TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
IPT017N10NM5LF2ATMA1

IPT017N10NM5LF2ATMA1

IPT017N10NM5LF2ATMA1

Infineon Technologies

2,000 -
IPT017N10NM5LF2ATMA1

Технический лист

OptiMOS™ 5 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 32A (Ta), 321A (Tc) 10V, 15V 1.6mOhm @ 150A, 15V 3.9V @ 280µA 206 nC @ 10 V ±20V 17000 pF @ 50 V - 3.8W (Ta), 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-8-1
NTMFS5C604NLT3G

NTMFS5C604NLT3G

MOSFET N-CH 60V 40A/287A 5DFN

onsemi

4,853 -
NTMFS5C604NLT3G

Технический лист

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 40A (Ta), 287A (Tc) 4.5V, 10V 1.2mOhm @ 50A, 10V 2V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 8900 pF @ 25 V - 3.9W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
NVMTS1D1N04CTXG

NVMTS1D1N04CTXG

T6 40V SL AIZU SINGLE NCH PQFN 8

onsemi

2,909 -
NVMTS1D1N04CTXG

Технический лист

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 48.8A (Ta), 277A (Tc) 10V 1.1mOhm @ 50A, 10V 4V @ 210µA 86 nC @ 10 V ±20V 5410 pF @ 25 V - 4.7W (Ta), 153W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-DFNW (8.3x8.4)
IMT65R083M1HXUMA1

IMT65R083M1HXUMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

Infineon Technologies

1,726 -
IMT65R083M1HXUMA1

Технический лист

CoolSiC™ 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active - SiCFET (Silicon Carbide) 650 V - 18V - - - - - - - - - - Surface Mount PG-HSOF-8-2
SIHP050N60E-GE3

SIHP050N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 51A TO220AB

Vishay Siliconix

926 -
SIHP050N60E-GE3

Технический лист

E TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 51A (Tc) 10V 50mOhm @ 23A, 10V 5V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±30V 3459 pF @ 100 V - 278W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IPDQ60R037CM8XTMA1

IPDQ60R037CM8XTMA1

IPDQ60R037CM8XTMA1

Infineon Technologies

750 -

-

CoolMOS™ 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 65A (Tj) 10V 37mOhm @ 27A, 10V 4.7V @ 680µA 79 nC @ 10 V ±20V 3459 pF @ 400 V - 338W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HDSOP-22
IMDQ75R060M1HXUMA1

IMDQ75R060M1HXUMA1

IMDQ75R060M1HXUMA1

Infineon Technologies

705 -
IMDQ75R060M1HXUMA1

Технический лист

CoolSiC™ 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 34A (Tc) 15V, 20V 55mOhm @ 11.1A, 20V 5.6V @ 4mA 23 nC @ 18 V +20V, -2V 779 pF @ 500 V - 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HDSOP-22-1
NTBLS1D5N10MCTXG

NTBLS1D5N10MCTXG

MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE

onsemi

1,415 -
NTBLS1D5N10MCTXG

Технический лист

- 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 32A (Ta), 312A (Tc) 10V 1.5mOhm @ 80A, 10V 4V @ 799µA 131 nC @ 10 V ±20V 10100 pF @ 50 V - 3.4W (Ta), 322W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-HPSOF
IPDQ60T040S7AXTMA1

IPDQ60T040S7AXTMA1

AUTOMOTIVE_COOLMOS

Infineon Technologies

750 -
IPDQ60T040S7AXTMA1

Технический лист

CoolMOS™ 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 54A (Tc) 12V 40mOhm @ 13A, 12V 4.5V @ 780µA 83 nC @ 12 V ±20V 3128 pF @ 300 V - 272W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-HDSOP-22-1
TSM60NE084CIT C0G

