TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
EPC7002AC

EPC7002AC

GAN FET HEMT 40V 8A COTS 4FSMD-A

EPC Space, LLC

89 -

-

- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
EPC7007BSH

EPC7007BSH

GAN FET HEMT 200V 18A 4UB

EPC Space, LLC

50 -
EPC7007BSH

Технический лист

eGaN®, FSMD-B 4-SMD, No Lead Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 18A (Tc) 5V 28mOhm @ 18A, 5V 2.5V @ 3mA 7 nC @ 5 V +6V, -4V 900 pF @ 100 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-SMD
EPC7001BSH

EPC7001BSH

GAN FET HEMT 40V 30A 4FSMD-B

EPC Space, LLC

50 -

-

- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
EPC7002ASH

EPC7002ASH

GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A

EPC Space, LLC

50 -

-

- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
5HP01SS-TL-E

5HP01SS-TL-E

MOSFET P-CH 50V 70MA SSFP3

onsemi

9,530 -

-

- 3-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - Surface Mount 3-SSFP
2N7002K-EVL

2N7002K-EVL

MOSFET Single,SOT-23,60V,300mA,N

Venkel

20,515 -

-

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 300mA (Ta) 4.5V, 10V 3Ohm @ 500mA, 10V 2.5V @ 250µA 0.8 nC @ 5 V ±20V 35 pF @ 25 V - 350mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
2SK2858-T1-A

2SK2858-T1-A

MOSFET N-CH 30V 100MA SC70-3 SSP

Renesas Electronics Corporation

38,000 -
2SK2858-T1-A

Технический лист

- SC-70, SOT-323 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 100mA (Ta) - 5Ohm @ 10mA, 10V 1.8V @ 10µA - - 9 pF @ 3 V - - - - - Surface Mount SC-70-3, SSP, Miniature Mini Mold
NX7002BKVL

NX7002BKVL

MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB

Nexperia USA Inc.

5,275 -
NX7002BKVL

Технический лист

TrenchMOS™ TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 270mA (Ta) 5V, 10V 2.8Ohm @ 200mA, 10V 2.1V @ 250µA 1 nC @ 10 V ±20V 23.6 pF @ 10 V - 310mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-236AB
NX138AKVL

NX138AKVL

MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB

Nexperia USA Inc.

3,785 -
NX138AKVL

Технический лист

TrenchMOS™ TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 190mA (Ta) 2.5V, 10V 4.5Ohm @ 190mA, 10V 1.5V @ 250µA 1.4 nC @ 10 V ±20V 20 pF @ 30 V - 265mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-236AB
G3035

G3035

MOSFET P-CH 30V 4.6A SOT-23

Goford Semiconductor

117,000 -
G3035

Технический лист

TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) - 4.6A (Tc) 4.5V, 10V 59mOhm @ 4A, 10V 2V @ 250µA - ±20V - - 1.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
G2312

G2312

MOSFET N-CH 20V 5A SOT-23

Goford Semiconductor

75,000 -
G2312

Технический лист

TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) - 5A (Tc) 4.5V, 10V 18mOhm @ 4.2A, 10V 1V @ 250µA - ±12V - - 1.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
3401

3401

MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT-23

Goford Semiconductor

15,000 -
3401

Технический лист

TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) - 4.2A (Tc) 4.5V, 10V 55mOhm @ 4A, 10V 1.3V @ 250µA - ±12V - - 1.2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
G02P06

G02P06

MOSFET P-CH 60V 1.6A,SOT-23

Goford Semiconductor

45,000 -
G02P06

Технический лист

TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) - 1.6A (Tc) 4.5V, 10V 190mOhm @ 1A, 10V 2.5V @ 250µA - ±20V - - 1.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
PMZB1200UPEYL

PMZB1200UPEYL

NEXPERIA PMZB1200U - 30V, P-CHAN

NXP Semiconductors

594,000 -
PMZB1200UPEYL

Технический лист

- 3-XFDFN Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 410mA (Ta) 1.5V, 4.5V 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V 950mV @ 250µA 1.2 nC @ 4.5 V ±8V 43.2 pF @ 15 V - 310mW (Ta), 1.67W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DFN1006B-3
FDV301N-F169

FDV301N-F169

MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23

onsemi

9,099 -
FDV301N-F169

Технический лист

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 220mA (Ta) 2.7V, 4.5V 4Ohm @ 400mA, 4.5V 1.06V @ 250µA 0.7 nC @ 4.5 V ±8V 9.5 pF @ 10 V - 350mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
PMV100XPEA215

PMV100XPEA215

NEXPERIA PMV100 - P-CHANNEL MOSF

NXP Semiconductors

39,000 -
PMV100XPEA215

Технический лист

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2.4A (Ta) - 128mOhm @ 2.4A, 4.5V 1.25V @ 250µA 6 nC @ 4.5 V ±12V 386 pF @ 10 V - 463mW (Ta), 4.45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
BSS119NH7796

BSS119NH7796

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Infineon Technologies

10,000 -
BSS119NH7796

Технический лист

OptiMOS™ TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 190mA (Ta) 4.5V, 10V 6Ohm @ 190mA, 10V 2.3V @ 13µA 0.6 nC @ 10 V ±20V 20.9 pF @ 25 V - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT23-3-5
BSS84

BSS84

MOSFET SOT-23 P Channel 50V

MDD

237,000 -
BSS84

Технический лист

SOT-23 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 130mA (Ta) 5V, 10V 8Ohm @ 100mA, 10V 2V @ 250µA 1.77 nC @ 10 V ±20V 30 pF @ 5 V - 225mW (Ta) -55°C ~ 150°C - - Surface Mount SOT-23-3
GT6K2P10IH

GT6K2P10IH

MOSFET P-CH 100V 1A SOT-23

Goford Semiconductor

30,000 -
GT6K2P10IH

Технический лист

SGT TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) - 1A (Tc) 10V 670mOhm @ 1A, 10V 3V @ 250µA - ±20V - - 1.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
AO3400-5.8A

AO3400-5.8A

MOSFET SOT-23 N Channel 30V

MDD

234,000 -
AO3400-5.8A

Технический лист

SOT-23 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 5.8A (Ta) 3.3V, 4.5V 32mOhm @ 5.8A, 10V 1.2V @ 250µA 10.5 nC @ 15 V ±12V 630 pF @ 15 V - 1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
Total 36322 Record«Prev1... 329330331332333334335336...1817Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь