NVH4L070N120M3S

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI

onsemi

222 -
NVH4L070N120M3S

Технический лист

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 34A (Tc) 18V 87mOhm @ 15A, 18V 4.4V @ 7mA 57 nC @ 18 V +22V, -10V 1230 pF @ 800 V - 160W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
PJMK040N60EC_T0_00201

PJMK040N60EC_T0_00201

600V/ 40M / 71A/ EASY TO DRIVER

Panjit International Inc.

690 -
PJMK040N60EC_T0_00201

Технический лист

- - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
AOK065V65X2

AOK065V65X2

MOSFET N-CH 650V 40.3A TO247

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

225 -
AOK065V65X2

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 40.3A (Tc) 15V 85mOhm @ 10A, 15V 3.5V @ 10mA 58.8 nC @ 15 V +15V, -5V 1762 pF @ 400 V - 187.5W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247
DIW170SIC070

DIW170SIC070

SIC MOSFET, TO-247-3L, N, 70A, 1

Diotec Semiconductor

150 -
DIW170SIC070

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1700 V 70A (Tc) 20V 22.3mOhm @ 40A, 20V 4V @ 10mA 80 nC @ 18 V +20V, -5V 6000 pF @ 1200 V - 416W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
IPQC60R017S7XTMA1

IPQC60R017S7XTMA1

MOSFET

Infineon Technologies

750 -
IPQC60R017S7XTMA1

Технический лист

CoolMOS™ S7 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Tc) 12V 17mOhm @ 29A, 12V 4.5V @ 1.89mA 196 nC @ 12 V ±20V 7370 pF @ 300 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HDSOP-22
IPDQ60R017S7XTMA1

IPDQ60R017S7XTMA1

MOSFET

Infineon Technologies

695 -
IPDQ60R017S7XTMA1

Технический лист

CoolMOS™ S7 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Tc) 12V 17mOhm @ 29A, 12V 4.5V @ 1.89mA 196 nC @ 12 V ±20V 7370 pF @ 300 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HDSOP-22-1
SIHG64N65E-GE3

SIHG64N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC

Vishay Siliconix

481 -
SIHG64N65E-GE3

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 64A (Tc) 10V 47mOhm @ 32A, 10V 4V @ 250µA 369 nC @ 10 V ±30V 7497 pF @ 100 V - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
SCT4026DWATL

SCT4026DWATL

750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

Rohm Semiconductor

946 -
SCT4026DWATL

Технический лист

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 51A (Tc) 18V 34mOhm @ 29A, 18V 4.8V @ 15.4mA 94 nC @ 18 V +21V, -4V 2320 pF @ 500 V - - 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7LA
AIMBG75R027M1HXTMA1

AIMBG75R027M1HXTMA1

AIMBG75R027M1HXTMA1

Infineon Technologies

1,183 -

-

CoolSiC™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 64A (Tj) 15V, 20V 25mOhm @ 24.5A, 20V 5.6V @ 8.8mA 49 nC @ 18 V +23V, -5V 1668 pF @ 500 V - 273W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-7
AOK065V120X2Q

AOK065V120X2Q

1200V SILICON CARBIDE MOSFET

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

240 -
AOK065V120X2Q

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 40.3A (Tc) 15V 85mOhm @ 10A, 15V 3.5V @ 10mA 62.3 nC @ 15 V +15V, -5V 1716 pF @ 800 V - 187.5W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247
NVH4L040N65S3F

NVH4L040N65S3F

MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4

onsemi

448 -
NVH4L040N65S3F

Технический лист

SuperFET® III, FRFET® TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 65A (Tc) - 40mOhm @ 32.5A, 10V 5V @ 2.1mA 160 nC @ 10 V ±30V 5665 pF @ 400 V - 446W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
G3F40MT12J-TR

G3F40MT12J-TR

1200V 40M TO-263-7 G3F SIC MOSFE

GeneSiC Semiconductor

800 -

-

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 59A (Tc) 18V 53mOhm @ 20A, 18V 4.3V @ 16mA 86 nC @ 18 V +22V, -10V 2023 pF @ 800 V - 270W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7
E4M0045075K1

E4M0045075K1

MOSFETS AUTOMOTIVE 139W 3.8V NC

Wolfspeed, Inc.

254 -
E4M0045075K1

Технический лист

E TO-247-4 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 42A (Tc) 15V 60mOhm @ 17.6A, 15V 3.8V @ 4.84mA 65 nC @ 15 V +19V, -8V 1606 pF @ 500 V - 139W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
IMW65R026M2HXKSA1

IMW65R026M2HXKSA1

IMW65R026M2HXKSA1

Infineon Technologies

390 -
IMW65R026M2HXKSA1

Технический лист

CoolSiC™ TO-247-3 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 650 V 64A (Tc) 15V, 20V 24mOhm @ 34.5A, 20V 5.6V @ 7mA 42 nC @ 18 V +23V, -7V 1499 pF @ 400 V - 227W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-40
S3M0040120J

S3M0040120J

MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

SMC Diode Solutions

300 -
S3M0040120J

Технический лист

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 76A (Tc) 18V 52mOhm @ 40A, 18V 4V @ 16mA 143 nC @ 18 V +20V, -8V 2844 pF @ 1000 V - 600W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
TSG65N110CE RVG

TSG65N110CE RVG

650V, 18A, PDFN88, E-MODE GAN TR

Taiwan Semiconductor Corporation

3,000 -
TSG65N110CE RVG

Технический лист

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
Total 36322 Record«Prev1... 321322323324325326327328...1817Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь