TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
NVBG060N090SC1

NVBG060N090SC1

SIC MOS N-CH 900V 5.8A D2PAK-7

onsemi

2,081 -
NVBG060N090SC1

Технический лист

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 900 V 5.8A (Ta), 44A (Tc) 15V 84mOhm @ 20A, 15V 4.3V @ 5mA 88 nC @ 15 V +19V, -10V 1800 pF @ 450 V - 3.6W (Ta), 211W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK-7
NSF040120D7A0J

NSF040120D7A0J

NSF040120D7A0/SOT8070/TO263-7L

Nexperia USA Inc.

800 -

-

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
AIMBG75R020M1HXTMA1

AIMBG75R020M1HXTMA1

AIMBG75R020M1HXTMA1

Infineon Technologies

424 -

-

CoolSiC™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 81A (Tj) 15V, 20V 18mOhm @ 34.1A, 20V 5.6V @ 12.2mA 70 nC @ 18 V +23V, -5V 2326 pF @ 500 V - 326W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-7
AOM033V120X2Q

AOM033V120X2Q

1200V SILICON CARBIDE MOSFET

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

150 -
AOM033V120X2Q

Технический лист

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 68A (Tc) 15V 43mOhm @ 20A, 15V 2.8V @ 17.5mA 104 nC @ 15 V +18V, -8V 2908 pF @ 800 V - 300W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
NVHL045N065SC1

NVHL045N065SC1

SIC MOS TO247-3L 650V

onsemi

442 -
NVHL045N065SC1

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 66A (Tc) 15V, 18V 50mOhm @ 25A, 18V 4.3V @ 8mA 105 nC @ 18 V +22V, -8V 1870 pF @ 325 V - 291W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
E4M0045075J2-TR

E4M0045075J2-TR

MOSFETS 1606 PF 172W 3.8V 62 NC

Wolfspeed, Inc.

426 -
E4M0045075J2-TR

Технический лист

E TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 46A (Tc) 15V 60mOhm @ 17.6A, 15V 3.8V @ 4.84mA 62 nC @ 15 V +19V, -8V 1606 pF @ 500 V - 172W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7
IXFK420N10T

IXFK420N10T

MOSFET N-CH 100V 420A TO264AA

Littelfuse Inc.

224 -
IXFK420N10T

Технический лист

HiPerFET™, Trench TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 420A (Tc) 10V 2.6mOhm @ 60A, 10V 5V @ 8mA 670 nC @ 10 V ±20V 47000 pF @ 25 V - 1670W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
G3F34MT12J-TR

G3F34MT12J-TR

1200V 34M TO-263-7 G3F SIC MOSFE

GeneSiC Semiconductor

800 -

-

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 68A (Tc) 18V 45mOhm @ 26A, 18V 4.3V @ 18mA 104 nC @ 18 V +22V, -10V 2418 pF @ 800 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7
G3F25MT06J-TR

G3F25MT06J-TR

650V 20M TO-263-7 G3F SIC MOSFET

GeneSiC Semiconductor

800 -

-

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 650 V 108A (Tc) 15V, 18V 27.5mOhm @ 35A, 18V 4.3V @ 15mA 108 nC @ 18 V +22V, -10V 2939 pF @ 400 V - 343W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7
SICW028N120A4-BP

SICW028N120A4-BP

MOSFET N-CH 1200 V 80A TO247-4

Micro Commercial Co

1,800 -
SICW028N120A4-BP

Технический лист

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 80A (Tc) 16V, 20V 30mOhm @ 40A, 20V 3V @ 15mA 168 nC @ 18 V +22V, -5V 3570 pF @ 1000 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
G3F34MT12K

G3F34MT12K

1200V 34M TO-247-4 G3F SIC MOSFE

GeneSiC Semiconductor

600 -

-

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 63A (Tc) 18V 45mOhm @ 26A, 18V 4.3V @ 18mA 104 nC @ 18 V +22V, -10V 2418 pF @ 800 V - 263W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4
AIMDQ75R020M1HXUMA1

AIMDQ75R020M1HXUMA1

AIMDQ75R020M1HXUMA1

Infineon Technologies

670 -

-

CoolSiC™ 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 81A (Tj) 15V, 20V 18mOhm @ 32.5A, 20V 5.6V @ 11.7mA 67 nC @ 18 V +23V, -5V 2217 pF @ 500 V - 326W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-HDSOP-22
AOM033V120X2

AOM033V120X2

1200V SILICON CARBIDE MOSFET

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

234 -
AOM033V120X2

Технический лист

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 68A (Tc) 15V 43mOhm @ 20A, 15V 2.8V @ 17.5mA 104 nC @ 15 V +15V, -5V 2908 pF @ 800 V - 300W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
S3M0025120K

S3M0025120K

MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

SMC Diode Solutions

240 -
S3M0025120K

Технический лист

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 77A (Tc) 18V 32mOhm @ 48A, 18V 4V @ 20mA 175 nC @ 18 V +22V, -8V 3519 pF @ 1000 V - 517W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
GAN039-650NBBHP

GAN039-650NBBHP

650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (

Nexperia USA Inc.

935 -

-

- 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 60A (Tc) 10V 39mOhm @ 32A, 10V 4.8V @ 1mA 30 nC @ 10 V ±20V 1500 pF @ 400 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount CCPAK1212
NVH4L023N065M3S

NVH4L023N065M3S

SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S

onsemi

450 -

-

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 650 V 67A (Tc) 15V, 18V 33mOhm @ 20A, 18V 4V @ 10mA 69 nC @ 18 V +22V, -8V 1952 pF @ 400 V - 245W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4
IMZA75R020M1HXKSA1

IMZA75R020M1HXKSA1

SILICON CARBIDE MOSFET

Infineon Technologies

237 -
IMZA75R020M1HXKSA1

Технический лист

CoolSiC™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 75A (Tj) 15V, 20V 18mOhm @ 32.5A, 20V 5.6V @ 11.7mA 67 nC @ 18 V +23V, -5V 2217 pF @ 500 V - 278W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4
G3F25MT06K

G3F25MT06K

650V 20M TO-247-4 G3F SIC MOSFET

GeneSiC Semiconductor

595 -

-

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 650 V 100A (Tc) 15V, 18V 27.5mOhm @ 35A, 18V 4.3V @ 15mA 108 nC @ 18 V +22V, -10V 2939 pF @ 400 V - 294W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4
NVBG040N120M3S

NVBG040N120M3S

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI

onsemi

760 -
NVBG040N120M3S

Технический лист

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 57A (Tc) 18V 54mOhm @ 20A, 18V 4.4V @ 10mA 75 nC @ 18 V +22V, -10V 1700 pF @ 800 V - 263W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK-7
AIMZHN120R040M1TXKSA1

AIMZHN120R040M1TXKSA1

SIC_DISCRETE

Infineon Technologies

240 -
AIMZHN120R040M1TXKSA1

Технический лист

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 55A (Tc) 18V, 20V 50mOhm @ 20A, 20V 5.1V @ 6.4mA 43 nC @ 20 V +23V, -5V 1264 pF @ 800 V - 268W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO247-4-14
Total 36322 Record«Prev1... 324325326327328329330331...1817Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь