TomatoElecОтслеживание заказа TomatoElecМой аккаунт
    Популярные запросы DFLU1200-7 AP3012KTR-E1 DDZ7V5CS-7 RS1MWF-7 BAS116-7-F AP7345D-1833RH4-7 FCX493TA SDM02U30CSP-7 LM5164DDAR AP22653W6-7
    TomatoElec

    Доступно 24/7 по

    0755-82798135
    TomatoElec TomatoElec
    Все категории
    Главная > Продукты  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить все
    Применить ко всем
    Результат

    FET и MOSFET

    TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

    Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

    Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

    Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    E3M0021120J2-TR

    E3M0021120J2-TR

    21m, 1200V SiC FET, TO-263-7 XL

    Wolfspeed, Inc.

    		 488 -
    Запрос цены
    		E3M0021120J2-TR

    Технический лист

         		E TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 114A (Tc) 15V 29mOhm @ 62.12A, 15V 3.8V @ 17.1mA 169 nC @ 15 V +19V, -8V 5100 pF @ 1000 V - 500W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7
    AIMZA75R008M1HXKSA1

    AIMZA75R008M1HXKSA1

    AUTOMOTIVE_SICMOS

    Infineon Technologies

    		 240 -
    Запрос цены
    		AIMZA75R008M1HXKSA1

    Технический лист

         		CoolSiC™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 750 V 163A (Tc) 15V, 20V 7.2mOhm @ 90.3A, 20V 5.6V @ 32.4mA 178 nC @ 18 V +23V, -5V 6137 pF @ 500 V - 517W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO247-4-U02
    IMZA75R008M1HXKSA1

    IMZA75R008M1HXKSA1

    SILICON CARBIDE MOSFET

    Infineon Technologies

    		 240 -
    Запрос цены
    		IMZA75R008M1HXKSA1

    Технический лист

         		CoolSiC™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 750 V 163A (Tc) 15V, 20V 7.2mOhm @ 90.3A, 20V 5.6V @ 32.4mA 178 nC @ 500 V +23V, -5V 6137 pF @ 500 V - 517W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4-U02
    NCV81342CBATXG

    NCV81342CBATXG

    MOSFET

    onsemi

    		 1,000 -
    Запрос цены

    -

    		 - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IPD030N03LF2SATMA1

    IPD030N03LF2SATMA1

    MOSFET N-CH 30V 160A DPAK

    Infineon Technologies

    		 2,000 -
    Запрос цены
    		IPD030N03LF2SATMA1

    Технический лист

         		StrongIRFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 24A (Ta), 99A (Tc) 4.5V, 10V 3.05mOhm @ 60A, 10V 2.35V @ 40µA 50 nC @ 10 V ±20V 2200 pF @ 15 V - 3W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-34
    APT60M75L2FLLG

    APT60M75L2FLLG

    MOSFET N-CH 600V 73A 264 MAX

    Microchip Technology

    		 82 -
    Запрос цены
    		APT60M75L2FLLG

    Технический лист

         		POWER MOS 7® TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 73A (Tc) 10V 75mOhm @ 36.5A, 10V 5V @ 5mA 195 nC @ 10 V ±30V 8930 pF @ 25 V - 893W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 264 MAX™ [L2]
    C3M0016120K1

    C3M0016120K1

    MOSFET N-CH 1200V 125A TO247-4L

    Wolfspeed, Inc.

    		 325 -
    Запрос цены
    		C3M0016120K1

    Технический лист

         		- TO-247-4 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 125A (Tc) 15V 22mOhm @ 80.28A, 15V 3.8V @ 22.08mA 223 nC @ 15 V +19V, -8V 6922 pF @ 1000 V - 483W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    APL502B2G

    APL502B2G

    MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX

    Microchip Technology

    		 106 -
    Запрос цены
    		APL502B2G

    Технический лист

         		- TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 58A (Tc) 15V 90mOhm @ 29A, 12V 4V @ 2.5mA - ±30V 9000 pF @ 25 V - 730W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole T-MAX™ [B2]
    DIW120SIC022-AQ

