TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
G9435S

G9435S

P-30V,-5.1A,RD(MAX)<55M@-10V,VTH

Goford Semiconductor

3,890 -
G9435S

Технический лист

TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 5.1A (Tc) 4.5V, 10V 55mOhm @ 5.1A, 10V 3V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 1040 pF @ 15 V - 2.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
2301

2301

P20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<8

Goford Semiconductor

3,793 -
2301

Технический лист

TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 3A (Tc) 2.5V, 4.5V 56mOhm @ 1.7A, 4.5V 900mV @ 250µA 8.5 nC @ 2.5 V ±12V 640 pF @ 10 V - 1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
MTD2N40E

MTD2N40E

N-CHANNEL POWER MOSFET

onsemi

3,230 -
MTD2N40E

Технический лист

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
ECH8410-TL-H

ECH8410-TL-H

MOSFET N-CH 30V 12A 8ECH

onsemi

2,131 -

-

- 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 12A (Ta) 4V, 10V 10mOhm @ 6A, 10V - 31 nC @ 10 V ±20V 1700 pF @ 10 V - 1.6W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-ECH
FDV304P-EV

FDV304P-EV

MOSFET P-CH 25V SOT23

EVVO

3,000 -
FDV304P-EV

Технический лист

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4.2A (Ta) 2.5V, 4.5V 65mOhm @ 4A, 4.5V 1.3V @ 250µA 9.4 nC @ 4.5 V ±12V 954 pF @ 15 V - 1.4W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
IRF613

IRF613

N-CHANNEL POWER MOSFET

Harris Corporation

2,940 -
IRF613

Технический лист

- TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 2.6A (Tc) 10V 2.4Ohm @ 1.6A, 10V 4V @ 250µA 8.2 nC @ 10 V ±20V 135 pF @ 25 V - 43W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
RQJ0603LGDQAWS#H6

RQJ0603LGDQAWS#H6

P CH MOS FET POWER SWITCHING

Renesas Electronics Corporation

2,940 -

-

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRFU110

IRFU110

4.7A 100V 0.540 OHM N-CHANNEL

Harris Corporation

2,825 -
IRFU110

Технический лист

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 4.3A (Tc) 10V 540mOhm @ 900mA, 10V 4V @ 250µA 8.3 nC @ 10 V ±20V 180 pF @ 25 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251AA
SSF3913S

SSF3913S

MOSFET, P-CH, SINGLE, -4A, -30V,

Good-Ark Semiconductor

2,616 -
SSF3913S

Технический лист

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4A (Tc) 4.5V, 10V 75mOhm @ 4A, 10V 2.2V @ 250µA 8 nC @ 4.5 V ±20V 810 pF @ 15 V - 1.56W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
HUF75307D3ST_NL

HUF75307D3ST_NL

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

2,597 -
HUF75307D3ST_NL

Технический лист

UltraFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 15A (Tc) 10V 90mOhm @ 15A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 20 V ±20V 250 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
NTD4970NT4G

NTD4970NT4G

MOSFET N-CH 30V 8.5A/36A DPAK

onsemi

5,054 -
NTD4970NT4G

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8.5A (Ta), 36A (Tc) 4.5V, 10V 11mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 8.2 nC @ 4.5 V ±20V 774 pF @ 15 V - 1.38W (Ta), 24.6W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
SSP1N50B

SSP1N50B

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

2,000 -
SSP1N50B

Технический лист

- TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 520 V 1.5A (Tc) 10V 5.3Ohm @ 750mA, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±30V 340 pF @ 25 V - 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
ISL9N310AD3ST_NL

ISL9N310AD3ST_NL

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

1,125 -
ISL9N310AD3ST_NL

Технический лист

UltraFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 35A (Tc) 4.5V, 10V 10Ohm @ 35A, 10A 3V @ 250µA 48 nC @ 10 V ±20V 1800 pF @ 15 V - 70W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
RFP4N06

RFP4N06

N-CHANNEL POWER MOSFET

Harris Corporation

1,079 -
RFP4N06

Технический лист

- TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 4A (Tc) 10V 800mOhm @ 4A, 10V 4V @ 250µA - ±20V 200 pF @ 25 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
NTF3055-160T1

NTF3055-160T1

MOSFET N-CH 60V 2A SOT223

onsemi

8,881 -
NTF3055-160T1

Технический лист

- TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 2A (Ta) 10V 160mOhm @ 1A, 10V 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V 280 pF @ 25 V - 1.3W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223 (TO-261)
NTD4909N-1G

NTD4909N-1G

MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A IPAK

onsemi

3,240 -
NTD4909N-1G

Технический лист

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8.8A (Ta), 41A (Tc) 4.5V, 10V 8mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 17.5 nC @ 10 V ±20V 1314 pF @ 15 V - 1.37W (Ta), 29.4W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
EFC4611-TR

EFC4611-TR

N-CHANNEL POWER MOSFET

onsemi

1,570,000 -
EFC4611-TR

Технический лист

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
SFT1423-S-TL-E

SFT1423-S-TL-E

MOSFET N-CH 500V 2A TP-FA

onsemi

3,561 -

-

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete - - - 2A (Tj) - - - - - - - - - - - Surface Mount TP-FA
FQD630TF

FQD630TF

MOSFET N-CH 200V 7A DPAK

Fairchild Semiconductor

207,503 -
FQD630TF

Технический лист

QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 7A (Tc) 10V 400mOhm @ 3.5A, 10V 4V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±25V 550 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 46W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
MMSF2P02ER2

MMSF2P02ER2

P-CHANNEL POWER MOSFET

onsemi

94,753 -
MMSF2P02ER2

Технический лист

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
Total 36284 Record«Prev1... 391392393394395396397398...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь