TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
IMW65R010M2HXKSA1

IMW65R010M2HXKSA1

IMW65R010M2HXKSA1

Infineon Technologies

396 -
IMW65R010M2HXKSA1

Технический лист

CoolSiC™ TO-247-3 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 650 V 130A (Tc) 15V, 20V 9.1mOhm @ 92.1A, 20V 5.6V @ 18.7mA 112 nC @ 18 V +23V, -7V 4001 pF @ 400 V - 440W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-40
G3F20MT12K

G3F20MT12K

1200V 20M TO-247-4 G3F SIC MOSFE

GeneSiC Semiconductor

595 -

-

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V - - - - - - - - - - - - Through Hole TO-247-4
NVHL070N120M3S

NVHL070N120M3S

SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3

onsemi

410 -
NVHL070N120M3S

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 34A (Tc) 18V 87mOhm @ 15A, 18V 4.4V @ 7mA 57 nC @ 18 V +22V, -10V 1230 pF @ 800 V - 160W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
S3M0016120B

S3M0016120B

MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

SMC Diode Solutions

300 -
S3M0016120B

Технический лист

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 106A (Tc) 18V 23mOhm @ 75A, 18V 4V @ 30mA 287 nC @ 18 V +22V, -8V 5251 pF @ 1000 V - 576W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
IMZA65R010M2HXKSA1

IMZA65R010M2HXKSA1

IMZA65R010M2HXKSA1

Infineon Technologies

400 -
IMZA65R010M2HXKSA1

Технический лист

CoolSiC™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 650 V 144A (Tc) 15V, 20V 9.1mOhm @ 92.1A, 20V 5.6V @ 18.7mA 112 nC @ 18 V +23V, -7V 4001 pF @ 400 V - 440W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4-8
E4M0025075J2-TR

E4M0025075J2-TR

MOSFETS 3055 PF 281W 3.8V 114 NC

Wolfspeed, Inc.

524 -
E4M0025075J2-TR

Технический лист

E TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 84A (Tc) 15V 34mOhm @ 33.5A, 15V 3.8V @ 9.22mA 114 nC @ 15 V +19V, -8V 3055 pF @ 500 V - 281W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7
E4M0025075K1

E4M0025075K1

MOSFETS AUTOMOTIVE 262W 3.8V NC

Wolfspeed, Inc.

286 -
E4M0025075K1

Технический лист

E TO-247-4 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 80A (Tc) 15V 34mOhm @ 33.5A, 15V 3.8V @ 9.22mA 119 nC @ 15 V +19V, -8V 3055 pF @ 500 V - 262W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
AIMBG120R020M1XTMA1

AIMBG120R020M1XTMA1

SIC_DISCRETE

Infineon Technologies

864 -
AIMBG120R020M1XTMA1

Технический лист

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 104A (Tc) 18V, 20V 25mOhm @ 43A, 20V 5.1V @ 15mA 82 nC @ 20 V +23V, -5V 2667 pF @ 800 V - 468W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-7-12
IMZC120R012M2HXKSA1

IMZC120R012M2HXKSA1

IMZC120R012M2HXKSA1

Infineon Technologies

215 -
IMZC120R012M2HXKSA1

Технический лист

CoolSiC™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 129A (Tc) 15V, 18V 12mOhm @ 57A, 18V 5.1V @ 17.8mA 124 nC @ 18 V +23V, -7V 4050 pF @ 800 V - 480W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4-17
APT1201R2BFLLG

APT1201R2BFLLG

MOSFET N-CH 1200V 12A TO247

Microchip Technology

274 -
APT1201R2BFLLG

Технический лист

POWER MOS 7® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 12A (Tc) - 1.25Ohm @ 6A, 10V 5V @ 1mA 100 nC @ 10 V - 2540 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-247 [B]
IXFX32N80Q3

IXFX32N80Q3

MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247-3

Littelfuse Inc.

600 -
IXFX32N80Q3

Технический лист

HiPerFET™, Q3 Class TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 32A (Tc) 10V 270mOhm @ 16A, 10V 6.5V @ 4mA 140 nC @ 10 V ±30V 6940 pF @ 25 V - 1000W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
G3F18MT12J-TR

G3F18MT12J-TR

1200V 18M TO-263-7 G3F SIC MOSFE

GeneSiC Semiconductor

800 -

-

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 122A (Tc) 18V 25mOhm @ 45A, 18V 4.3V @ 35mA 212 nC @ 18 V +22V, -10V 4962 pF @ 800 V - 526W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7
C3M0021120K1

C3M0021120K1

MOSFET N-CH 1200V 104A TO247-4L

Wolfspeed, Inc.

869 -
C3M0021120K1

Технический лист

- TO-247-4 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 104A (Tc) 15V 29mOhm @ 62.1A, 15V 3.8V @ 17.1mA 177 nC @ 15 V +19V, -8V 5100 pF @ 1000 V - 405W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
AOM020V120X2Q

AOM020V120X2Q

1200V SILICON CARBIDE MOSFET

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

217 -
AOM020V120X2Q

Технический лист

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 89A (Tc) 15V 28mOhm @ 27A, 15V 2.8V @ 27mA 166 nC @ 15 V +15V, -5V 5180 pF @ 800 V - 348W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
TW030Z120C,S1F

TW030Z120C,S1F

G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 3

Toshiba Semiconductor and Storage

105 -
TW030Z120C,S1F

Технический лист

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 60A (Tc) 18V 41mOhm @ 30A, 18V 5V @ 13mA 82 nC @ 18 V +25V, -10V 2925 pF @ 800 V - 249W (Tc) 175°C - - Through Hole TO-247-4L(X)
G3F18MT12K

G3F18MT12K

1200V 18M TO-247-4 G3F SIC MOSFE

GeneSiC Semiconductor

595 -

-

- - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
E3M0032120J2-TR

E3M0032120J2-TR

32m, 1200V SiC FET, TO-263-7 XL

Wolfspeed, Inc.

729 -
E3M0032120J2-TR

Технический лист

E TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 74A (Tc) 15V 43mOhm @ 38.9A, 15V 3.8V @ 10.7mA 108 nC @ 15 V +19V, -8V 3460 pF @ 1000 V - 341W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7
SCTH100N65G2-7AG

SCTH100N65G2-7AG

SICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7

STMicroelectronics

876 -
SCTH100N65G2-7AG

Технический лист

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 95A (Tc) 18V 26mOhm @ 50A, 18V 5V @ 5mA 162 nC @ 18 V +22V, -10V 3315 pF @ 520 V - 360W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount H2PAK-7
C3M0025065J1-TR

C3M0025065J1-TR

SIC, MOSFET 25 M, 650V TO-263-7X

Wolfspeed, Inc.

780 -
C3M0025065J1-TR

Технический лист

C3M™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 80A (Tc) 15V 34mOhm @ 33.5A, 15V 3.6V @ 9.22mA 109 nC @ 15 V +19V, -8V 2980 pF @ 400 V - 271W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
NVHL015N065SC1

NVHL015N065SC1

SIC MOS TO247-3L 650V

onsemi

447 -
NVHL015N065SC1

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 163A (Tc) 15V, 18V 18mOhm @ 75A, 12V 4.3V @ 25mA 283 nC @ 18 V +22V, -8V 4790 pF @ 325 V - 643W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
Total 36322 Record«Prev1... 327328329330331332333334...1817Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь