TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
2SJ210(0)-T1B-AT

2SJ210(0)-T1B-AT

P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

21,000 -
2SJ210(0)-T1B-AT

Технический лист

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
SPD30N03S2L20GBTMA1

SPD30N03S2L20GBTMA1

MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Infineon Technologies

8,268 -
SPD30N03S2L20GBTMA1

Технический лист

OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 30A (Tc) 4.5V, 10V 20mOhm @ 18A, 10V 2V @ 23µA 19 nC @ 10 V ±20V 700 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
2SJ210(0)-T1B-A

2SJ210(0)-T1B-A

P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

19,913 -
2SJ210(0)-T1B-A

Технический лист

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
SFT1446-TL-H

SFT1446-TL-H

MOSFET N-CH 60V 20A TP-FA

Sanyo

16,800 -
SFT1446-TL-H

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 20A (Ta) 4V, 10V 51mOhm @ 10A, 10V 2.6V @ 1mA 16 nC @ 10 V ±20V 750 pF @ 20 V - 1W (Ta), 23W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TP-FA
IPS60R800CEAKMA1

IPS60R800CEAKMA1

CONSUMER

Infineon Technologies

7,734 -
IPS60R800CEAKMA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 8.4A (Tj) 10V 800mOhm @ 2A, 10V 3.5V @ 170µA 17.2 nC @ 10 V ±20V 373 pF @ 100 V - 74W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3
2SK1583-AZ

2SK1583-AZ

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

14,168 -
2SK1583-AZ

Технический лист

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
NTD4970N-1G

NTD4970N-1G

MOSFET N-CH 30V 38A IPAK

onsemi

11,100 -
NTD4970N-1G

Технический лист

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8.5A (Ta), 36A (Tc) - 11mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 8.2 nC @ 4.5 V - 774 pF @ 15 V - - - - - Through Hole IPAK
NTMFS4936NCT1G

NTMFS4936NCT1G

11.6A, 30V, 0.0048OHM, N-CHANNE

Fairchild Semiconductor

10,500 -
NTMFS4936NCT1G

Технический лист

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11.6A (Ta), 79A (Tc) 4.5V, 10V 3.8mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±20V 3044 pF @ 15 V - 920mW (Ta), 43W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
ECH8311-TL-H

ECH8311-TL-H

PCH 2.5V DRIVE SERIES

onsemi

9,000 -

-

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
CPH3408-TL-E

CPH3408-TL-E

NCH 4V DRIVE SERIES

onsemi

9,000 -
CPH3408-TL-E

Технический лист

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
NTMFS4847NT1G

NTMFS4847NT1G

MOSFET N-CH 30V 11.5A/85A 5DFN

onsemi

3,866 -
NTMFS4847NT1G

Технический лист

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11.5A (Ta), 85A (Tc) 4.5V, 11.5V 4.1mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 28 nC @ 4.5 V ±16V 2614 pF @ 12 V - 880mW (Ta), 48.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
RFD8P06LE

RFD8P06LE

P-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

7,200 -
RFD8P06LE

Технический лист

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 8A (Tc) 4.5V, 5V 300mOhm @ 8A, 5V 2V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±10V 675 pF @ 25 V - 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
ECH8410-TL-H

ECH8410-TL-H

MOSFET N-CH 30V 12A SOT28FL/ECH8

Sanyo

6,975 -
ECH8410-TL-H

Технический лист

- 8-SMD, Flat Leads Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 12A (Ta) - 10mOhm @ 6A, 10V 2.6V @ 1mA 31 nC @ 10 V ±20V 1700 pF @ 10 V - 1.6W (Ta) 150°C - - Surface Mount SOT-28FL/ECH8
HUFA75321D3

HUFA75321D3

MOSFET N-CH 55V 20A IPAK

Fairchild Semiconductor

6,970 -
HUFA75321D3

Технический лист

UltraFET™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 20A (Tc) 10V 36mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 44 nC @ 20 V ±20V 680 pF @ 25 V - 93W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
BSC0908NS

BSC0908NS

N-CHANNEL POWER MOSFET

Infineon Technologies

6,400 -
BSC0908NS

Технический лист

- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
GSF3416

GSF3416

MOSFET, N-CHANNEL, 20V, 6.5A, SO

Good-Ark Semiconductor

5,975 -
GSF3416

Технический лист

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 6.5A (Ta) 1.8V, 4.5V 27mOhm @ 6.5A, 4.5V 1V @ 250µA 8 nC @ 4.5 V ±12V 660 pF @ 10 V - 1.4W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
GSFC3415

GSFC3415

MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.00A, -2

Good-Ark Semiconductor

5,523 -
GSFC3415

Технический лист

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4A (Ta) 1.8V, 4.5V 36mOhm @ 4A, 4.5V 900mV @ 250µA 10.2 nC @ 4.5 V ±10V 1181.1 pF @ 10 V - 1.4W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
SFU9130TU

SFU9130TU

P-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

5,040 -
SFU9130TU

Технический лист

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 9.8A (Tc) 10V 300mOhm @ 4.9A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±30V 1035 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 52W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
HUF76107D3ST

HUF76107D3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

4,730 -
HUF76107D3ST

Технический лист

UltraFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 20A (Tc) 4.5V, 10V 52mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 10.3 nC @ 10 V ±20V 315 pF @ 25 V - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
3400

3400

N30V,RD(MAX)<27M@10V,RD(MAX)<33M

Goford Semiconductor

4,484 -
3400

Технический лист

TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 5.6A (Tc) 4.5V, 10V 27mOhm @ 3A, 10V 1.3V @ 250µA 16 nC @ 4.5 V ±12V 552 pF @ 15 V - 1.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
Total 36284 Record«Prev1... 390391392393394395396397...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь