TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
NTMFS4849NT1G

NTMFS4849NT1G

MOSFET N-CH 30V 10.2A/71A 5DFN

onsemi

6,083 -
NTMFS4849NT1G

Технический лист

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 10.2A (Ta), 71A (Tc) 4.5V, 11.5V 5.1mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 22 nC @ 4.5 V ±16V 2040 pF @ 12 V - 870mW (Ta), 42.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
2SK3449

2SK3449

N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET

onsemi

51,912 -
2SK3449

Технический лист

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FDU6612A

FDU6612A

MOSFET N-CH 30V 9.5A/30A IPAK

Fairchild Semiconductor

44,990 -
FDU6612A

Технический лист

PowerTrench® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9.5A (Ta), 30A (Tc) 4.5V, 10V 20mOhm @ 9.5A, 10V 3V @ 250µA 9.4 nC @ 5 V ±20V 660 pF @ 15 V - 2.8W (Ta), 36W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
FQD20N06LETM

FQD20N06LETM

MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK

Fairchild Semiconductor

44,818 -
FQD20N06LETM

Технический лист

QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 17.2A (Tc) 5V, 10V 60mOhm @ 8.6A, 10V 2.5V @ 250µA 13 nC @ 5 V ±20V 665 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 38W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
FQP13N06

FQP13N06

MOSFET N-CH 60V 13A TO220-3

Fairchild Semiconductor

36,013 -
FQP13N06

Технический лист

QFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 13A (Tc) 10V 135mOhm @ 6.5A, 10V 4V @ 250µA 7.5 nC @ 10 V ±25V 310 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
MTP1N60E

MTP1N60E

N-CHANNEL POWER MOSFET

onsemi

20,578 -
MTP1N60E

Технический лист

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FQU8P10TU

FQU8P10TU

MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK

onsemi

9,731 -
FQU8P10TU

Технический лист

QFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 6.6A (Tc) 10V 530mOhm @ 3.3A, 10V 4V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±30V 470 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 44W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
SFT1431-W

SFT1431-W

MOSFET N-CH 35V 11A IPAK/TP

onsemi

4,409 -
SFT1431-W

Технический лист

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 35 V 11A (Ta) 4V, 10V 25mOhm @ 5.5A, 10V 2.6V @ 1mA 17.3 nC @ 10 V ±20V 960 pF @ 20 V - 1W (Ta), 15W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK/TP
FDMA0104

FDMA0104

TRANS MOSFET N-CH 20V 9.4A 6PIN

Fairchild Semiconductor

11,154 -
FDMA0104

Технический лист

PowerTrench® 6-WDFN Exposed Pad Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 9.4A (Ta) - 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V 1V @ 250µA 17.5 nC @ 4.5 V - 1680 pF @ 10 V - 1.9W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
FQP4N20

FQP4N20

MOSFET N-CH 200V 3.6A TO220-3

Fairchild Semiconductor

10,753 -
FQP4N20

Технический лист

QFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 3.6A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 1.8A, 10V 5V @ 250µA 6.5 nC @ 10 V ±30V 220 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
GSFN3019

GSFN3019

MOSFET, P-CH, SINGLE, -30.00A, -

Good-Ark Semiconductor

9,909 -
GSFN3019

Технический лист

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 30A (Tc) 4.5V, 10V 19mOhm @ 8A, 10V 2.9V @ 250µA 17 nC @ 4.5 V ±25V 2500 pF @ 15 V - 27W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PPAK (3.1x3.05)
FQB9N08TM

FQB9N08TM

MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK

Fairchild Semiconductor

7,169 -
FQB9N08TM

Технический лист

QFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 9.3A (Tc) 10V 210mOhm @ 4.65A, 10V 4V @ 250µA 7.7 nC @ 10 V ±25V 250 pF @ 25 V - 3.75W (Ta), 40W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
2SK1470-TD-E

2SK1470-TD-E

NCH 4V DRIVE SERIES

onsemi

7,112 -
2SK1470-TD-E

Технический лист

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FQU2N50BTU-WS

FQU2N50BTU-WS

MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK

onsemi

6,850 -
FQU2N50BTU-WS

Технический лист

QFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 1.6A (Tc) 10V 5.3Ohm @ 800mA, 10V 3.7V @ 250µA 8 nC @ 10 V ±30V 230 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
SFU9230BTU

SFU9230BTU

P-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

5,040 -
SFU9230BTU

Технический лист

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 5.4A (Tc) 10V 800mOhm @ 2.7A, 10V 4V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±30V 1000 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 49W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
NTMFS4839NHT3G

NTMFS4839NHT3G

MOSFET N-CH 30V 9.5A/64A 5DFN

onsemi

3,025 -
NTMFS4839NHT3G

Технический лист

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9.5A (Ta), 64A (Tc) 4.5V, 11.5V 5.5mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 43.5 nC @ 11.5 V ±20V 2354 pF @ 12 V - 870mW (Ta), 42.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
FQI4N20TU

FQI4N20TU

MOSFET N-CH 200V 3.6A I2PAK

Fairchild Semiconductor

5,000 -
FQI4N20TU

Технический лист

QFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 3.6A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 1.8A, 10V 5V @ 250µA 6.5 nC @ 10 V ±30V 220 pF @ 25 V - 3.13W (Ta), 45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262 (I2PAK)
NTD5N50T4

NTD5N50T4

N-CHANNEL POWER MOSFET

onsemi

5,000 -
NTD5N50T4

Технический лист

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FQD1N60TM

FQD1N60TM

MOSFET N-CH 600V 1A DPAK

Fairchild Semiconductor

4,980 -
FQD1N60TM

Технический лист

QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 1A (Tc) 10V 11.5Ohm @ 500mA, 10V 5V @ 250µA 6 nC @ 10 V ±30V 150 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
NTD6N40T4

NTD6N40T4

N-CHANNEL POWER MOSFET

onsemi

4,960 -
NTD6N40T4

Технический лист

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
Total 36284 Record«Prev1... 392393394395396397398399...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь