TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
FQI7N10LTU

FQI7N10LTU

MOSFET N-CH 100V 7.3A I2PAK

Fairchild Semiconductor

4,000 -
FQI7N10LTU

Технический лист

QFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 7.3A (Tc) 5V, 10V 350mOhm @ 3.65A, 10V 2V @ 250µA 6 nC @ 5 V ±20V 290 pF @ 25 V - 3.75W (Ta), 40W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262 (I2PAK)
BSS84PH6433XTMA1

BSS84PH6433XTMA1

MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3

Infineon Technologies

3,994 -
BSS84PH6433XTMA1

Технический лист

SIPMOS® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 170mA (Ta) 4.5V, 10V 8Ohm @ 170mA, 10V 2V @ 20µA 1.5 nC @ 10 V ±20V 19 pF @ 25 V - 360mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT23
FDMC8026S

FDMC8026S

MOSFET N-CH 30V 19A/21A 8MLP

onsemi

4,265 -
FDMC8026S

Технический лист

PowerTrench®, SyncFET™ 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 19A (Ta), 21A (Tc) 4.5V, 10V 4.4mOhm @ 19A, 10V 3V @ 1mA 52 nC @ 10 V ±20V 3165 pF @ 15 V - 2.4W (Ta), 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
NTD4805N-35G

NTD4805N-35G

MOSFET N-CH 30V 12.7A/95A IPAK

onsemi

9,203 -
NTD4805N-35G

Технический лист

- TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 12.7A (Ta), 95A (Tc) 4.5V, 11.5V 5mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 48 nC @ 11.5 V ±20V 2865 pF @ 12 V - 1.41W (Ta), 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
IRFR9110TF

IRFR9110TF

100V P-CHANNEL MOSFET

Fairchild Semiconductor

3,500 -
IRFR9110TF

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 3.1A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 1.9A, 10V 4V @ 250µA 8.7 nC @ 10 V ±20V 290 pF @ 25 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
IRLU8729-701PBF

IRLU8729-701PBF

MOSFET N-CH 30V 58A TO251-3-21

International Rectifier

2,773 -
IRLU8729-701PBF

Технический лист

HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 58A (Tc) - 8.9mOhm @ 25A, 10V 2.35V @ 25µA 16 nC @ 4.5 V ±20V 1350 pF @ 15 V - 55W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO-251-3-21
G250N03IE

G250N03IE

N30V,ESD 5.3A,RD<25M@10V,VTH0.5V

Goford Semiconductor

2,573 -
G250N03IE

Технический лист

TrenchFET® SOT-23-6 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 5.3A (Tc) 2.5V, 10V 25mOhm @ 4A, 10V 1.3V @ 250µA 9.1 nC @ 4.5 V ±10V 573 pF @ 15 V - 1.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-6L
NTD4856N-35G

NTD4856N-35G

MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A IPAK

onsemi

7,220 -
NTD4856N-35G

Технический лист

- TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 13.3A (Ta), 89A (Tc) 4.5V, 10V 4.7mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 27 nC @ 4.5 V ±20V 2241 pF @ 12 V - 1.33W (Ta), 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
FQT4N20TF

FQT4N20TF

MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4

Fairchild Semiconductor

2,363 -
FQT4N20TF

Технический лист

- TO-261-4, TO-261AA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 850mA (Tc) 10V 1.4Ohm @ 425mA, 10V 5V @ 250µA 6.5 nC @ 10 V ±30V 220 pF @ 25 V - 2.2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223-4
RFD8P06E

RFD8P06E

P-CHANNEL POWER MOSFET

Harris Corporation

2,278 -
RFD8P06E

Технический лист

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
NTD4856N-1G

NTD4856N-1G

MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A IPAK

onsemi

6,492 -
NTD4856N-1G

Технический лист

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 13.3A (Ta), 89A (Tc) 4.5V, 10V 4.7mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 27 nC @ 4.5 V ±20V 2241 pF @ 12 V - 1.33W (Ta), 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
NTLUS4C16NTAG

NTLUS4C16NTAG

MOSFET N-CH 30V 9.4A 6UDFN

onsemi

8,802 -
NTLUS4C16NTAG

Технический лист

µCool™ 6-PowerUFDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9.4A (Ta) 1.8V, 10V 11.4mOhm @ 8A, 10V 1.1V @ 250µA 7.5 nC @ 4.5 V ±12V 690 pF @ 15 V - 2.37W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-UDFN (1.6x1.6)
FQD3N30TF

FQD3N30TF

MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK

Fairchild Semiconductor

1,970 -
FQD3N30TF

Технический лист

QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 2.4A (Tc) 10V 2.2Ohm @ 1.2A, 10V 5V @ 250µA 7 nC @ 10 V ±30V 230 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
SSU2N60BTU

SSU2N60BTU

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

1,869 -
SSU2N60BTU

Технический лист

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 1.8A (Tc) 10V 5Ohm @ 900mA, 10V 4V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±30V 490 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 44W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
FQB7N10TM

FQB7N10TM

MOSFET N-CH 100V 7.3A D2PAK

Fairchild Semiconductor

1,503 -
FQB7N10TM

Технический лист

QFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 7.3A (Tc) 10V 350mOhm @ 3.65A, 10V 4V @ 250µA 7.5 nC @ 10 V ±25V 250 pF @ 25 V - 3.75W (Ta), 40W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
FQP9N15

FQP9N15

MOSFET N-CH 150V 9A TO220-3

Fairchild Semiconductor

1,418 -
FQP9N15

Технический лист

QFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 9A (Tc) 10V 400mOhm @ 4.5A, 10V 4V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±25V 410 pF @ 25 V - 75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
FQD3N40TM

FQD3N40TM

MOSFET N-CH 400V 2A DPAK

Fairchild Semiconductor

1,367 -
FQD3N40TM

Технический лист

QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 2A (Tc) 10V 3.4Ohm @ 1A, 10V 5V @ 250µA 7.5 nC @ 10 V ±30V 230 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
RFD3N08L

RFD3N08L

N-CHANNEL POWER MOSFET

Harris Corporation

1,346 -
RFD3N08L

Технический лист

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 3A (Tc) 5V 800mOhm @ 1.5A, 5V 2.5V @ 250µA 8 nC @ 10 V ±10V - - 30W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
FK4B01120L1

FK4B01120L1

MOSFET N-CH 12V 3.9A ULGA004

Panasonic Electronic Components

2,000 -
FK4B01120L1

Технический лист

- 4-XFLGA, CSP Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 3.9A (Ta) 1.5V, 4.5V 24mOhm @ 1.5A, 4.5V 1V @ 394µA 7 nC @ 4.5 V ±8V 490 pF @ 10 V - 370mW (Ta) -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount ULGA004-W-1010-RA01
2SK4212A-ZK-E1-AY

2SK4212A-ZK-E1-AY

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

738,900 -
2SK4212A-ZK-E1-AY

Технический лист

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
Total 36284 Record«Prev1... 388389390391392393394395...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь