TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
G3F25MT12J-TR

G3F25MT12J-TR

1200V 25M TO-263-7 G3F SIC MOSFE

GeneSiC Semiconductor

800 -

-

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 87A (Tc) 18V 34mOhm @ 34A, 18V 4.3V @ 24mA 128 nC @ 18 V +22V, -10V 3325 pF @ 800 V - 362W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7
IMT40R011M2HXTMA1

IMT40R011M2HXTMA1

SIC-MOS

Infineon Technologies

1,927 -
IMT40R011M2HXTMA1

Технический лист

CoolSiC™ 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 400 V 13.4A (Ta), 144A (Tc) 15V, 18V 14.4mOhm @ 37.1A, 18V 5.6V @ 13.3mA 85 nC @ 18 V +23V, -7V 3770 pF @ 200 V - 3.8W (Ta), 429W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-8-2
SCT3030ARC15

SCT3030ARC15

650V, 70A, 4-PIN THD, TRENCH-STR

Rohm Semiconductor

386 -
SCT3030ARC15

Технический лист

- TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 70A (Tc) 18V 39mOhm @ 27A, 18V 5.6V @ 13.3mA 104 nC @ 18 V +22V, -4V 1526 pF @ 500 V - 262W 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
IMZC120R017M2HXKSA1

IMZC120R017M2HXKSA1

IMZC120R017M2HXKSA1

Infineon Technologies

240 -
IMZC120R017M2HXKSA1

Технический лист

CoolSiC™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 97A (Tc) 15V, 18V 17mOhm @ 40A, 18V 5.1V @ 12.7mA 89 nC @ 18 V +23V, -7V 2910 pF @ 800 V - 382W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4-17
NVH4L027N65S3F

NVH4L027N65S3F

SF3 FRFET AUTO 27MOHM TO-247-4L

onsemi

799 -
NVH4L027N65S3F

Технический лист

SuperFET® III, FRFET® TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 75A (Tc) 10V 27.4mOhm @ 35A, 10V 5V @ 3mA 227 nC @ 10 V ±30V 7780 pF @ 400 V - 595W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
C3M0045065J1-TR

C3M0045065J1-TR

SIC, MOSFET 45M, 650V TO-263-7XL

Wolfspeed, Inc.

730 -
C3M0045065J1-TR

Технический лист

C3M™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 47A (Tc) 15V 60mOhm @ 17.6A, 15V 3.6V @ 4.84mA 61 nC @ 15 V +19V, -8V 1621 pF @ 400 V - 147W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
G3F25MT12K

G3F25MT12K

1200V 25M TO-247-4 G3F SIC MOSFE

GeneSiC Semiconductor

595 -

-

- - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
SCT3030ARHRC15

SCT3030ARHRC15

650V, 70A, 4-PIN THD, TRENCH-STR

Rohm Semiconductor

448 -
SCT3030ARHRC15

Технический лист

- TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 70A (Tc) 18V 39mOhm @ 27A, 18V 5.6V @ 13.3mA 104 nC @ 18 V +22V, -4V 1526 pF @ 500 V - 262W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
AIMBG120R030M1XTMA1

AIMBG120R030M1XTMA1

SIC_DISCRETE

Infineon Technologies

1,708 -
AIMBG120R030M1XTMA1

Технический лист

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 70A (Tc) 18V, 20V 38mOhm @ 27A, 20V 5.1V @ 8.6mA 57 nC @ 20 V +23V, -5V 1738 pF @ 800 V - 333W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-7-12
SCT3040KRC15

SCT3040KRC15

1200V, 55A, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Rohm Semiconductor

370 -
SCT3040KRC15

Технический лист

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 55A (Tj) 18V 52mOhm @ 20A, 18V 5.6V @ 10mA 107 nC @ 18 V +22V, -4V 1337 pF @ 800 V - 262W 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
AIMZA75R020M1HXKSA1

AIMZA75R020M1HXKSA1

AUTOMOTIVE_SICMOS

Infineon Technologies

190 -
AIMZA75R020M1HXKSA1

Технический лист

CoolSiC™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 75A (Tj) 15V, 20V 18mOhm @ 32.5A, 20V 5.6V @ 11.7mA 67 nC @ 18 V +23V, -5V 2217 pF @ 500 V - 278W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO247-4
NSF030120D7A0J

NSF030120D7A0J

NSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L

Nexperia USA Inc.

800 -

-

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
NSF030120L3A0Q

NSF030120L3A0Q

NSF030120L3A0/SOT429-2/TO247-3

Nexperia USA Inc.

450 -
NSF030120L3A0Q

Технический лист

- - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IMBG65R015M2HXTMA1

IMBG65R015M2HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

Infineon Technologies

1,000 -
IMBG65R015M2HXTMA1

Технический лист

CoolSiC™ Gen 2 TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 115A (Tc) 15V, 20V 18mOhm @ 64.2A, 18V 5.6V @ 13mA 79 nC @ 18 V +23V, -7V 2792 pF @ 400 V - 416W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-12
SCT3040KRHRC15

SCT3040KRHRC15

1200V, 55A, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Rohm Semiconductor

395 -
SCT3040KRHRC15

Технический лист

- TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 55A (Tc) 18V 52mOhm @ 20A, 18V 5.6V @ 10mA 107 nC @ 18 V +22V, -4V 1337 pF @ 800 V - 262W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
NSF030120L4A0Q

NSF030120L4A0Q

NSF030120L4A0/SOT8071/TO247-4L

Nexperia USA Inc.

450 -

-

- - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
NSF040120L3A0Q

NSF040120L3A0Q

SIC MOSFET / 40MOHM / 1200V / TO

Nexperia USA Inc.

412 -
NSF040120L3A0Q

Технический лист

- - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
AOK033V120X2Q

AOK033V120X2Q

1200V SILICON CARBIDE MOSFET

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

209 -
AOK033V120X2Q

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 68A (Tc) 15V 43mOhm @ 20A, 15V 2.8V @ 17.5mA 104 nC @ 15 V +15V, -5V 2908 pF @ 800 V - 300W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247
AOM015V65X2

AOM015V65X2

650V SILICON CARBIDE MOSFET

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

238 -
AOM015V65X2

Технический лист

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 96A (Tc) 15V 22mOhm @ 24A, 15V 3.5V @ 24mA 152 nC @ 15 V +15V, -5V 4880 pF @ 400 V - 312W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
AOK015V65X2

AOK015V65X2

650V SILICON CARBIDE MOSFET

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

238 -
AOK015V65X2

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 96A (Tc) 15V 22mOhm @ 24A, 15V 3.5V @ 24mA 152 nC @ 15 V +15V, -5V 4880 pF @ 400 V - 312W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247
Total 36322 Record«Prev1... 325326327328329330331332...1817Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь