TomatoElecОтслеживание заказа TomatoElecМой аккаунт
    Популярные запросы BZX84-B36-QR SD103AW-7-F DFLU1200-7 AP2210K-ADJTRG1 AP3012KTR-E1 DDZ7V5CS-7 RS1MWF-7 BAS116-7-F AP7345D-1833RH4-7 FCX493TA
    TomatoElec

    Доступно 24/7 по

    0755-82798135
    TomatoElec TomatoElec
    Все категории
    Главная > Продукты  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить все
    Применить ко всем
    Результат

    FET и MOSFET

    TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

    Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

    Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

    Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IPZA60R016CM8XKSA1

    IPZA60R016CM8XKSA1

    IPZA60R016CM8XKSA1

    Infineon Technologies

    		 391 -
    Запрос цены

    -

    		 CoolMOS™ TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 123A (Tc) 10V 16mOhm @ 62.5A, 10V 4.7V @ 1.48mA 171 nC @ 10 V ±20V 7545 pF @ 400 V - 521W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4-U02
    NVBG023N065M3S

    NVBG023N065M3S

    SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S

    onsemi

    		 1,600 -
    Запрос цены

    -

    		 - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 650 V 70A (Tc) 15V, 18V 33mOhm @ 20A, 18V 4V @ 10mA 69 nC @ 18 V +22V, -8V 1951 pF @ 400 V - 263W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK-7
    G3F33MT06K

    G3F33MT06K

    650V 27M TO-247-4 G3F SIC MOSFET

    GeneSiC Semiconductor

    		 600 -
    Запрос цены

    -

    		 - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 650 V 74A (Tc) 15V, 18V 38mOhm @ 26A, 18V 4.3V @ 12mA 81 nC @ 18 V +22V, -10V 2394 pF @ 400 V - 227W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4
    NVHL060N065SC1

    NVHL060N065SC1

    SIC MOS TO247-3L 650V

    onsemi

    		 450 -
    Запрос цены
    		NVHL060N065SC1

    Технический лист

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 47A (Tc) 15V, 18V 70mOhm @ 20A, 18V 4.3V @ 6.5mA 74 nC @ 18 V +22V, -8V 1473 pF @ 325 V - 176W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
    GS66502B-MR

    GS66502B-MR

    GS66502B-MR

    Infineon Technologies Canada Inc.

    		 208 -
    Запрос цены

    -

    		 - 3-SMD, No Lead Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 7.5A (Tc) 6V 260mOhm @ 2.25A, 6V 2.6V @ 1.75mA 1.6 nC @ 6 V +7V, -10V 60 pF @ 400 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount -
    TW048Z65C,S1F

    TW048Z65C,S1F

    G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 48

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 243 -
    Запрос цены
    		TW048Z65C,S1F

    Технический лист

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 40A (Tc) 18V 69mOhm @ 20A, 18V 5V @ 1.6mA 41 nC @ 18 V +25V, -10V 1362 pF @ 400 V - 132W (Tc) 175°C - - Through Hole TO-247-4L(X)
    AIMBG120R060M1XTMA1

    AIMBG120R060M1XTMA1

    SIC_DISCRETE

    Infineon Technologies

    		 959 -
    Запрос цены
    		AIMBG120R060M1XTMA1

    Технический лист

         		- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 38A (Tc) 18V, 20V 75mOhm @ 13A, 20V 5.1V @ 4.3mA 32 nC @ 20 V +23V, -5V 880 pF @ 800 V - 202W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-7-12
    NVHL023N065M3S

    NVHL023N065M3S

    SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S

    onsemi

    		 440 -
    Запрос цены

    -

    		 - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 650 V 70A (Tc) 15V, 18V 33mOhm @ 20A, 18V 4V @ 10mA 69 nC @ 18 V +22V, -8V 1952 pF @ 400 V - 263W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
    SCTH35N65G2V-7AG

    SCTH35N65G2V-7AG

    SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7

    STMicroelectronics

    		 1,000 -
    Запрос цены
    		SCTH35N65G2V-7AG

    Технический лист

         		- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 45A (Tc) 18V, 20V 67mOhm @ 20A, 20V 5V @ 1mA 73 nC @ 20 V +22V, -10V 1370 pF @ 400 V - 208W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount H2PAK-7
    IMTA65R020M2HXTMA1

    IMTA65R020M2HXTMA1

    SILICON CARBIDE MOSFET

    Infineon Technologies

    		 371 -
    Запрос цены
    		IMTA65R020M2HXTMA1

    Технический лист

         		- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    SCT4026DWAHRTL

    SCT4026DWAHRTL

    750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

    Rohm Semiconductor

    		 980 -
    Запрос цены
    		SCT4026DWAHRTL

    Технический лист

         		- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 51A (Tc) 18V 34mOhm @ 29A, 18V 4.8V @ 15.4mA 94 nC @ 18 V +21V, -4V 2320 pF @ 500 V - - 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7LA
    C3M0040120K1

    C3M0040120K1

    MOSFET N-CH 1200V 57A TO247-4L

    Wolfspeed, Inc.

    		 283 -
    Запрос цены
    		C3M0040120K1

    Технический лист

         		- TO-247-4 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 57A (Tc) 15V 53mOhm @ 31.9A, 15V 3.8V @ 8.377mA 94 nC @ 15 V +19V, -8V 2726 pF @ 1000 V - 242W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    FCH029N65S3-F155

    FCH029N65S3-F155

    MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3

    onsemi

    		 399 -
    Запрос цены
    		FCH029N65S3-F155

    Технический лист

         		SuperFET® III TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 75A (Tc) - 29mOhm @ 37.5A, 10V 4.5V @ 7mA 201 nC @ 10 V ±30V 6340 pF @ 400 V - 463W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IMW65R020M2HXKSA1

    IMW65R020M2HXKSA1

    SILICON CARBIDE MOSFET

    Infineon Technologies

    		 163 -
    Запрос цены
    		IMW65R020M2HXKSA1

    Технический лист

         		CoolSiC™ Gen 2 TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 83A (Tc) 15V, 20V 18mOhm @ 46.9A, 20V 5.6V @ 9.5mA 57 nC @ 18 V +23V, -7V 2038 pF @ 400 V - 273W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-40
    IXFX120N30P3

    IXFX120N30P3

    MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247-3

    Littelfuse Inc.

    		 240 -
    Запрос цены
    		IXFX120N30P3

    Технический лист

         		HiPerFET™, Polar3™ TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 120A (Tc) 10V 27mOhm @ 60A, 10V 5V @ 4mA 150 nC @ 10 V ±20V 8630 pF @ 25 V - 1130W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
    IMBG40R011M2HXTMA1

    IMBG40R011M2HXTMA1

    SIC-MOS

    Infineon Technologies

    		 1,000 -
    Запрос цены
    		IMBG40R011M2HXTMA1

    Технический лист

         		CoolSiC™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 400 V 13.4A (Ta), 133A (Tc) 15V, 18V 14.4mOhm @ 37.1A, 18V 5.6V @ 13.3mA 85 nC @ 18 V +23V, -7V 3770 pF @ 200 V - 3.8W (Ta), 429W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-11
    NTH4L018N075SC1

    NTH4L018N075SC1

    SIC MOS TO247-4L 750V

    onsemi

    		 400 -
    Запрос цены
    		NTH4L018N075SC1

    Технический лист

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 140A (Tc) 15V, 18V 18mOhm @ 66A, 18V 4.3V @ 22mA 262 nC @ 18 V +22V, -8V 5010 pF @ 375 V - 500W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    NVH4L060N090SC1

    NVH4L060N090SC1

    -

    onsemi

    		 1,349 -
    Запрос цены
    		NVH4L060N090SC1

    Технический лист

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 900 V 46A (Tc) 15V, 18V 84mOhm @ 20A, 15V 4.3V @ 5mA 87 nC @ 15 V +22V, -8V 1770 pF @ 450 V - 221W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
    NVH4L045N065SC1

    NVH4L045N065SC1

    SIC MOS TO247-4L 650V

    onsemi

    		 422 -
    Запрос цены
    		NVH4L045N065SC1

    Технический лист

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 55A (Tc) 15V, 18V 50mOhm @ 25A, 18V 4.3V @ 8mA 105 nC @ 18 V +22V, -8V 1870 pF @ 325 V - 187W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
    SCTW60N120G2

    SCTW60N120G2

    DISCRETE

    STMicroelectronics

    		 600 -
    Запрос цены
    		SCTW60N120G2

    Технический лист

         		- TO-247-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 60A (Tc) 18V 52mOhm @ 30A, 18V 5V @ 1mA 94 nC @ 8 V +18V, -5V 1969 pF @ 800 V - 389W (Tc) -55°C ~ 200°C (TJ) - - Through Hole HiP247™
    Total 36322 Record«Prev1... 322323324325326327328329...1817Next»
    TomatoElec

    Поиск

     TomatoElec

    Продукты

     TomatoElec

    Телефон

     TomatoElec

    Пользователь
    TomatoElec
    [email protected]
    0755-82798135