    DIW120SIC022-AQ

    SIC MOSFET, TO-247-3L, N, 120A,

    Diotec Semiconductor

    		 150 -
    Запрос цены
    		DIW120SIC022-AQ

    Технический лист

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 120A (Tc) 18V 22.3mOhm @ 75A, 18V 4V @ 23.5mA 269 nC @ 18 V +18V, -4V 4817 pF @ 1000 V - 340W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247
    DIF120SIC022-AQ

    DIF120SIC022-AQ

    SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 120A,

    Diotec Semiconductor

    		 150 -
    Запрос цены
    		DIF120SIC022-AQ

    Технический лист

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 120A (Tc) 18V 22.3mOhm @ 75A, 18V 4V @ 23.5mA 269 nC @ 18 V +18V, -4V 4817 pF @ 1000 V - 340W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4
    TW015Z120C,S1F

    TW015Z120C,S1F

    G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 1

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 68 -
    Запрос цены
    		TW015Z120C,S1F

    Технический лист

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 100A (Tc) 18V 21mOhm @ 50A, 18V 5V @ 11.7mA 158 nC @ 18 V +25V, -10V 6000 pF @ 800 V - 431W (Tc) 175°C - - Through Hole TO-247-4L(X)
    IXFN55N120SK

    IXFN55N120SK

    SIC AND MULTICHIP DISCRETE

    IXYS

    		 182 -
    Запрос цены
    		IXFN55N120SK

    Технический лист

         		- SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 54A (Tc) 15V 42mOhm @ 40A, 15V 3.6V @ 12mA 107 nC @ 15 V +15V, -4V 3360 pF @ 1000 V - - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
    DIW120SIC023-AQ

    DIW120SIC023-AQ

    MOSFET TO-247-3L N 130A 1200V

    Diotec Semiconductor

    		 705 -
    Запрос цены
    		DIW120SIC023-AQ

    Технический лист

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 125A (Tc) 18V 23mOhm @ 75A, 18V 2.9V @ 250µA 45 nC @ 18 V - 6150 pF @ 1000 V - 600W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247
    DF17MR12W1M1HFB68BPSA1

    DF17MR12W1M1HFB68BPSA1

    LOW POWER EASY

    Infineon Technologies

    		 33 -
    Запрос цены
    		DF17MR12W1M1HFB68BPSA1

    Технический лист

         		EasyPACK™ Module Tray Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 45A (Tj) 15V, 18V 16.2mOhm @ 50A, 18V 5.15V @ 20mA 149 nC @ 18 V +20V, -7V 4400 pF @ 800 V - - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    CDA04N30X1C

    CDA04N30X1C

    GANFET 40V 30A .004 OHM 4DAPT

    EPC Space, LLC

    		 88 -
    Запрос цены

    -

    		 - - Tray Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    CDA10N30X1C

    CDA10N30X1C

    GANFET 100V 30A .009 OHM 4DAPT

    EPC Space, LLC

    		 100 -
    Запрос цены

    -

    		 - - Tray Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    CDA10N05X2C

    CDA10N05X2C

    GANFET 100V 5A .030 OHM 4DAPT

    EPC Space, LLC

    		 100 -
    Запрос цены

    -

    		 - - Tray Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    CDA20N18X3C

    CDA20N18X3C

    GANFET 200V 18A .025 OHM 4DAPT

    EPC Space, LLC

    		 64 -
    Запрос цены

    -

    		 - - Tray Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    EPC7004BC

    EPC7004BC

    GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B

    EPC Space, LLC

    		 41 -
    Запрос цены
    		EPC7004BC

    Технический лист

         		- 4-SMD, No Lead Tray Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 100 V 30A (Tc) 5V 13mOhm @ 30A, 5V 2.5V @ 7mA 7 nC @ 5 V +6V, -4V 797 pF @ 50 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-SMD
    EPC7001BC

    EPC7001BC

    GAN FET HEMT 40V30A COTS 4FSMD-B

    EPC Space, LLC

    		 146 -
    Запрос цены

    -

    		 - - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    Total 36322 Record«Prev1... 328329330331332333334335...1817Next»
    TomatoElec

    Поиск

     TomatoElec

    Продукты

     TomatoElec

    Телефон

     TomatoElec

    Пользователь
    TomatoElec
    [email protected]
    0755-82798135