TSM60NE084CIT C0G

600V, 21A, SINGLE N-CHANNEL HIGH

Taiwan Semiconductor Corporation

2,000 -

-

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 21A (Tc) 10V, 12V 82mOhm @ 7A, 12V 6V @ 2.9mA 69 nC @ 10 V ±30V 2930 pF @ 300 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220TL
IMLT65R050M2HXTMA1

IMLT65R050M2HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

Infineon Technologies

315 -
IMLT65R050M2HXTMA1

Технический лист

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IPB029N15NM6ATMA1

IPB029N15NM6ATMA1

TRENCH >=100V

Infineon Technologies

1,830 -
IPB029N15NM6ATMA1

Технический лист

OptiMOS™ 6 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 24A (Ta), 165A (Tc) 8V, 15V 2.8mOhm @ 100A, 15V 4V @ 276µA 137 nC @ 10 V ±20V 9900 pF @ 75 V - 3.8W (Ta), 395W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
NTBL060N065SC1

NTBL060N065SC1

M2 650V SIC MOSFET 60MOHM WITH T

onsemi

1,998 -
NTBL060N065SC1

Технический лист

- 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 46A (Tc) 15V, 18V 70mOhm @ 20A, 18V 4.3V @ 6.5mA 74 nC @ 18 V +22V, -8V 1473 pF @ 325 V - 170W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-HPSOF
PSMN1R8-80SSFJ

PSMN1R8-80SSFJ

NEXTPOWER 80/100V MOSFETS

Nexperia USA Inc.

1,771 -
PSMN1R8-80SSFJ

Технический лист

- SOT-1235 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 270A (Tc) 7V, 10V 1.8mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 222 nC @ 10 V ±20V 15319 pF @ 40 V - 341W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK88 (SOT1235)
PSMN2R0-100SSFJ

PSMN2R0-100SSFJ

NEXTPOWER 80/100V MOSFETS

Nexperia USA Inc.

1,754 -
PSMN2R0-100SSFJ

Технический лист

- SOT-1235 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 267A (Tc) 7V, 10V 2.07mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 242 nC @ 10 V ±20V 16140 pF @ 50 V - 341W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK88 (SOT1235)
SIHH085N60EF-T1GE3

SIHH085N60EF-T1GE3

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST

Vishay Siliconix

5,665 -
SIHH085N60EF-T1GE3

Технический лист

EF 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Tc) 10V 85mOhm @ 17A, 10V 5V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±30V 2733 pF @ 100 V - 184W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
SIHK085N60EF-T1GE3

SIHK085N60EF-T1GE3

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST

Vishay Siliconix

2,000 -
SIHK085N60EF-T1GE3

Технический лист

EF 8-PowerBSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Tc) 10V 85mOhm @ 17A, 10V 5V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±30V 2733 pF @ 100 V - 184W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK®10 x 12
GS-065-014-6-L-MR

GS-065-014-6-L-MR

GS-065-014-6-L-MR

Infineon Technologies Canada Inc.

241 -

-

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 700 V 15.2A (Tc) 6V 138mOhm @ 4A, 6V 2.6V @ 3mA 2.7 nC @ 6 V +7V, -10V 85 pF @ 400 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PDFN (5x6)
AIMBG75R060M1HXTMA1

AIMBG75R060M1HXTMA1

AIMBG75R060M1HXTMA1

Infineon Technologies

2,497 -

-

CoolSiC™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 34A (Tj) 15V, 20V 55mOhm @ 11.1A, 20V 5.6V @ 4mA 23 nC @ 18 V +23V, -5V 779 pF @ 500 V - 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-7
AOT66518L

AOT66518L

MOSFET N-CH 150V 30A/120A TO220

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

831 -
AOT66518L

Технический лист

AlphaSGT™ TO-220-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 30A (Ta), 120A (Tc) 8V, 10V 5mOhm @ 20A, 10V 3.7V @ 250µA 115 nC @ 10 V ±20V 6460 pF @ 75 V - 10W (Ta), 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
Total 36322 Record«Prev1... 311312313314315316317318...1817Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь